Ddr4 обзор: Обзор и тестирование комплектов оперативной памяти DDR4 SO-DIMM с тактовой частотой 3200 МГц — Эксперт — интернет-магазин электроники и бытовой техники

Содержание

Экспресс-обзор модулей памяти DDR4-5000 XPG Spectrix D50 Xtreme

Разгон оперативной памяти в свое время родился как побочный эффект при разгоне процессоров повышением частоты системной шины. В те времена мгновенно выяснилось, что, во-первых, память должна «держать» повышение частоты шины (особенно на платформах, где работа этих шин была синхронной), а во-вторых, иногда более высокой производительности можно добиться и при меньшей результирующей частоте процессора — но на более быстрой шине.

В настоящее время все эти опыты стали уже глубокой историей. Зато и разгон памяти стал самостоятельной спортивной дисциплиной — что особенно важно в условиях, когда возможности тюнинга и оверклокинга «основных» компонентов стали существенно ограниченными. Особенно если говорить об экономном оверклокинге — т. е. без специального выбора специальных комплектующих, а не просто любой (и желательно бюджетной) системы. Впрочем, и рынок памяти производители комплектующих давно уже «оседлали» аналогичным образом, продавая специальные «отборные» модули, рассчитанные на достижение высоких частот и/или низких таймингов — побочным эффектом чего является ухудшение характеристик регулярных серий (поскольку все

самое вкусное из них изымают еще на этапе предварительной сортировки чипов).

Тем более, и эффект от разгона памяти выше значений, на которые рассчитан контроллер в процессоре, обычно дает очень малый эффект, так что самостоятельной ценности не имеет. А в совокупности с прочим — может. Но не факт, что окупится — поскольку придется потратиться не только на сами модули памяти, но еще и плата не всякая подойдет, например. Хотя стараниями AMD в последние годы картина стала менее тоскливой — разгон памяти возможен на любых чипсетах для АМ4. Да еще и процессоры Ryzen, как правило, официально поддерживают частоты «выше средних» по рынку, что провоцирует пользователей к разгону дешевых модулей хотя бы до «штатных» частот. Вот это как раз смысл имеет: хотя увеличением частоты выше штатной добиться можно мало чего, но снизить производительность при ее «недоборе» вполне реально. И, опять же, это недорого, да еще и на массовых модулях, что возвращает экономический смысл всему мероприятию.

А спорт высоких достижений остается за энтузиастами, что нормально — все равно большинство их занятий практического смысла лишено, так что от появления дополнительных аналогичных хуже никому не становится. Производителям такая ситуация тоже на руку — сортируй себе спокойно модули по сериям, а внутри них — по частотам, да следи, чтобы «обещания» по последним выполнялись и, желательно, с запасом. Правда с последним иногда возникают сложности — в конкурентной борьбе всех тянет наобещать и переобещать друг друга, что принимает странные формы.

Как сейчас, например. Еще прошлым летом в ассортименте Adata появилась серия модулей XPG Spectrix D50 со вполне «человеческими» характеристиками — емкость модуля 8 или 16 ГБ, одиночные или парные комплекты, частоты от 3000 до 4133 МГц. Как и положено в современном мире, снабжены они радиаторами, а также настраиваемой RGB-подсветкой, совместимой с системными платами всей оставшейся на рынке большой четверки производителей, но допускающей и настройку при помощи фирменной утилиты. В общем, ничего подозрительного — подобные продукты есть в ассортименте всех производителей, младшие их модификации всегда работают как заявлено (как минимум) и даже некоторый запас обеспечивают, со старшими — как повезет, но ничего криминального.

Однако не так давно компания решила расширить семейство, дополнив его парой комплектов XPG Spectrix D50 Xtreme. В данном случае — только варианты 2×8 ГБ и один цвет радиаторов, зато и тактовые частоты 4800 или 5000 МГц! Вообще серьезная заявка — учитывая, что «официальные» стандарты так и остановились на 3200 МГц, да и это-то поддерживают лишь несколько семейств AMD. Но, как уже было сказано, 4000+ МГц давно никого не удивляют — значит, нужно было посмотреть и на 5000. Во всяком случае, понять, откуда они взялись.

Поскольку встречают до сих пор по одежке, компания над этим хорошо поработала. Прямо на лицевую сторону суперобложки вынесено главное — что это два модуля по 8 ГБ, рассчитанные на 5000 МГц.

Внутри — красивая черная коробочка, куда модули уложены на манер ювелирных изделий. Впрочем, если посмотреть на цену комплекта, то шутить по этому поводу больше и не хочется.

Поверхность радиаторов настолько зеркальная, что прекрасно собирает отпечатки пальцев — так что в комплект входит специальная тряпочка. Предполагается, что именно ей вся ненужная грязь будет стерта после установки модулей в систему — в процессе чего она обязательно появится.

Но важнее написанное на наклейке — модули рассчитаны на напряжение питания 1,6 В. Это серьезное значение, ставящее под сомнение идею их практического длительного использования. Не потому, что сами не выдержат — на деле многие чипы памяти совместимы и с более серьезными издевательствами, долгое время работая на 2,0 В вместо штатных 1,2 В (только в данном случае желательно их хорошенько охлаждать). Но и AMD, и Intel не рекомендуют слишком «задирать» напряжение, «пугая» возможным повреждением самих процессоров. Точнее, деградацией контроллера памяти — который от «перенапряжения» начинает работать все хуже и хуже. Условно-безопасными когда-то во времена DDR2 считались 10%, позднее допуски увеличились, так что можно не беспокоиться и за 1,4 В, а большинство оверклокерских модулей памяти штатно рассчитано на 1,35 В. Но не на 1,6 В, конечно.

Согласно отчету Thaiphoon Burner, «штатно» это DDR4-2666 Hynix с довольно высокими задержками.

Вся элитность — в двух XMP-профилях на 4800 и 5000 МГц. Почему их два? На сайте Adata можно обнаружить настоящий «список совместимости», куда включены платы, где такие результаты были получены производителем. Так вот, профиль на 5 ГГц с напряжением питания 1,6 В точно был проверен на двух платах MSI на Z490. А 4800 МГц на 1,5 В можно считать рабочим уже на десяти платах MSI на том же чипсете и еще восьми моделях Gigabyte на Z490. Насчет прочих продуктов и других производителей компания ничего не говорит вообще, т. е. с платой Asus или ASRock на том же Z490 — все на собственный страх и риск. И с другими чипсетами так же — уже в отношении всех четырех производителей. Так что, если кто-то свою плату в списке нашел — можно рискнуть. Либо вообще пропустить эту стадию, купить более дешевые модули без таких серьезных обещаний (но и без строгих условий

получения обещанного) — и насладиться процессом выжимания из них максимума. Второй путь, как нам кажется, может доставить куда более удовольствия.

Но, раз уж такой комплект к нам в руки попал, стало интересно посмотреть — а как он работает в более приближенных к жизни условиях на разных платформах. Заодно и сравнить его с обычно используемым нами в тестах комплектом G.Skill Trident Z RGB — всего-то на 3200 МГц, но с таймингами 14-14-14-34. Хотя бы в пределах низкоуровневых утилит.

Начали проверку с платы Asus ROG Maximus XII Extreme на чипсете Intel Z490, которую мы укомплектовали процессором Core i5-10600K. Возлагали на нее большие надежды, но по иронии судьбы именно в данном случае память работала хуже всего — оставаясь в рамках 1,4 В, нам не удалось повысить частоту выше 3600 МГц. Выбираемые для данного режима тайминги выглядят немного издевательски, поработать с ними было бы можно — но при такой частоте и желания-то не было.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark	2666 МГц	3600 МГц	3200 МГц (Ref)
Чтение, МБ/с	38178	49925	46748
Запись, МБ/с	38788	52195	46469
Копирование, МБ/с	31802	42882	41189
Задержки, нс	63,4	52,2	48,8

Затем взялись за AMD AM4 и плату ASRock X570 Phantom Gaming X на чипсете AMD X570. Первым в нее был установлен Ryzen 9 3900X. Результат оказался немного лучше, чем в первом случае — «добрались» до 3866 МГц.

AIDA64 Cache & Memory Benchmark	2666 МГц	3866 МГц	3200 МГц (Ref)
Чтение, МБ/с	40218	54719	48386
Запись, МБ/с	39272	52956	47687
Копирование, МБ/с	35786	49072	44153
Задержки, нс	86,9	85,3	72,3

Сравнивать абсолютные значения задержек в этой программе на платформах AMD и Intel занятие бесполезное, а вот в рамках одной — можно. И хорошо видно, что мы почти ничего при разгоне не выиграли. Виной чему переключения режима работы встроенного в процессор «северного моста»: максимум его частоты равен опорной для памяти, т. е. половине эффективной. Но предел находится чуть выше 1800 МГц — после чего частота снижается в два раза, так что итоговая производительность при разгоне памяти выше 3600 МГц может и упасть.

Далее настала очередь Ryzen 9 5900X. В новом семействе процессоров AMD контроллер памяти остается внешним — и тем же, что и в предыдущем. Однако результаты немного изменились — выше 3866 МГц повысить частоту не удалось, зато на такой память спокойно работала уже на 1,35 В.

	2666 МГц	3866 МГц	3200 МГц (Ref)
Чтение, МБ/с	40154	56990	48315
Запись, МБ/с	39242	54544	47547
Копирование, МБ/с	35831	49738	43981
Задержки, нс	76,5	73,0	62,2

Результаты на низкой частоте даже немного ухудшились — за исключением задержек, которые по данным программы у новых процессоров радикально ниже (несмотря на тот же контроллер памяти).

А вот режим 3866 МГц теперь не только обходится более низким напряжением, но и в «попугаях» подрос.

Следующим в плату был установлен Ryzen 7 Pro 4750G, на который мы возлагали большие надежды. Действительно — в этих процессорах контроллер памяти интегрированный, так что можно рассчитывать на более низкие задержки. И в целом считается, что он был улучшен и доработан. В какой-то степени последнее оправдалось — получилось «подняться» еще на несколько шагов по частоте и остановиться на отметке 4133 МГц.

	2666 МГц	4133 МГц	3200 МГц (Ref)
Чтение, МБ/с	40154	55221	48364
Запись, МБ/с	40122	55089	47995
Копирование, МБ/с	36375	44129	44202
Задержки, нс	89,2	93,4	68,7

Однако прочие результаты позволяют усомниться, что что-то сильно улучшилось. Как раз задержки, которые должны были уменьшиться, по данным программы выросли сравнительно даже с 3000-м семейством, не говоря уже о Ryzen 5000. Что самое смешное, скорость чтения из памяти на 4750G в режиме DDR4-4133 оказалась ниже, чем обеспечивает 5900Х на 3833 МГц (но выше, чем у той же частоты на 3900Х).

В общем, «поиграться» с AM4 в плане работы с памятью нужно будет еще. Во всяком случае потому, что все основные сегодняшние линейки ведут себя в этом плане очень по-разному. Несмотря, даже, на наличие одного и того же IOD в «чистых» процессорах или монолитный дизайн APU — делать на основании этого какие-то выводы опрометчиво. Но для подобных экспериментов отлично подходят и более массовые комплекты памяти. Это место в ассортименте Adata как раз занимают «обычные» XPG Spectrix D50. А серия XPG Spectrix D50 Xtreme — специфические наборы, способные работать в экстремальных по напряжению условиях. Они есть в открытой продаже, однако цена напоминает заградительную — такие 16 ГБ в московской рознице, например обойдутся дороже как бы не любого набора на 64 ГБ и даже многих 128 ГБ со всеми вытекающими. При этом если экстримом не увлекаться, то и работать будут примерно одинаково, т. е. без экстремальных запросов от Xtreme остается только экстремальная цена. Плюс и соответствующее окружение требуется — рассчитывать на то, что память заработает в любой системе в подобном режиме, не стоит. Да и производитель такого не обещает — в то же время предлагая заинтересованным и подобный продукт. Но по соответствующей цене.

В заключение предлагаем посмотреть наш видеообзор модулей памяти XPG Spectrix D50 Xtreme:

Наш видеообзор модулей памяти XPG Spectrix D50 Xtreme можно также посмотреть на iXBT.video

Обзор оперативной памяти Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16. Частота 3200 МГц и RGB-подсветка

20.03.20

Современные системы, будь то Intel или AMD, весьма чувствительны к скорости оперативной памяти.

Но как показывают эксперименты, высокопроизводительные модули DDR4 с частотами 3800, 4000 МГц при значительной разнице в цене, по сравнению с 3000, 3200 МГц, дают не такой и большой выигрыш по скорости.

Поэтому варианты памяти DDR4 с частотами около 3200 МГц оказываются золотой серединой, если хочется добавить производительности системе и не слишком потратиться.

Знакомимся с комплектом памяти Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16

Относительно недавно, в прошлом году, Kingston здорово обновила семейство оперативной памяти HyperX FURY DDR4.

Напомним, что HyperX FURY — это более доступные продукты по сравнению с HyperX Predator. Эдакий вариант для расчетливых энтузиастов, геймеров, для которых немалое значение играют не только продвинутые характеристики, но и цена.

Ассортимент HyperX FURY DDR4 включает модели с частотами от 2400 до 3733 МГц с объемом модулей в 4, 8, 16, 32 ГБ.

Все модули памяти Kingston HyperX FURY DDR4 выполняются в едином стиле с черными радиаторами.

Доступны также варианты с со встроенной RGB-подсветкой.

Представленный в тесте комплект Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 — это память с частотой 3200 МГц, оснащенная RGB-подсветкой и состоящая из двух модулей по 8 ГБ каждый.

Аналогичный комплект без подсветки имеет индекс HX432C16FB3K2/16.

Память Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 поставляется в блистере. Помимо самих модулей в комплекте можно обнаружить фирменную наклейку и краткое руководство.

По сравнению со своими собратьями без подсветки, данные планки, из-за наличия дополнительных рассеивателей, оказались выше. Размеры по высоте 41,2 мм против 34,1 мм у памяти HyperX FURY DDR4 без подсветки.

HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 несколько выше стандартных модулей DDR4

В большинстве случаев это не имеет значения, но если в системе будет использоваться крупный кулер с «размашистым» радиатором, например Aardwolf Performa 10X, то возможны проблемы с установкой модуля в первый (ближний к процессору) слот.

В Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 предустановлены два XMP-профиля: 3000 МГц с таймингами 15-17-17-36, напряжением 1,35 В и 3200 МГц с чуть более высокими таймингами 16-18-18-36, напряжением 1,35 В.

RGB-подсветка

Под полупрозрачным рассеиваетелем, который тянется вдоль всего модуля, размещена серия RGB-светодиодов.

Для управления подсветкой Kingston HyperX FURY DDR4 RGB предусмотрено фирменное приложение HyperX NGENUITY.

HyperX NGENUITY

Примечательно, что на момент написания статьи оно было доступно лишь в виде бета-версии и распространялось исключительно через маркет приложений Microsoft Store.

Предусмотрена серия различных динамичных эффектов с регулировкой скорости, яркости, выбором цвета и т. д.

Кроме того, HyperX FURY DDR4 RGB можно синхронизировать с другими компонентами компьютера через системы подсветок материнских плат (ASUS Aura Sync, MSI Mystic Light, Gigabyte RGB Fusion 2. 0 и т. д.).

Синхронизация подсветки памяти в системе ASUS Aura Sync

Выглядит подсветка качественно.

Отметим интересную деталь. На обеих сторонах плат размещены инфракрасные передатчики и приемники (отмечены на фото ниже). С их помощью осуществляется координация свечения и эффектов модулей между собой для полной синхронной работы.

Подключаем

Конфигурации тестовых платформ:

Платформа Intel

Процессор: Intel Core i5-9400F
Материнская плата: ASUS TUF Z390-PRO GAMING
Оперативная память: 2×8 ГБ DDR4 (Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16)
Операционная система: Windows 10 Pro 64 бит

Платформа AMD

Процессор: AMD Ryzen 7 2700 (архитектура ZEN+)
Материнская плата: ASUS ROG Strix X470-F Gaming
Оперативная память: 2×8 ГБ DDR4 (Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16)
Операционная система: Windows 10 Pro 64 бит

При первом включении системы после установки модулей память запускается на частоте 2400 МГц с таймингами 17-17-17-39 и напряжением 1,2 В.

Выбирая один из предустановленных XMP-профилей, можно запустить Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 в режиме 3000 МГц с таймингами 15-17-17-36, напряжением 1,35 В, или 3200 МГц с чуть более высокими таймингами 16-18-18-36, напряжением 1,35 В.

Выбор предустановленных XMP-профилей

Тут надо заметить, что для процессора Intel Core i5-9400F родной частотой памяти является до 2666 МГц, а для AMD Ryzen 7 2700 — до 2933 МГц.

Поэтому в обоих случаях работа памяти на более высоких частотах не гарантирована.

Но это в теории, а на практике процессоры Intel Core восьмого и девятого поколения обычно без проблем работают с намного более высокой частотой ОЗУ, например, 4000 МГц и даже более (ограничивающим фактором уже являются возможности самих модулей DDR4).

С системами AMD ситуация более сложная.

Процессоры AMD Ryzen архитектур ZEN (серия Ryzen 1000) и ZEN+ (серия Ryzen 2000) намного более «придирчивы» к оперативке. Они требуют более щепетильного внимания к таймингам, другим параметрам и имеют далеко не такой высокий частотный потенциал ОЗУ, как в случае с Intel.

Ситуация значительно поправилась в процессорах серии Ryzen 3000 (архитектура ZEN 2), но, все равно, на платформах Intel раскрыть предельные возможности ОЗУ получается лучше.

Как бы там ни было, и в случае с платформой на базе Intel Core i5-9400F, и в случае с платформой на базе AMD Ryzen 7 2700 системы без проблем стабильно работали с XMP-профилем 3200 МГц с таймингами 16-18-18-36, напряжением 1,35 В.

Любопытно при этом, что система Intel Core i5-9400F запустилась с параметром памяти Command Rate 2T, а система с AMD Ryzen 7 2700 — даже с более низким (это хорошо) Command Rate 1T.

Параметры памяти при выборе XMP-профиля в системе AMD (слева) и Intel (справа)

Экспериментируем с разгоном

Приложение Thaiphoon Burner указывает, что в основе наших модулей Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 лежат микросхемы памяти Hynix DJR (D-die).

Характеристики Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 по данным Thaiphoon Burner

Модули памяти одноранговые (микросхемы памяти размещены с одной стороны).

Это весьма интересно, весь, судя по информации с форума hardwareluxx.de, где собирается статистика по типам микросхем и названиям модулей ОЗУ на их основе, во многих модулях Kingston HyperX FURY DDR4 с частотой около 3200 МГц, включая и HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16, используются микросхемы Hynix СJR (С-Die).

По слухам, Hynix D-die является более современной версией Hynix С-die с чуть лучшими параметрами.

Наличие в наших модулях микросхем Hynix DJR (D-die), а не Hynix СJR (С-Die), вероятно, связанно с датой производства.

К нам на тест попала «совсем свежая» память, выпущенная в январе 2020 года.

При экспериментах, связанных с разгоном памяти, нелишним бывает наличие датчиков температуры на модулях. К сожалению, таких датчиков в HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 нет. По крайней мере, они не отображались в последней версии диагностического приложения AIDA64.

Посмотрим, как показали себя модули HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 в разгоне.

При экспериментах мы не ставили цель найти какие-то предельные экстремальные режимы по разгону. Было интересно, как поведет себя память при использовании безопасных уровней напряжения питания ОЗУ и контроллера DRAM, и разумным балансом частоты и таймингов.

Для проверки стабильности работы применяли приложение memtest, встроенный бенчмарк памяти в AIDA64 и запускали игровые бенчмарки 3DMark.

Разгон на базе Intel Core i5-9400F

Оставив те же тайминги 16-18-18-36, что и для режима XMP 3200, и уменьшив Command Rate до 1T, удалось запустить модули на частоте 3333 МГц при том же напряжении 1,35 В.

Дальнейшие шаги по увеличению частоты потребовали увеличения таймингов и игры с напряжением ОЗУ, а также напряжениями VCCIO и VCCSA.

Результаты Intel:

3333 МГц, 16-18-18-36-1T, 1,35 В;
3466 МГц, 17-19-19-36-2T, 1,39 В;
3600 МГц, 18-20-20-39-2T, 1,42 В;
3866 МГц, 19-21-21-42-2T, 1,44 В;
4000 МГц, 19-22-22-43-2T, 1,45 В.

Дальше экспериментировать не стали. Наверняка память запустилась бы и на частоте более 4000 МГц, но это потребовало бы еще большего увеличения таймингов.

Разгон на базе AMD Ryzen 7 2700

Частоту 3333 МГц удалось покорить на тех же таймингах, что и для режима XMP 3200. Для этого пришлось лишь немного до 1,37 повысить напряжение.

Дальше с ростом частот пришлось уже повышать тайминги

Результаты AMD:

3333 МГц, 16-18-18-36-1T, 1,37 В;
3466 МГц, 16-19-20-36-1T, 1,375 В;
3533 МГц, 16-19-20-36-1T, 1,4 В;
3600 МГц, 16-19-20-36-1T, 1,41 В;
3733 МГц, 16-21-22-38-1T, 1,43 В.

В случае использования процессора архитектуры ZEN 2 (процессоры Ryzen 3000) результаты, наверняка, были бы чуть лучше. Как для процессора архитектуры ZEN+ вполне достойно получилось.

Общее наблюдение для обеих платформ.

Рост частоты выше значений 3333 МГц сопровождается вынужденным повышением таймингов. Даже существенное (в пределах разумного) увеличение напряжений питания и контроллера не позволяет выставись сравнительно низкие тайминги на повышенных частотах.

По субъективным ощущениям радиаторы памяти нагревается умеренно, в том числе при повышении напряжения до 1,45 В (довольно высокий уровень напряжения).

Выводы

По результатам тестов, даже в случае с компьютерами на базе процессоров AMD Ryzen прошлого поколения ZEN+, можно особо не волноваться, что система запустится «в режиме памяти 3200 МГц».

Есть и определенные резервы по разгону.

Частота 3333 МГц достигается с сохранением «родных» таймингов. При желании можно добиться и довольно высоких частот, но тайминги тогда будут уже сравнительно большими.

В целом разгонный потенциал мы бы назвали средним. Используемые тут микросхемы Hynix DJR (D-die) — это не тот вариант, за которым обычно гоняются энтузиасты и любители «выжать из системы все соки».

Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 отлично подойдет для пользователей, которые не планирует каких-то глубоких экспериментов.

Установили, запустили предустановленный профиль XMP с частотой 3200 МГц и наслаждаетесь беспроблемной стабильной работой системы.

Не забывайте также, что, выбирая Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16, вы получаете устройство от именитого бренда, обеспеченное длительной гарантией «на весь срок службы» и вполне адекватной стоимостью, если учитывать еще и наличие подсветки.

Если сравнивать Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16 с такими же модулями, но без подсветки (HX432C16FB3K2/16), то разница получается довольно ощутимой (около $15).

Сама подсветка очень достойная и функциональная, тут уже смотрите сами, что для вас важнее…

Характеристики Kingston HyperX FURY DDR4 RGB HX432C16FB3AK2/16
Заявленная частота:	3200 МГц
Профиль XMP1:	3000 МГц, 15-17-17-36, 1,35 В
Профиль XMP2:	3200 МГц, 16-18-18-36, 1,35 В
Объем одной планки памяти:	8 ГБ
Модули памяти в комплекте:	2 × 8 ГБ (16 ГБ суммарно)
Радиаторы на микросхемах:	да
Микросхемы памяти:	Hynix DJR (D-die)
Дополнительные особенности:	управляемая RGB-подсветка
Поставщик:	Представ-во Kingston в Украине
Цена:	$107

Оценка:

+ радиаторы на чипах памяти

+ одноранговая компоновка

+ адекватная стоимость, учитывая наличие RGB-подсветки

+ гарантия «на весь срок службы»

+ функциональная RGB-подсветка

– в редких случаях увеличенная высота модулей может привести к сложностям при установке габаритной системы охлаждения процессора

– нет встроенных датчиков температуры

evo
Инженер тестовой лаборатории

Обзор комплектов памяти Crucial Ballistix DDR4-3600 16 ГБ и Ballistix MAX DDR4-4000 16 ГБ

Скоростной оперативной памяти обязательно найдется место в мощных настольных ПК. Для игроков это возможность повысить fps, энтузиастам разгона – хороший объект для экспериментов, ну, и для эстетов – возможность добавить визуальную изюминку своей системе. Модули памяти с повышенными рабочими частотами ныне актуальны для платформ Intel и AMD. Сегодня у нас на экспресс-обзоре пара «игровых» комплектов от известного производителя – Crucial Ballistix DDR4-3600 и Crucial Ballistix MAX DDR4-4000.

от 2 617 грн

Предложений: 15

от 6 531 грн

Предложений: 2

Американский полупроводниковый гигант Micron Technology в отдельном представлении не нуждается. Один из крупнейших производителей чипов оперативной и флеш-памяти уже несколько лет предлагает под брендом Crucial востребованные и популярные на рынке модули памяти, а также твердотельные накопители различных форматов.

Линейка Crucial Ballistix

В начале нынешнего года компания обновила линейку модулей оперативной памяти Crucial Ballistix. Для очередного поколения планок используются чипы Micron E-die с повышенным частотным потенциалом и низкими задержками. Для модулей применяются радиаторы с низким профилем и тремя цветовыми окрасами (черный, красный, белый), а также предлагаются варианты с дополнительной RGB-подсветкой.

Серия включает двухканальные комплекты от DDR4-2400 до DDR4-3600 объемом от 8 ГБ (2х4 ГБ) до 64 ГБ (2×32 ГБ). Длинный перечень возможных вариантов представлен на странице производителя. Из любопытных деталей отметим, что набор общим объемом 8 ГБ доступен только в базовом варианте DDR4-2400 c черными радиаторами. Модули с красными и белыми охладителями имеют штатные режимы от DDR4-2666, а модификации с дополнительной подсветкой предлагаются в наборах от DDR4-3000 и выше.

Crucial Ballistix DDR4-3600 16 ГБ (BL2K8G36C16U4B)

от 2 617 грн

Предложений: 15

К нам на тестирование попал один из топовых наборов новой линейки – двухканальный комплект Crucial Ballistix DDR4-3600 (BL2K8G36C16U4B) общим объемом 16 ГБ (2×8 ГБ). Сразу отметим достаточно низкие штатные тайминги – 16-18-18-38, при напряжении питания 1,35 В.

Память поставляется в картонной коробке, для дополнительной защиты при транспортировке используется прозрачный блистер.

Модули получили алюминиевые радиаторы для улучшений охлаждения микросхем памяти и печатной платы. В данном случае это низкопрофильные алюминиевые пластины, минимально увеличивающие габариты планок. Анодированные в черный цвет охладители универсальны в плане внутреннего оформления системного блока. Зачастую такие вписываются в любую композицию.

Обратим внимание на достаточно компактные размеры модулей – 133,34×39,17×7,18 мм. Они подойдут для платформ с габаритными воздушными системами охлаждения.

На лицевой стороне симметричного радиатора нанесено обозначение линейки Ballistix, а надпись «Crucial by Micron» еще раз подчеркивает принадлежность бренда американскому производителю.

С обратной стороны кроме логотипа также размещен компактный стикер с информацией об объеме модуля, рабочем режиме и заданных параметрах XMP-профиля. Кроме того, здесь же указано, что сами модули собраны в Мексике.

При использовании единственного прошитого XMP-профиля, для комплекта устанавливается режим DDR4-3600 с формулой задержек 16-18-18-38 при напряжении питания 1,35 В. Это очень достойная комбинация параметров. Тайминги лишь слегка выше, чем у топовых дорогостоящих комплектов в этом классе.

Двухканальный комплект DDR4-3600 – отличный вариант для платформы процессоров Ryzen 3-го поколения. При дополнительном повышении частоты работы контроллера памяти используется понижающий множитель для Infiniti Fabric, что в конечном итоге лишь увеличивает задержки.

Для ПК на Intel это также очень достойный вариант, но стоит напомнить, что скоростные модули можно использовать лишь совместно с материнскими платами на чипсетах Intel Z-серии (Z370/Z390/Z490).

Согласно показаниям диагностической утилиты Thaiphoon Burner, для модулей используются обещанные чипы Micron E-die (MT40A1G8SA-075E). Микросхемы были произведены по 19-нанометровому техпроцессу американском городе Бойсе.

Даже не снимая радиаторные пластины, очевидно, что в случае с 16-гигабайтовым комплектом Crucial Ballistix DDR4-3600 (BL2K8G36C16U4B) мы имеем дело с одноранговыми модулями. В данном случае не предусмотрена возможность мониторинга температуры, а для планок используется 8-слойная PCB.

Штатный режим DDR4-3600 (16-18-18-38, 1,35 В)

Конечно в штатном режиме стабильность работы набора не вызывает каких-либо вопросов. Трансферы ожидаемы для DDR4-3600. Согласно AIDA64 имеем порядка 50 ГБ/с для чтения, около 52 ГБ/с на запись.

Мы тестировали комплект на платформе Intel с материнской платой ASUS Maximus X HERO (Intel Z390), позволяющей поэкспериментировать с разгоном. Это хорошая возможность даже в экспресс-режиме определить скрытые резервы рассматриваемого набора.

Разгон DDR4-4200 (18-20-20-40, 1,4 В)

Экспериментальным путем удалось выяснить, что модули сохраняют стабильность в режиме DDR4-4200 при использовании формулы задержек 18-20-20-40. При этом напряжение питания также понадобилось повысить до 1,4 В. В целом очень даже приличные показатели.

Линейка Crucial Ballistix MAX

Там, где классическая линейка Ballistix заканчивает, топовая Ballistix MAX только начинает. В серии представлены двухканальные наборы памяти DDR4-4000 и DDR4-4400 объемом 16 и 32 ГБ. Для планок также используются микросхемы Micron E-die.

Все комплекты серии предлагаются только в черном цвете с радиаторами, выполненными из экструдированного алюминиевого профиля, имеющего матовое покрытие. В рамках Crucial Ballistix MAX также предлагаются версии с RGB-подсветкой, однако с иллюминацией доступны лишь наборы DDR4-4000. Из любопытных опций – возможность заменить штатный световод на верхней кромке, используя индивидуальную световую панель. Например, распечатанную на 3D-принтере.

Сrucial Ballistix MAX DDR4-4000 16 ГБ (BLM2K8G40C18U4B)

от 6 531 грн

Предложений: 2

К нам на обзор попал базовый двухканальный набор линейки – DDR4-4000 16 ГБ (2х8 ГБ) c таймингами 18-19-19-39 и напряжением питания 1,35 В. Неплохо так для старта серии.

Уже по внешнему оформлению упаковки несложно догадаться, что речь пойдет об устройствах классом повыше. Набор поставляется в более крупной коробке из твердого картона с дверками на магнитных застежках и прозрачным окошком, позволяющим рассмотреть модули. Внутри модули фиксируются в защитном демпфирующем блистере.

По внешнему виду просматривается родство модулей с таковыми из классической линейки Ballistix, но конструктивных отличий также достаточно. Планки MAX-модификации получили составные радиаторные блоки, выполненные из экструдированного алюминиевого профиля. Модули заметно массивнее базовых, но в то же время они идентичны с последними по высоте. Это особенно важно при использовании воздушных кулеров с крупными радиаторными блоками. Заявленные габариты планок – 133,34×39,17×8,48 мм. То есть они почти на 1,5 мм толще стандартных Ballistix. При этом утолщенные радиаторы заметно добавляют вес.

В данном случае используется составная конструкция с основными блоками теплоотвода, декоративными боковыми рамками и верхним торцевым кронштейном, который в RGB-варианте заменяется полупрозрачным световодом.

В целом модули выглядят лаконично, нет никакого визуального перегруза и избыточных аляповатостей.

Как и в случае с базовыми модулями, на обратной стороне кроме выгравированного логотипа имеются стикеры с базовой информацией об объеме модуля, таймингах и напряжении питания. Там же упоминание о финальной мексиканской сборке.

Приложение Thaiphoon Burner сообщает нам о том, что для комплекта используются те же микросхемы памяти, что и для классических Ballistix DDR4-3600 – Micron E-die (MT40A1G8SA-075E). Важное отличие – наличие датчика, позволяющего мониторить температуру модуля с довольно высокой точностью (0,25С). Это одна из особенностей Ballistix MAX, которую особо отмечают разработчики. Не назовешь это опцией первой важности для модулей памяти, но возможность оценить нагрев планок может быть полезна Особенно, когда речь идет о разгоне.

Штатный XMP-профиль задает искомый режим DDR4-4000 с формулой таймингов 18-19-19-39. Для такой рабочей частоты и комбинации задержек напряжение питания в 1,35 В выглядит многообещающе.

Штатный режим DDR4-4000 (18-19-19-39, 1,35 В)

По результатам тестов комплекта в заданном режиме с помощью AIDA64 имеем трансферы на уровне 54–55 ГБ/c. Платформа Intel конечно радует общей невысокой задержкой работы с памятью (~ 45 нс).

Для настройки и мониторинга параметров модулей производитель предлагает воспользоваться фирменной утилитой Ballistix MOD. В большей мере приложение будет полезно для управления подсветкой моделей, оснащенных RGB-светодиодами. Для обычных модулей доступна информация из SPD. Кроме того, для оснащенных термодатчиками Ballistix MAX может быть полезна вкладка Temperature c фактическими значениями температур.

Для интересующихся есть возможность вывести на рабочий экран отдельный виджет с этими показателями и даже сохранять показатели в log-файле.

Разгон DDR4-4300 (18-20-20-40, 1,45 В)

А что же у этого комплекта с разгоном? Теоретически, частотный потенциал должен быть как минимум не хуже, чем у комплекта Ballistix DDR-3600. Действительно, DDR4-4200 нам удалось получить непринужденно. Более того, возможности для форсажа Ballistix MAX оказались чуть лучше. Повысив напряжение питания до 1,45 В, удалось получить стабильную работу набора в режиме DDR4-4300 (18-20-20-40). Но в нашем случае это было уже предельное значение. Ни дальнейшее повышение вольтажа, ни увеличение задержек не позволяло запустить платформу c оперативной памятью DDR4-4400.

Любопытно, что старший набор в линейке Crucial Ballistix MAX как раз работает в режиме DDR4-4400 (19-19-19-43). Наверняка для таких комплектов также используются все те же микросхемы Micron E-die, но для топовых модулей чипы тщательнее отбираются. Что конечно же влияет на конечную стоимость модулей. Впрочем, стоимость памяти с гарантированными DDR4-4000+ в целом достаточно высока, настолько скоростные модули все еще остаются отдушиной для энтузиастов.

Плюсы: Высокие рабочие частоты; хорошие схемы таймингов; микросхемы Micron E-die с улучшенным частотным потенциалом; дополнительное охлаждение чипов; доступны модификации с управляемой RGB-подсветкой; наличие термодатчиков у Ballistix MAX

Минусы: Стоимость комплекта Crucial Ballistix MAX DDR4-4000

Вывод: По результатам тестов новых модулей Crucial можем говорить о достойном пополнении ассортимента скоростных комплектов DDR4. Чипы памяти Micron E-die заметно улучшили частотный потенциал модулей, позволяя производителю предложить наборы для самых требовательных покупателей. Наконец-то здесь появляется конкуренция топовым модулям на базе корейских микросхем DRAM. Особенно отметим Crucial Ballistix DDR4-3600, предлагающий хороший баланс характеристик и цены, а также приличный запас для дальнейшего ускорения. Crucial Ballistix MAX DDR4-4000 в целом больше подойдет владельцам платформ на Intel. Комплект подкупает гарантированными повышенными частотами, наличием термодатчиков и эффективными радиаторами, но за такие опции приходится заметно доплачивать.

Обзор и тест оперативной памяти Neo Forza Faye DDR4-4400 2x16Gb — i2HARD

Оверклокерский комплект оперативной памяти Neo Forza Faye DDR4-4400 с двухранговой компоновкой 2x16Gb.

Компания Neo Forza на рынке компьютерных комплектующих зарекомендовала себя в первую очередь как производитель недорогой и доступной оперативной памяти. Продукция данного вендора прежде отличалась заурядными техническими характеристиками, но все решала низкая цена. Однако разбить эти стереотипы может оверклокерский комплект оперативной памяти Neo Forza Faye DDR4-4400 с двухранговой компоновкой 2x16Gb, продажи которого начались совсем недавно. Используя отборные чипы Hynix, кит Neo Forza Faye DDR4-4400 готов составить конкуренцию решениям других производителей. Как эта память за $325 работает и разгоняется на платформах AMD и Intel, выясним по ходу данного обзора.

Технические характеристики

Производитель: Neo Forza
Линейка: Faye
Модельный номер: NMUD416E82-4400GG20
Тип памяти: DDR4
Объем памяти: 2 x 16 = 32 Гб
Частота: 4400 МГц
Тайминги: 19-26-26-46
Напряжение: 1.45 В
Профиль XMP: 4400 МГц (19-26-26-46, 1.45 В)
Профиль JEDEC: 2666 МГц (19-19-19-43, 1.20 В)
Охлаждение: радиаторы
Гарантия: пожизненная

Упаковка и комплектация

Комплект оперативной памяти Faye DDR4-4400 поставляется в прозрачной блистерной упаковке, внутри которой находятся только модули памяти и ничего лишнего. Согласно информации официального сайта Neo Forza на данный кит распространяется пожизненная гарантия производителя.

Внешний вид и дизайн

Модули памяти Faye DDR4-4400 оснащаются габаритными радиаторами со стильным оформлением в виде логотипа производителя. Высота планок этой серии с учетом элементов охлаждения составляет 44 мм. Использовать такие габаритные охлаждающие пластины обязывает высокая рабочая частота и напряжение 1.45В.

С одной стороны модулей памяти на радиаторах охлаждения присутствует наклейка, на которой указана информация о модели набора, рабочей частоте, напряжении и значении тайминга CL.

Радиаторы охлаждения на Faye DDR4-4400 выполнены таким образом, что практически полностью покрывают все микросхемы памяти. Узорное оформление на поверхности алюминиевых пластин представляет собой неокрашенные поверхности, за счет которых эти детали отдают блеском на свету.

При этом алюминиевые пластины у Faye DDR4-4400 никак не сцеплены друг с другом, что можно иногда наблюдать в решениях других производителей. Такая конструкция оставляет возможность вентиляции PCB и чипов памяти при использовании активного обдува планок памяти.

Снимаем с Faye DDR4-4400 аккуратно одну из охлаждающих пластин, чтобы рассмотреть компоновку элементной базы и общую аккуратность пайки модулей памяти. Построенные по двухранговой компоновке эти 16Гб модули имеют по восемь чипов памяти Hynix с каждой стороны печатной платы.

Установленные на материнскую плату модули Faye DDR4-4400 смотрятся стильно и гармонично. При использовании башенного воздушного кулера Noctua NH-U12S Chromax.black между памятью и вентилятором даже остается немного запаса свободного пространства.

Тестовые стенды

AMD Socket AM4

Процессор	AMD Ryzen 7 5800X
Материнская плата	Gigabyte B550i Aorus Pro AX
Видеокарта	Sapphire AMD Radeon RX 6800 XT
Термоинтерфейс	Arctic MX-2
Корпус	Corsair 540 Air
Накопитель	M. 2 SSD Samsung 970 Pro 512 Гб
Блок питания	Corsair RM850x мощностью 850 Вт
Кулер	Noctua NH-U12S Chromax.black
Монитор	ASUS PB298Q, 29″, 2560×1080, IPS
Система	Windows 10 Pro 64-bit 20h3

Для изучения оверклокерских возможностей Faye DDR4-4400 на платформе AMD мы использовали процессор Ryzen 7 5800X и материнскую плату Gigabyte B550i Aorus Pro AX с BIOS версии F13g.

Intel LGA1200

Процессор	Intel Core i9-11900k
Материнская плата	Gigabyte Z590i Aorus Ultra
Видеокарта	Sapphire AMD Radeon RX 6800 XT
Термоинтерфейс	Arctic MX-2
Корпус	Corsair 540 Air
Накопитель	M.2 SSD Samsung 970 Pro 512 Гб
Блок питания	Corsair RM850x мощностью 850 Вт
Кулер	Noctua NH-U12S Chromax. black
Монитор	ASUS PB298Q, 29″, 2560×1080, IPS
Система	Windows 10 Pro 64-bit 20h3

Тестовый стенд Intel был представлен комбинацией процессора Core i9-11900k и материнской платы Gigabyte Z590i Aorus Ultra.

Информация о модулях

Первое, что необходимо выяснить о тестируемом комплекте оперативной памяти Faye DDR4-4400 — это наличие XMP профилей и другую техническую информацию. Согласно программе CPU-Z в SPD модулей памяти зашит один XMP профиль DDR4-4400 c таймингами 19-26-26-46 и рабочим напряжением 1.45В.

Техническую информацию этого же характера только намного более подробно раскрывает популярная утилита AIDA64. По предоставленным данным видно, что двуранговый кит Faye DDR4-4400 произведен на 42-й неделе 2020 года. Помимо XMP профиля DDR4-4400 присутствует также JEDEC профиль DDR4-2666 с таймингами 19-19-19-43 и рабочим напряжением 1.20В.

Исчерпывающий ответ на то, какие именно чипы памяти использованы в скоростном комплекте Faye DDR4-4400, не дает даже демонтаж радиатора одного из модулей памяти. Лишь маркировка на микросхемах чипов и сетка таймингов 19-26-26-46 с рабочим напряжением 1.45В позволяет предполагать, что сюда производитель установил отборные Hynix D-Die.

Разгон и тестирование производительности

Исследование оверклокерского потенциала двухрангового комплекта Faye DDR4-4400 мы начали с платформы AMD, а именно работоспособности ОЗУ с профилем JEDEC DDR4-2666. Данный режим работы нам был необходим для понимания того, какой минимум производительности можно получить с обычными двухранговыми модулями памяти бюджетного сегмента. Результаты получились вполне ожидаемыми.

Далее мы перешли к разгону комплекта Faye DDR4-4400, взяв в качестве привязки значение CAS Latency (tCL) = 16. Настраивая детально ОЗУ с двухранговой компоновкой, нам удалось добиться впечатляющих результатов для Faye DDR4-4400. Память получилось настроить в режим работы DDR4-3800 с таймингами 16-22-20-42-1T с выключенным Gear Down Mode (GDM). Тонкой настройке также подверглись вторичные и третичные тайминги Faye DDR4-4400, что позволило в конечном счете получить 57 нс латентности с процессором Ryzen 7 5800X.

Вторым условием для комплекта памяти Faye DDR4-4400 стала настройка ОЗУ при максимально возможной тактовой частоте MCLK, FCLK и UCLK в синхронном режиме. Зная, что наша тестовая связка из процессора Ryzen 7 5800X и материнской платы Gigabyte B550i Aorus Pro AX позволяет использовать режим работы памяти до DDR4-4133, именно на этот рубеж и был выдержан ориентир.

Для стабильной работы на столь высокой частоте пришлось включить Gear Down Mode (GDM), а также немного увеличить напряжение VSOC до 1.17В. При этом итоговые тайминги составили 18-24-22-44-1Т при напряжении 1.45В. Также были ужаты вторичные и третичные тайминги ОЗУ. Как итог, существенно выросла пропускная способность комплекта памяти Faye DDR4-4400, а латентность удалось сохранить в рамках 57 нс.

Что дала тонкая настройка двухрангового комплекта памяти Faye DDR4-4400 на платформе AMD, наглядно демонстрируют результаты производительности системы в рабочих и игровых приложениях. В последних мы намеренно использовали разрешение монитора 720p, чтобы показать влияние на быстродействие системы в играх от тюнинга ОЗУ.

Далее мы перешли к изучению разгонного потенциала двухрангового комплекта памяти Faye DDR4-4400 на новой платформе Intel с процессором архитектуры Rocket Lake. Данная линейка CPU, появившаяся в продаже весной 2021 года, получила новый контроллер оперативной памяти с синхронным (Gear1) и асинхронным (Gear2) режимом работы памяти. О нюансах работы контроллера памяти Rocket Lake мы рассказывали в недавнем материале по Intel Core i5-11400 и Intel Core i5-11500.

Забегая вперед, хочется отметить, что разгон модулей памяти Faye DDR4-4400 мы обязательно оценим в обоих режимах Gear1 и Gear2, но для начала посмотрим на производительность тестируемой ОЗУ с JEDEC профилем DDR4-2666. Эта контрольная точка будет отправной при сравнении быстродействия после разгона ОЗУ.

Первым испытанием для Faye DDR4-4400 стал разгон двухрангового комплекта в синхронном режиме (Gear1) работы контроллера памяти. Для тестового Intel Core i9-11900k предельным значением для Gear1 является DDR4-3733, поэтому на данный режим и была настроена память Faye DDR4-4400. На этой частоте нам удалось выставить тайминги 15-20-20-35-1Т, попутно ужав вторички и третички. Для сохранения стабильности напряжение на ОЗУ пришлось увеличить свыше психологического барьера в 1.50В, но результат того стоил.

Перевод контроллера памяти процессора в режим Gear2 позволил оверклокерским модулям Neo Forza «взлететь» на заявленный XMP профилем рубеж DDR4-4400. Однако, поработав с первичными, вторичными и третичными таймингами, мы смогли настроить Faye DDR4-4400 на более агрессивный режим работы. С напряжением более 1.50 В двухранговый комплект ОЗУ сохранил стабильность с таймингами 18-24-24-42-1Т, позволив оперативной памяти демонстрировать внушительную пропускную способность при умеренной латентности в 52 нс.

Как и в случае с предыдущей платформой, мы оценили производительность двухрангового комплекта Faye DDR4-4400 в ряде рабочих и игровых бенчмарков на системе с процессором Intel. Малую сумятицу лишь привнесли последние критические обновления Windows 10, вследствие которых графическая производительность системы с Core i9-11900k в некоторых играх оказалась заметно ниже, чем на платформе AMD с Ryzen 7 5800X. Однако изменение быстродействия вследствие разгона памяти Faye DDR4-4400 все равно было наглядно продемонстрировано.

Заключение

Протестированный комплект оперативной памяти Neo Forza Faye DDR4-4400 с двухранговой компоновкой 2x16Gb оставил о себе положительные впечатления после экспериментов с разгоном. В данном наборе ОЗУ действительно есть заявленная планка в DDR4-4400, которая до этого момента не наблюдалась в продукции Neo Forza. Тщательный отбор чипов памяти Hynix, а также наработанный опыт производства продукции подобного рода позволили компании Neo Forza вступить в лигу производителей скоростных наборов памяти. И как показало наше тестирование, в случае с двухранговыми модулями Faye DDR4-4400 это вполне удалось.

Однако учитывая архитектуру процессоров последних поколений и особенности работы контроллеров памяти этих CPU, возникает вопрос, насколько Faye DDR4-4400 с их высоким частотным потенциалом применимы на практике? Для лучших экземпляров Ryzen 5000 лимитирующим будут режимы DDR4-4133 и DDR4-4200, а в случае с новыми процессорами Intel Core семейства Rocket Lake и вовсе режим DDR4-3733 (DDR4-3866 в редких случаях). В этих случаях пользователю придется смириться с архитектурными ограничениями новых платформ и настраивать Faye DDR4-4400 вручную. Что мы и продемонстрировали по ходу данного обзора. В обоих случаях тонкий тюнинг двухрангового комплекта Faye DDR4-4400 позволил добиться впечатляющей производительности. Но будет ли подобной настройкой заниматься обычный пользователь, который привык лишь активировать профиль XMP и ничего более, вопрос сложный.

Где оверклокерский комплект памяти Neo Forza Faye DDR4-4400 покажет себя в полной красе, так это на системах с процессорами Intel семейств Comet Lake и Coffee Lake (Coffee Lake Refresh). Именно на этих популярных платформах тестируемый комплект ОЗУ получится разогнать в синхронном режиме работы контроллера памяти, получив одновременно максимально возможную пропускную способность и предельно низкие задержки.

Плюсы:

профиль XMP DDR4-4400 с таймингами 19-26-26-46 при 1.45В;
доступная стоимость $325 за комплект с такими частотами;
стильные радиаторы охлаждения;
пожизненная гарантия производителя;
могут гибко настраиваться на обеих платформах Intel и AMD;
Command Rate 1T работоспособен на обеих платформах Intel и AMD.

Минусы:

отсутствие RGB-подсветки;
отсутствие температурных датчиков.

Тест и обзор: G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000 — скоростные планки памяти

В предыдущих тестах планок памяти мы редко добирались до частот выше 4.200 МГц. Но с модулями G.Skill Trident Z Royal, заявленными на 4.000 МГц, мы легко получили данное значение. Тесты разгона памяти G.Skill выполнялись на платформе ASUS Maximus XI Apex.

Данная плата от ASUS дает определенное преимущество: она оптимизирована под разгон памяти, поскольку оснащена всего двумя слотами DIMM. Что позволило оптимизировать прокладку линий на материнской плате, в результате улучшилось качество сигнала и снизились помехи. Но, конечно, придется смириться с недостатком использования всего комплектов всего с двумя планками памяти. А четыре модуля установить не получится. Помимо меньшей гибкости конфигурации, две планки с RGB-подсветкой смотрятся не так хорошо, как четыре. Но это вряд ли разочарует оверклокеров. Зато есть преимущества по разгону, что мы уже отметили в обзоре Corsair Dominator Platinum RGB. Плата отлично подходит для тестов планок памяти 2×8 или 2×16 GB, но если требуются четыре модуля памяти, то лучше выбрать другие варианты.

Планки памяти в данном тесте отлично подходят для материнской платы Maximus XI Apex. Мы уже тестировали комплект G.Skill Trident Z Royal в менее скоростной версии Gold, сейчас мы получили комплект Silver на DDR4-4000. Емкость составляет 2x 8 Гбайт, задержки 17-17-17-37 довольно низкие для такой частоты. Но и цена от 19.700 ₽ довольно высокая. Впрочем, она вполне оправданна, поскольку производителю приходится тщательно отбирать чипы памяти, способные работать на высоких тактовых частотах.

Как и многие high-end комплекты памяти, G.Skill опирается на чипы Samsung B-Die. Они известны способностью работать на высоких тактовых частотах. Менее качественные чипы продаются с заявленной меньшей частотой, а самые лучшие чипы используются для планок памяти DDR4-4000+. Характеристики чипов Samsung B-Die хорошо известны. Для высокой производительности необходим 10-слойный дизайн PCB, уменьшающий взаимные помехи сигнальных линий, что требуется для высоких тактовых частот. G.Skill подчеркивает свою уверенность в качестве планок пожизненной гарантией.

Для тех пользователей, кто не собирается разгонять память вручную, имеется профиль XMP 2.0. G.Skill запрограммировала официально заявленные задержки. Профиль XMP соответствует режиму DDR4-4000 на 1,35 В с задержками 17-17-17-37. В нашем случае плата выставила еще и напряжения VCCSA и VCCIO на 1,35 В, что довольно высоко. Поэтому лучше войти в BIOS после перезагрузки и уменьшить указанные напряжения, даже если выставлен профиль XMP. Поскольку каждый производитель подходит к данному вопросу по-своему, на материнских платах MSI, Gigabyte или ASRock мы не столкнулись с подобным увеличением напряжений.

G.Skill отлично запрограммировала память SPD EEPROM. Есть несколько резервных режимов, с меньшими тактовыми частотами и на 1,2 В. Но серийного номера одноранговых планок не зафиксировано. Впрочем, с тестовыми образцами так бывает довольно часто.

Наши читатели знают, что распределители тепла не являются необходимым условием для высокой производительности. Чипы DRAM никогда не нагреваются до экстремально высоких температур, которые требуют охлаждения. Но распределители тепла смотрятся красиво, они уже превратились в элемент дизайна, как с подсветкой RGB, так и без таковой. Кроме того, они еще и защищают чипы памяти от механических повреждений. В общем, почему бы и нет, особенно с дополнительным монтажом RGB LED.

Планки памяти G.Skill Royal выделяются красивым дизайном, они выпускаются в золотом или серебристом оттенках. Сверху распределителей тепла с зеркальным эффектом имеется RGB-подсветка на восьми RGB LED и стилизация под грани бриллианта. Восемью зонами подсветки можно управлять в фирменной утилите G.Skill, либо можно воспользоваться утилитами производителей материнских плат, а именно ASUS Aura, MSI Mystic Light, Gigabyte RGB Fusion или ASRock Polychrome Sync. Эффектов великое множество, они хорошо смотрятся, даже если вы не относите себя к фанатам RGB. Если же вам по душе дизайн попроще, то обратите внимание на обычные планки Trident Z от G.Skill, которые оснащены алюминиевыми радиаторами.

Высота модулей с распределителями тепла составляет 44 мм, что следует учитывать при оценке совместимости с кулером CPU.

В таблице приведены спецификации планок.

Обзор спецификаций
Производитель и модель	G.Skill Trident Z Royal
Тестируемая версия	2x8GB DDR4-4000 F4-4000C17D-16GTRS
Розничная цена	от 19.700 ₽
Сайт производителя	G.Skill
EPP / XMP	XMP 2.0
Частота и напряжение	4000 МГц @ 1,35 В
Гарантированные задержки	CL17-17-17-37
Чипы памяти	Samsung B-Die 20 нм
Гарантия	Пожизненная
Емкость	16 GB

Тесты производительности

Как обычно, мы начнем с небольшой частоты 3.200 МГц, на которой попытаемся найти минимальные тайминги. Если не указано другое, планки памяти работали от напряжения 1,2 В. Тесты производительности мы выполняли с помощью Sisoft Sandra (Memory Bandwidth), 7-Zip (Compression Benchmark) и Superposition Benchmark. Первый тест очень чувствителен к увеличению частоты памяти, остальные два — уже меньше, поскольку на их результатах сказываются CPU и GPU, которые вносят свой вклад в производительность.

Ниже приведены результаты ранее протестированных комплектов памяти. Для всех тестов, за исключением G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000, мы использовали старую материнскую плату ASRock Z390 Taichi. Поэтому при смене материнской платы результаты могут немного отличаться — особенно в случае пропускной способности памяти Sisoft Sandra.

Результаты тестов 3.200 МГц
Модули памяти	Полученные задержки	Sisoft Sandra Пропускная способность	7-Zip Тест	Superposition Тест
G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000	13-13-13-32 1t	34,25 Гбайт/с	73.064 MIPS	9.637 балл
Corsair Dominator Platinum RGB 2x8GB	14-14-14-28 2t	32,56 Гбайт/с	72.029 MIPS	9.694 балл
Patriot Viper 4 Steel	13-14-14-34 2t	32,56 Гбайт/с	71.690 MIPS	9.371 балл
G.Skill Trident Z Royal DDR4-3200	14-17-17-38 2t	31,45 Гбайт/с	71.262 MIPS	9.681 балл
Inno3D iChill RGB Aura Black	13-13-13-28 2t	33,09 Гбайт/с	72.210 MIPS	9.685 балл
Gigabyte AORUS DDR4	15-17-17-32 2t	31,55 Гбайт/с	70.846 MIPS	9.7682 балл
Team Group T-Force Xcalibur RGB	13-13-13-28 2t	33,2 Гбайт/с	72.210 MIPS	9.694 балл

Похоже, что ASUS может выжимать из планок памяти больше, чем материнская плата ASRock. При задержках, почти идентичных планкам Team Group и Inno3D из нашего предыдущего теста, модули Trident Z Royal DDR4000 показали более высокий уровень производительности. Кроме того, тест 7-Zip тоже показал чуть более высокое значение. Похоже, что плата ASUS показала более высокий уровень производительности благодаря незначительному увеличению частоты CPU и оптимизации вторичных задержек.

Поэтому остается сравнивать планки между собой только по задержкам. И здесь на первое место выходят комплекты Team Group T-Force Xcalibur RGB и Inno3D iChill RGB Aura Black.

Результаты тестов 3.600 МГц
Модули памяти	Полученные задержки	Sisoft Sandra Пропускная способность	7-Zip Тест	Superposition Тест
G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000	14-14-14-34 1t	37,1 Гбайт/с	74.416 MIPS	9.676 балл
Corsair Dominator Platinum RGB 2x8GB	15-16-16-36 2t	35,00 Гбайт/с	72.459 MIPS	9.693 балл
Patriot Viper 4 Steel	15-16-16-36 1t	35,6 Гбайт/с	73.158 MIPS	9.706 балл
G.Skill Trident Z Royal DDR4-3200	16-20-20-40-1t	33,92 Гбайт/с	71.613 MIPS	9.689 балл
Inno3D iChill RGB Aura Black	15-15-15-30 1t	36,0 Гбайт/с	72.872 MIPS	9.683 балл
Gigabyte AORUS DDR4	17-19-19-38 1t	34,48 Гбайт/с	72.400 MIPS	9.685 балл
Team Group T-Force Xcalibur RGB	14-14-14-28 1t	36,48 Гбайт/с	73.491 MIPS	9.697 балл

На 3.600 МГц все протестированные комплекты памяти работали с 1t Command Rate. Интересно, что мы смогли выставить Cas Latency 14, как и с планками Team Group, так что модули G.Skill показали такую же отличную производительность, что и лидер в нашем предыдущем тестировании.

Из-за разных материнских плат производительность сложно сравнивать напрямую. Но и здесь для 1t Command Rate максимальной частотой оставалась 3.600 МГц. На более высоких частотах терялась стабильность. Возможно, нам стоит провести дополнительные оптимизации настроек Maximus XI Apex, чтобы получит 1T CR на более высоких тактовых частотах

Ниже представлены результаты на максимальных тактовых частотах

Результаты тестов — лучшая частота
Модули памяти	Полученные задержки и частоты	Sisoft Sandra Пропускная способность	7-Zip Тест	Superposition Тест
G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000	18-20-20-40 2t 4.600 МГц @ 1,45 В	39,26 Гбайт/с	72.400 MIPS	9.597 балл
G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000	16-16-16-34 2t 4.000 MHz @ 1,35 В	36,74 Гбайт/с	73.121 MIPS	9.554 балл
Corsair Dominator Platinum RGB 2x8GB	16-17-17-34 2t 4.000 МГц @ 1,45 В	37,65 Гбайт/с	73.496 MIPS	9.698 балл
Patriot Viper 4 Steel	16-20-20-40 2t 4.133 МГц @ 1,45 В	36,68 Гбайт/с	74.068 MIPS	9.705 балл
G.Skill Trident Z Royal DDR4-3200	18-20-20-40 2t 3.800 МГц @ 1,45 В	35,2 Гбайт/с	72.023 MIPS	9.695 балл
Inno3D iChill RGB Aura Black	15-17-17-34 2t 4.000 МГц @ 1,45 В	37,85 Гбайт/с	73.105 MIPS	9.704 балл
Gigabyte AORUS DDR4	18-20-20-40 2t 3.700 МГц @ 1,45 В	34,44 Гбайт/с	71.850 MIPS	9.686 балл
Team Group T-Force Xcalibur RGB	16-16-16-32 2t 4.100 МГц @ 1,35 В	36,67 Гбайт/с	73.925 MIPS	9.696 балл

Смена материнской платы позволила нам преодолеть планку 4.200 МГц — модули G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000 заработали на 4.600 МГц. Мы также добавили оптимизированные задержки на 4.000 МГц, поскольку в режиме 16-16-16-34 планки памяти тоже работали довольно быстро. На 4.400 МГц мы получили хорошие задержки 17-18-18-36, так что потенциал разгона планок выше 4.000 МГц есть. Но если сравнить высокие тактовые частоты с работой на 1t Command Rate, то в тестах 7-Zip или Superposition увеличение частоты смысла уже не имеет.

Заключение и рекомендации

Для работы комплекта памяти на частоте выше 4.000 МГц требуется немало усилий: материнская плата должна поддерживать такой режим, а также процессор. Протестированные планки G.Skill Trident Z Royal явно ориентированы не на массовый рынок. Скорее, на оверклокеров, которые желают выжать максимум по частоте памяти. Конечно, было весьма интересно исследовать возможности памяти как по максимальной частоте, так и по минимальным задержкам CL13 в режиме DDR4-3200. По итогам можно сказать, что комплект обеспечивает довольно гибкие возможности оптимизации производительности, которые сводятся не только к максимальной частоте.

Нам было интересно проверить возможности материнской платы ASUS Maximus XI Apex с процессором Core i9-9900K. С предшествующей платформой мы смогли выжать только частоты порядка 4.200 МГц, но на Apex уровень составил 4.600 — 4.700 МГц. Впрочем, некоторые режимы и Apex вытянуть не помогает — например максимальную частоту при 1t Command Rate, которая осталась на уровне 3.700 — 3.800 МГц, что соответствует предыдущей платформе.

Как и можно было ожидать от G.Skill, качество планок памяти безупречно, причем это касается как программирования SPD, так и качества изготовления. Конечно, распределители тепла серебристого цвета и RGB-подсветка с эффектом бриллианта — дело вкуса. Если вам нравится более простой внешний вид, то обратите внимание на обычную линейку Trident Z. Технически RGB-подсветка работает идеально, поскольку G.Skill поддерживает экосистемы производителей материнских плат, в том числе ASUS Aura, MSI Mystic Light и других.

Если вам нужны планки памяти с максимальной тактовой частотой, то на G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000 стоит обратить внимание. Похоже, что с контроллером Intel максимальная производительность обеспечивается на максимальных тактовых частотах в режиме 1t Command Rate. В большинстве случаев здесь подойдут качественные планки DDR4-3600, которые могут работать с 1T CR. В наших тестах данный уровень был предельным и на G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000. Причем модули памяти DDR4-3600 стоят заметно дешевле.

Преимущества G.Skill Trident Z DDR4-4000 2x8GB:

Очень высокая производительность, высокие частоты памяти
Очень низкие задержки даже на высоких тактовых частотах
Очень красивые эффекты RGB
Хорошее программирование SPD и XMP

Недостатки G.Skill Trident Z DDR4-4000 2x8GB:

Благодаря высокой производительности планок памяти G.Skill Trident Z Royal DDR4-4000 мы присуждаем им нашу награду «Отличное железо».

Подписывайтесь на группы Hardwareluxx ВКонтакте и Facebook, а также на наш канал в Telegram (@hardwareluxxrussia).

Обзор ноутбучной оперативной памяти Goodram IRDM SODIMM DDR4 8Gb

Модули оперативной памяти Goodram IRDM SO-DIMM DDR4 8Gb предназначены для установки в ноутбуки. Благодаря высокой пропускной способности, радиатору и низкой задержке они могут с успехом применяться в игровых портативных компьютерах.

Бренд Goodram хорошо известен на просторах российского рынка. Он производит модули оперативной памяти DDR4, твердотельные диски SSD и NVMe для настольных ПК и ноутбуков, а также флэш-накопители и USB-драйвы. Собственно модули SO-DIMM IRDM разработаны специально для геймеров и доступны с емкостью 4, 8 и 16 Гб, частотой 2133/2400/2666/3200 МГц и задержкой CL14-14-14/15-15-15/16-18-18.

Технические характеристики

Память, объем	8 Гб
Поддержка XMP 2.0	+
Тайминги	CL16-18-18
Технология	DDR4
Форм-фактор	SODIMM, 260-контактный
Напряжение питания	1.2 В / 1,35 В
Пропускная способность	21300 МБ/с
Базовая частота	2666 МГц
Макс. частота	3200 МГц

Модули IRDM с потенциалом разгона оснащены специальным радиатором, который обеспечит компьютеру комфортную работу при оптимальных температурах. Благодаря таким радиаторам, используемым ранее для памяти типа DIMM, модули IRDM DDR4 SODIMM остаются холодными даже при ограниченной циркуляции воздуха внутри ноутбука. На все модули памяти IRDM предоставляется пожизненная гарантия.

Физическая установка оперативной памяти в ноутбук — достаточно простой процесс, не намного сложнее, чем на настольном компьютере. Основная проблема, с которой вы столкнетесь, это попытка достичь 3200 МГц, поскольку часть выпущенных ноутбуков не имеют возможности устанавливать профили XMP в BIOS. Впрочем, существуют на рынке и такие модели портативных компьютеров, которые могут автоматически распознавать и устанавливать профиль XMP. Для достижения максимальной скорости память должна работать при напряжении 1,35 В, однако если этого достичь на конкретном ноутбуке невозможно, вы можете запустить память при 1,2 В, но тогда задержка CL составит 22.

Тестирование

Процессор — Intel Core i5-9600KF @4.6ГГц, материнская плата — Z370M; видеокарта RX5700 8Gb; накопитель 1 Гб HDD; блок питания 1500 Вт, операционная система Windows 10 64bit.

AIDA64

3200 МГц, лучшие тайминги, Мб/с (больше — лучше)

Far Cry 5 (встроенный бенчмарк)

FPS, 3200 МГц, лучшие тайминги (больше — лучше)

Red Dead Redemption 2 (встроенный бенчмарк)

FPS, 3200 МГц, лучшие тайминги (больше — лучше)

Выводы

Модули оперативной памяти IRDM SO-DIMM DDR4 8Gb — приемлемый вариант для создания геймерского ноутбука. Они отличаются низкой задержкой, высокой пропускной способностью, радиатором для охлаждения и обладают ограниченной пожизненной гарантией.

Обзор комплекта оперативной памяти DDR4 HyperX Fury с частотой 2133 МГц

Привет, Гиктаймс!

Оперативная память DDR4 получит массовое распространение лишь с выходом шестого поколения процессоров Intel Core с кодовым названием

SkyLake

, но начать знакомство лучше сейчас. Базовой частотой работы этого стандарта станет отметка 2133 МГц, и именно с этого значения стартуют частоты модулей

HyperX Fury

— бюджетной игровой памяти от Kingston. Под катом — информация о производительности, ценах и скромные попытки разгона четырехканального комплекта памяти.

Внешний вид и характеристики оперативной памяти

Коробка стандартная для Kingston/HyperX модулей, черный пластик с возможностью установки как DIMM, так и SO-DIMM планок. Универсальность позволяет использовать единый тип коробки и экономить деньги покупателей, которым не нужно оплачивать капризы дизайнеров.

Снаружи коробочка оклеена стикерами с массой полезной информации. В частности, предлагается прочитать о сертификации под четырехканальный режим работы, о наличии пожизненной гарантии, а также о там, что коробка с модулями запечатана на фабрике и с тех пор никем не открывалась. В нашем блоге уже неоднократно упоминался процесс тестирования на фабрике, так что все написанное на упаковке — чистая правда.

В черной коробочке располагаются 4 модуля в черных радиаторах на черном текстолите. Чем-то детскую страшилку напоминает, но уверяю, что бояться нечего. Радует тот факт, что радиаторы совсем невысокие, а значит не будет проблемы совместимости с большими башенными кулерами. Агрессивный вид выдает геймерскую направленность модулей и будут хорошо выглядеть в корпусах с прозрачной стенкой. Многие игровые материнские платы имеют черно-какую-то расцветку, а значит модули HyperX Fure с высокой долей вероятности органично впишутся в общий дизайн системы.

Наклейка на модуле рассказывает о следующих фактах: штатное напряжение питания модулей — 1,2 В, Собран модуль на Тайване, а HyperX является подразделением Kingston.

Не прибегая к снятию тонких металлических радиаторов с помощью программы AIDA64 (скриншот приведен ниже) можно узнать больше информации о чипах, которые установлены на планки: это чипы производства SK Hynix. Модули совсем свежие — произведены они на 4 неделе 2015 года. Профилей работы прошито предостаточно, но нас интересует только один — XMP на 1067 МГц (он же 2133 МГц) с таймингами 14-14-14-35.

Тестовый стенд и методика тестирования

Процессор: Intel Core i7-5960X
Материнская плата: ASUS Rampage V Extreme
Оперативная память: HyperX Fury DDR4-2133 32 Gb (4*8 Gb)
Системный SSD-накопитель: HyperX Predator PCI-E 480 Gb
Видеокарта: ASUS Radeon R9 290X Matrix
Блок питания: Corsair AX1200i, 1200W
Операционная система: Windows 8.1 Профессиональная (64-bit)

В сети очень много положительных откликов о модулях такой же серии, но с штатной частотой 2400 МГц — дескать, разгоняются до 3000 МГц очень легко, супер выбор за свои деньги и так далее. Естественно, надо проверить младшие модули на разгон, вдруг такая же сладкая жизнь ожидает покупателей HyperX Fury DDR4-2133 МГц.

Лобовая атака в виде изменения множителя без изменения дополнительных настроек принесла повышение до частоты 2400 МГц и том же напряжении. Немного поигрался таймингами, расслабил tRCD, tRP, зато поджал tRAS и tRFC. Окей, сэкономили немного — система работает стабильно.

В дальнейшем (видимо чипы не такие же как в 2400 МГц комплектах) увеличить частоту работы оперативной памяти не получилось, то есть ни изменения страпа, ни поднятие напряжения, ни снижение таймингов не смогло принести стабильную работы на сколь угодно отличных от 2400 МГц частотах. Разумеется, это особенности моего комплекта оперативки, на других системах в других условиях результаты могут быть намного лучше.

Производительность всегда полезно сравнивать с чем-то, чтобы была какая-либо точка отсчета. В этом случае возьмем два состояния одной и той же памяти: DDR4-2133 МГц и 2400 МГц. Номинальный и разогнанный режимы позволяют юзеру оценить прирост от тех действий, которые он производит над своей системой.

Результаты тестов

Набор тестового софта предлагается общепринятый:

AIDA 64 5.20.3400

Cinebench R15

x.264 HD benchmark 5.0.1

AIDA 64

Результаты очень хорошие в абсолютном значении, невысокие тайминги с завода сказываются на стартовой высокой производительности (у некоторых других комплектов такие результаты можно получить только после разгона). Скорость записи практически не изменилась, а скорость чтения стала существенно выше после увеличения тактовой частоты.

Cinebench R15

Cinebench R15 оказался равнодушен к моим стараниям и не оценил небольшого разгона RAM. Тест хорошо реагирует на частоту центрального процессора или на очень существенный прирост частоты оперативной памяти.

x.264 HD benchmark

Кодирование видео отдает предпочтение слегка разогнанной системе, но совсем с небольшим преимуществом. Большая часть данных обрабатывается так же на центральном процессоре, но разница между разными поколениями памяти будет видна лучше, чем небольшой разгон.

Заключение и выводы

С учетом положения на рынке и достаточно высокой совокупной стоимости системы, DDR4 выбирается пользователями особенно тщательно. Благодаря Яндекс.Маркету можно выяснить, что из всего ассортимента комплектов по

32 гигабайта с частотой 2133 МГц

— HyperX Fury DDR4-2133 находится на втором месте по доступности, но с учетом того, что штатный CAS — 14, а не 15 как у самого дешевого комплекта, становится очевидно — что купить. К тому же, всегда есть возможность слегка увеличить производительность за счет разгона.

Наши предыдущие посты:

DDR4 SDRAM — Основные сведения

Введение

DDR4 SDRAM очень распространены в устройствах, использующих ASIC и FPGA. В этой статье мы исследуем основы.

Как выглядит DDR4 SDRAM внутри
Что происходит во время основных операций, таких как ЧТЕНИЕ и ЗАПИСЬ и
Высокоуровневое изображение подсистемы SDRAM, то есть того, что нужно вашей ASIC / FPGA для взаимодействия с памятью DDR4 SDRAM

Физическая структура

Хорошее место для начала — взглянуть на некоторые из основных операций ввода-вывода и понять, каковы их функции.Оттуда мы погрузимся глубже, пока не перейдем к основному блоку, который составляет память DRAM.

Верхний уровень

Как и следовало ожидать, DRAM имеет входы синхронизации, сброса, выбора микросхемы, адреса и данных. В таблице ниже немного подробнее о каждом из них. Это не полный список операций ввода-вывода, здесь перечислены только основные. Потратьте немного времени, чтобы внимательно прочитать, что делает каждый ввод-вывод, особенно вводы двойного адреса.

Рисунок 1: Верхний уровень

Символ	Тип	Функция
RESET_n	Ввод	DRAM активен только тогда, когда этот сигнал высокий
CS_n	Ввод	Память просматривает все остальные входы, только если это НИЗКИЙ.
CKE	Ввод	Часы включены. HIGH активирует внутренние тактовые сигналы, входные буферы устройств и выходные драйверы.
СК_т / СК_с	Ввод	Дифференциальные тактовые входы. Все адресные и управляющие сигналы дискретизируются при пересечении положения CK_t и положения CK_n.
DQ / DQS	Вход	Шина данных и строб данных.Вот как данные записываются и считываются. Строб — это, по сути, флаг достоверности данных.
RAS_n / A16 CAS_n / A15 WE_n / A14	Ввод	Это входы двойного назначения. Когда ACT_n и CS_n имеют LOW, они интерпретируются как биты адреса строки. Когда ACT_n имеет значение HIGH, они интерпретируются как выводы команд, чтобы указать READ, WRITE или другие команды.
ACT_n	Ввод	Активировать ввод команды
BG0-1 BA0-1	Ввод	Группа банков, адрес банка
A0-13	Ввод	Адресные входы

BankGroup, банк, ряд, столбец

На рисунке верхнего уровня показано, как DRAM выглядит снаружи.Если пойти еще дальше, то вот как организована память — в банковских группах и банках.

Рисунок 2: BankGroup и банк

Для READ из памяти вы указываете адрес, а для WRITE вы вводите дополнительно данные. Этот адрес, предоставленный вами, пользователем, обычно называется «логический адрес» . Этот логический адрес преобразуется в физический адрес перед тем, как он будет представлен в DRAM.Физический адрес состоит из следующих полей:

Банковская группа
Банк
Ряд
Колонка

эти отдельные поля затем используются для определения точного места в памяти для чтения или записи.

Спустившись на следующий уровень, вы увидите то, что вы увидите в каждом банке.

Массивы памяти
Декодер строк
Декодер столбца
Усилители чувств

Рисунок 3: Декодирование строк и столбцов

После того, как группа банков и банк были идентифицированы, часть адреса Row активирует строку в массиве памяти.Это называется строкой слов , и ее активация считывает данные из массива памяти в нечто, называемое «Усилители восприятия» . Затем адрес столбца считывает часть слова, которое было загружено в Sense Amps. Ширина столбца называется «битовой линией» .

Ширина столбца стандартна — это 4, 8 или 16 битов, а DRAM классифицируются как x4, x8 или x16 в зависимости от ширины этого столбца.Следует также отметить, что ширина шины данных DQ такая же, как ширина столбца. Итак, для упрощения можно сказать, что DRAM классифицируются на основе ширины шины DQ .

[ Side Note: x16 устройства имеют только 2 группы банков, тогда как x4 и x8 имеют 4, как показано на рисунке 2.]

Время аналогии: Чип DRAM эквивалентен зданию, заполненному файловыми шкафами
Банковская группа Определяет этаж
Адрес банка Определяет картотеку на этом этаже, где находится нужный вам файл
Адрес строки

Рисунок 4: Битовый уровень
Поскольку конденсатор со временем разряжается, информация в конечном итоге исчезает, если конденсатор периодически не обновляется REFRESH ed.Отсюда и происходит буква «D» в DRAM — она относится к Dynamic в отличие от SRAM (статическая оперативная память).
Подписаться
Получайте уведомления о публикации новой статьи!
Модули DRAM
бывают стандартных размеров, и это указано в спецификации JEDEC. JEDEC — это комитет по стандартам, который определяет дизайн и дорожную карту памяти DDR.15 = 32 КБ Количество битов адреса столбца: A0-A9 = 10 бит Количество столбцов в строке = 1 КБ. Ширина каждого столбца = 8 бит Количество банковских групп = 4 Количество банков = 4 Общая емкость DRAM = Кол-во строк x Кол-во столбцов x Ширина столбца x Num.BankGroups x Num.Banks Общая емкость DRAM = 32K x 1K x 8 x 4 x 4 = 4Gb

DRAM Размер страницы
В приведенной выше таблице упоминается Размер страницы . Размер страницы — это, по сути, количество бит в строке.Или, другими словами, это количество бит, загруженных в Sense Amps, когда строка активирована. Поскольку адрес столбца имеет ширину 10 бит, в каждой строке содержится 1К битовых строк. Итак, для устройства x4 количество битов составляет 1K x 4 = 4K бит (или 512B). Точно так же для устройства x8 это 1 КБ, а для x16 — 2 КБ на страницу.
Ранг (Глубинный каскад)
При работе с DRAM вы столкнетесь с такой терминологией, как одноранговый, двухранговый или четырехранговый. Ранг — это самая высокая логическая единица, которая обычно используется для увеличения объема памяти вашей системы.
Допустим, вам нужно 16 ГБ памяти. В зависимости от того, что доступно на рынке и что дешевле, у вас может быть один кристалл памяти 16 ГБ, в этом случае вы бы назвали его одноранговой системой, потому что вам просто нужен 1 сигнал ChipSelect (CS_n) для чтения всего содержимого памяти. . Или вы можете выбрать 2 отдельных дискретных устройства 8 ГБ, припаянных к печатной плате (потому что устройства 2×8 ГБ оказываются дешевле, чем 1×16 ГБ). В этом случае 2 устройства будут подключены к одним и тем же адресам и шинам данных, но вам потребуется 2 ChipSelects для отдельной адресации каждого устройства.Поскольку вам нужно два ChipSelects, эта настройка называется Dual-Rank.
[ Side Note: Еще одна разновидность DRAM, с которой вы можете столкнуться, — это «Dual-Die Package» или DDP. В этом случае у вас будет один чип DRAM, припаянный к плате, но внутри корпуса у него будет стек из 2 кристаллов. Каждый кристалл снова будет иметь общие адреса и линии данных, но будет иметь отдельный выбор микросхем, что делает его устройством Dual Rank.]
Рисунок 6: Ранг
Ширина каскадирования
Другой пример. Допустим, вам нужна память 8 ГБ, а интерфейс для вашего чипа — x8.Затем вы можете выбрать одно устройство 8 Гбайт x8 или два устройства 4 Гбайт x4 и соединить их каскадом по ширине на печатной плате. При каскадировании ширины обе DRAM подключаются к одной и той же шине ChipSelects, Address и Command, но используют разные части шины данных (DQ и DQS). На рисунке ниже первая DRAM x4 подключена к DQ [3: 0], а вторая — к DQ [7: 4].
Рисунок 7: Каскадирование ширины DRAM
Доступ к памяти
Операции чтения и записи в DDR4 SDRAM ориентированы на пакетную передачу.Он начинается в выбранном месте (как указано в адресе, предоставленном пользователем) и продолжается в течение восьми пакетов или «прерванных» четырех пакетов.
Операции чтения и записи — это двухэтапный процесс. Он начинается с команды ACTIVATE (ACT_n и CS_n устанавливаются в LOW для тактового цикла), за которой затем следует команда RD или WR.
Зарегистрированные биты адреса, совпадающие с командой ACTIVATE, используются для выбора банковской группы, банка и строки для активации (BG0-BG1 в x4 / 8 и BG0 в x16 выбирает банковскую группу; BA0-BA1 выбирает банк; A0-A17 выбирает ряд).Этот шаг также называется RAS — строб адреса строки .
Зарегистрированные биты адреса, совпадающие с командой чтения или записи, используются для выбора местоположения начального столбца для пакетной операции. Этот шаг также называется стробом адреса столбца CAS — .
В каждом банке есть только один комплект Sense Amps. Перед тем как чтение / запись в другую строку того же банка может быть выполнено, текущая открытая строка должна быть деактивирована с помощью команды PRECHARGE.PRECHARGE эквивалентно закрытию текущего ящика для файлов в шкафу, оно вызывает запись данных в Sense Amps обратно в строку.
Вместо выдачи явной команды PRECHARGE для деактивации строки можно использовать команды RDA (чтение с автоматической предварительной зарядкой) и WRA (запись с автоматической предварительной зарядкой). Эти команды говорят DRAM автоматически деактивировать / предварительно зарядить строку после завершения операции чтения или записи. Поскольку в адресе столбца используются только биты адреса A0-A9, бит A10, который не используется во время CAS, перегружается, чтобы указать автоматическую предварительную зарядку.
Таблица истинности команд
Я постоянно говорю о том, что называется «командами» — ACTIVATE command, PRECHARGE command, READ command, WRITE command. Но на самом первом изображении этой статьи нет ввода «Command» в DRAM. Так как же выдаются эти команды?
Что ж, DRAM интерпретирует входные данные ACT_n, RAS_n, CAS_n и WE_n как команды на основе приведенной ниже таблицы истинности.
Функция Короткий код CS_n ACT_n РАС_н / А16 CAS_n / A15 WE_n / A4 A10 / AP
Обновить REF л H л л H H или L
Предоплата в одном банке PRE л H л H л л
Активировать банк ACT л л Адрес строки
Запись WR л H H л л л
Запись с автоподзарядкой WRA л H H л л H
Читать RD л H H л H л
Чтение с автоматической подзарядкой RDA л H H л H H
Таблица истинности частичных команд
Приведенная выше таблица — это только подмножество команд, которые вы можете передать DRAM.Вся таблица истинности команд DDR4 указана в разделе 4.1 спецификации JEDEC JESD79-4B.
Читать
Рисунок 8: Операция READ
На рисунке 8 показана временная диаграмма операции READ с длиной пакета 8 (BL8) .
Первым шагом является команда ACT . Значение на адресной шине в это время указывает адрес строки.
На втором этапе выдается RDA (чтение с автоматической предварительной зарядкой).Значение на адресной шине в это время является адресом столбца.
Команда RDA сообщает DRAM автоматически PRECHARGE банк после завершения чтения
Запись
Рисунок 9: Операция ЗАПИСИ
На рисунке 9 показана временная диаграмма операции WRITE .
Первый шаг активирует строку
Затем выдается 2 команд WRITE .Первый по адресу COL , а второй по адресу COL + 8 .
Вторая операция записи не требует перед ней ACT , потому что строка, в которую мы собираемся записывать, уже активна в Sense Amps
.
Также обратите внимание, что первая команда — это простая команда WR , поэтому строка остается активной. Вторая команда — это WRA , которая деактивирует строку после завершения записи.
[ Боковое примечание: Я кое-что пробрал сюда без особых объяснений.A16, A15 и A14 — не единственные адресные биты с двойной функцией. Команда автоматической предварительной зарядки выдается через A10, и через A12 выбирается режим BurstChop4 (BC4) или BurstLength8 (BL8), если он включен в регистре режима.]
Двойная скорость передачи данных 4 »Примечания к электронике
DDR4 была четвертым поколением SDRAM с удвоенной скоростью передачи данных и обеспечила значительное повышение производительности.
Учебное пособие по памяти SDRAM Включает:
Что такое память SDRAM SDRAM архитектура SDRAM синхронизация и управление DDR / DDR1 SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Стандарт JEDEC 79
Вернуться на: Типы и технологии памяти
DDR4 SDRAM была четвертым поколением SDRAM, которое представило ряд дальнейших разработок для обеспечения более высокой скорости работы.
DDR4 SDRAM была разработана в результате растущей потребности отрасли в более производительной памяти и в данном случае SDRAM. Впервые он был представлен примерно во второй половине 2016 года.
Основы DDR4 SDRAM
DDR4 SDRAM обеспечила значительное улучшение производительности по сравнению с предыдущими чипами DDR3. Краткое изложение некоторых основных характеристик DDR4 SDRAM приведено ниже:
Скорости передачи данных: На момент внедрения DDR4 ожидалось, что пик DDR3 достигнет скорости передачи данных 1.6 гига передач в секунду на пин. Соответственно, это была точка входа для DDR4 SDRAM. Ожидается, что эта скорость передачи увеличится вдвое, то есть до 3,2 гигабайта в секунду, с возможным ее увеличением.
Внутренние банки данных: Внутренние банки увеличены до 16 (4 бита выбора банка) и до 8 рангов на модуль DIMM.
Рабочее напряжение: В микросхемах DDR4 используется источник питания 1,2 В с дополнительным источником 2,5 В для повышения словарной линии, называемого VPP.Это можно сравнить со стандартными 1,5 В микросхем DDR3 с вариантами с более низким напряжением 1,05 В, которые стали доступны после первого внедрения.
Автобус DQ: . Одной из других характеристик производительности, планируемых для включения в стандарт DDR4 SDRAM, является интерфейс псевдо открытого стока на шине DQ.
Ширина данных: DDR4 SDRAM предлагает три значения ширины данных: x4, x8 и x16.
Предварительная выборка: Архитектура DDR4 SDRAM использует предварительную выборку 8n с группами банков.Сюда входят две или четыре выбираемые группы банков. Это позволяет DDR4 SDRAM выполнять отдельные операции активации, чтения, записи или обновления в каждой из уникальных групп банков. Этот метод увеличивает пропускную способность и эффективность памяти. Он особенно подходит для приложений памяти, где требуется небольшой уровень детализации.
Дифференциальная сигнализация: Для DDR4 SDRAM линии синхронизации и стробирования используют дифференциальную сигнализацию.
Обновления протокола: Различные изменения протокола были внесены в память DDR4:
Четность на шине команд / адресов
CRC на шине данных
Независимое программирование отдельных модулей DRAM на DIMM, чтобы обеспечить лучший контроль за оконечной нагрузкой на кристалле.
Инверсия шины данных
Спецификация DDR4 определяет стандарты для устройств памяти × 4, × 8 и × 16 емкостью 2, 4, 8 и 16 Гиб.
Другие электронные компоненты:
Резисторы Конденсаторы Индукторы Кристаллы кварца Диоды Транзистор Фототранзистор Полевой транзистор Типы памяти Тиристор Разъемы ВЧ разъемы Клапаны / трубки Аккумуляторы Переключатели Реле
Вернуться в меню «Компоненты».. .
Все задачи и преимущества дизайна — Rambus
Последнее обновление: 18 января 2021 г. 14 июля ^г. г. JEDEC объявила о публикации стандарта JESD79-5 DDR5 SDRAM, сигнализируя о приближающемся переходе отрасли к использованию двух серверов DDR5. -встроенные модули памяти (DIMM). Память DDR5 обеспечивает ряд ключевых преимуществ в производительности и энергопотреблении, а также позволяет решать новые задачи проектирования. Архитекторы, дизайнеры и покупатели серверных систем хотят знать, что нового в DDR5 по сравнению с DDR4 и как они могут получить максимальную отдачу от этого нового поколения памяти.
В этой статье:

Какие изменения в DDR5 и DDR4?
Шесть наиболее значительных улучшений в спецификациях, достигнутых при переходе от модулей DIMM DDR4 к DDR5, показаны в таблице 1 ниже.
Таблица 1. DDR5 и DDR4: преимущества DDR5 перед модулями DIMM DDR4
1. DDR5 масштабируется до 6,4 Гбит / с
Пропускной способности памяти никогда не бывает, и DDR5 помогает удовлетворить эту ненасытную потребность в скорости. В то время как модули DDR4 DIMM достигают максимальной скорости 3,2 гигабит в секунду (Гбит / с) при тактовой частоте 1.6 гигагерц (ГГц), исходная DDR5 обеспечит увеличение пропускной способности на 50% до 4,8 Гбит / с. Память DDR5 в конечном итоге удвоит скорость передачи данных DDR4 DRAM, достигнув 6,4 Гбит / с. Новые функции, такие как Decision Feedback Equalization (DFE), были включены в DDR5, что позволило повысить скорость ввода-вывода.
2. Более низкое напряжение означает более низкую мощность
Вторым важным изменением является снижение рабочего напряжения (VDD), которое приведет к снижению мощности. С DDR5 напряжение DRAM, драйвера тактовой синхронизации (RCD) и буфера данных (DB) падает с 1.С 2 В до 1,1 В. Однако более низкий VDD означает меньший запас помехоустойчивости, который разработчики должны учитывать при реализации.
3. Новая архитектура питания для DDR5
Третье изменение, и самое важное, — это архитектура питания. С модулями DDR5 DIMM управление питанием переносится с материнской платы на сам модуль DIMM. Модули DDR5 DIMM будут иметь микросхему управления питанием (PMIC) на 12 В на DIMM, что позволит повысить степень детализации нагрузки системы. PMIC распространяет 1.Источник питания VDD 1 В, помогающий сохранить целостность сигнала и уровень шума за счет лучшего контроля источника питания на DIMM.
4. DDR5 против архитектуры канала DDR4
Еще одно важное изменение с DDR5, номер четыре в нашем списке, — это новая архитектура канала DIMM. Модули DDR4 DIMM имеют 72-битную шину, состоящую из 64 битов данных плюс восемь битов ECC. С DDR5 каждый DIMM будет иметь два канала. Каждый из этих каналов будет иметь ширину 40 бит: 32 бита данных с восемью битами ECC. При одинаковой ширине данных (всего 64 бита) наличие двух меньших независимых каналов повышает эффективность доступа к памяти .Таким образом, вы не только получаете выгоду от «лежачих полицейских» с DDR5, выгода от более высокой скорости передачи данных в секунду усиливается за счет большей эффективности.
В архитектуре DDR5 DIMM левая и правая стороны модуля DIMM, каждый из которых обслуживается независимым каналом шириной 40 бит, совместно используют УЗО. В DDR4 УЗО обеспечивает два выходных тактовых сигнала на каждую сторону. В DDR5 УЗО обеспечивает четыре выходных тактовых сигнала на каждую сторону. В модулях DIMM наивысшей плотности с модулями DRAM x4 это позволяет каждой группе из 5 модулей DRAM (одноранговые, полуканальные) получать свои собственные независимые часы.Предоставление каждому рангу и полуканалу независимых тактовых импульсов улучшает целостность сигнала, помогая решить проблему низкого запаса шума, возникающую при снижении VDD (из изменения № 2 выше).
5. Увеличенная длина пакета
Пятое важное изменение — длина пакета. Длина пакета DDR4 равна четырем, а длина пакета — восьми. Для DDR5, пакетное прерывание и длина пакета будут увеличены до восьми и шестнадцати, чтобы увеличить полезную нагрузку пакета. Длина пакета, равная шестнадцати (BL16), позволяет одному пакету получить доступ к 64 байтам данных, что является типичным размером строки кэша ЦП.Это можно сделать, используя только один из двух независимых каналов. Это обеспечивает значительное улучшение параллелизма и повышение эффективности памяти при использовании двух каналов.
6. DDR5 поддерживает DRAM большей емкости
Шестое и последнее изменение, которое следует выделить, — это поддержка DDR5 для устройств DRAM большей емкости. С модулями DIMM с буферной микросхемой DDR5 разработчик сервера или системы может использовать модули DRAM с плотностью до 64 Гбайт в одном корпусе. Максимальный объем памяти DDR4 составляет 16 Гбайт DRAM в корпусе с одним кристаллом (SDP).DDR5 поддерживает такие функции, как ECC на кристалле, режим прозрачности ошибок, восстановление после упаковки, а также режимы CRC чтения и записи для поддержки DRAM большей емкости. Очевидно, что влияние устройств с большей емкостью приводит к появлению модулей DIMM большей емкости. Таким образом, в то время как модули DDR4 DIMM могут иметь емкость до 64 ГБ (с использованием SDP), модули DIMM на основе DDR5 SDP в четыре раза увеличивают емкость до 256 ГБ.
Какие проблемы возникают при проектировании DDR5?
Эти изменения в DDR5 вводят ряд конструктивных соображений, касающихся более высоких скоростей и более низких напряжений, что создает новый виток проблем целостности сигнала.Разработчикам необходимо убедиться, что материнские платы и модули DIMM могут обрабатывать более высокие скорости сигнала. При выполнении моделирования на системном уровне необходимо проверить целостность сигнала во всех местах DRAM.
Для проектов DDR4 основные проблемы целостности сигнала были на шине DQ с двойной скоростью передачи данных, при этом меньше внимания уделялось шине командного адреса (CA) с более низкой скоростью. Для проектов DDR5 даже шина CA потребует особого внимания к целостности сигнала. В DDR4 рассматривалось использование выравнивания дифференциальной обратной связи (DFE) для улучшения канала данных DQ.Но для DDR5 приемники шины CA RCD также потребуют опций DFE для обеспечения хорошего приема сигнала.
Сеть подачи питания (PDN) на материнской плате — еще одно соображение, в том числе до DIMM с PMIC. Учитывая более высокие тактовые частоты и скорость передачи данных, вам нужно убедиться, что PDN может справиться с нагрузкой, связанной с работой на более высокой скорости, с хорошей целостностью сигнала и с хорошими чистыми источниками питания для модулей DIMM.
Разъемы DIMM от материнской платы к DIMM также должны будут обрабатывать новые тактовые частоты и скорость передачи данных.По мнению разработчика системы, при более высоких тактовых частотах и скоростях передачи данных вокруг печатной платы (PCB) больше внимания следует уделять конструкции системы с учетом электромагнитных помех и совместимости (EMI и EMC).
Как наборы микросхем интерфейса памяти DDR5 используют преимущества DDR5 для модулей DIMM?
Хорошая новость заключается в том, что микросхемы интерфейса памяти DDR5 улучшают целостность сигналов для командных и адресных сигналов, отправляемых от контроллера памяти хоста к модулям DIMM.Шина для каждого из двух каналов идет к УЗО, а затем разветвляется на две половинки DIMM. УЗО эффективно снижает нагрузку на шину CA, которую видит контроллер памяти хоста.
Микросхемы буфера данных DDR5 уменьшают эффективную нагрузку на шину данных, позволяя использовать DRAM большей емкости на DIMM без снижения задержки.
Rambus предлагает набор микросхем интерфейса памяти DDR5, который помогает разработчикам использовать все преимущества DDR5, решая проблемы целостности сигнала, связанные с более высокими данными, CA и тактовой частотой.
Как признанный лидер в области целостности сигналов (SI) и целостности питания (PI), Rambus имеет 30-летний опыт создания систем с высочайшей производительностью на рынке.
Продолжайте читать другие учебники:
— Полное руководство по реализации и выбору HBM2e
— Объяснение MACsec: От А до Я
— PCI Express 5 vs. 4: Что нового?
— Аппаратный корень доверия: все, что вам нужно знать
Что такое память DDR4?
Двойная скорость передачи данных 4 Синхронная динамическая память с произвольным доступом стала стандартом для ПК с выпуском набора микросхем Intel X99, процессоров Haswell-E и процессоров Intel Core 6-го поколения.DDR4 пришла на смену DDR3, которая была стандартом примерно до 2014 года. Вот что вам нужно знать об оперативной памяти DDR4.
Микрон
Более высокая скорость
Как и каждая итерация стандартов оперативной памяти, DDR4 возникла в первую очередь для обеспечения более высоких скоростей процессоров в компьютерах. DDR3 существовала так долго, что скачки скорости были больше, чем предыдущие скачки в оперативной памяти. Например, на момент появления DDR4 самая быстрая стандартная память DDR3 JDEC работала на частоте 1600 МГц.
Частота памяти DDR4 начинается с 2133 МГц, что на 33% больше.Стандарты JDEC для DDR4 также определяют скорость до 3200 МГц, что вдвое превышает текущий предел DDR3 1600 МГц.
Память
DDR3 доступна на частотах выше 3000 МГц. Однако это разогнанная память, которая не соответствует стандарту и требует более высоких энергопотреблений.
Как и в случае с прыжками других поколений, повышенные скорости также означают увеличение задержек. Задержка относится к промежутку времени между контроллером памяти, выдающим команду, и тем, когда память выполняет ее.Чем быстрее становится память, тем больше циклов требуется для ее обработки контроллером.
При более высоких тактовых частотах увеличенные задержки обычно не влияют на общую производительность из-за увеличения пропускной способности для передачи данных в памяти на ЦП.
Пониженное энергопотребление
Мощность, потребляемая компьютерами, является серьезной проблемой, особенно если смотреть на рынок мобильных компьютеров. Чем меньше энергии потребляют компоненты, тем дольше устройство может работать от батарей.
Как и в случае с каждым поколением памяти DDR, DDR4 уменьшила количество энергии, необходимое для работы. На этот раз уровень упал с 1,5 до 1,2 вольт. Эта разница может показаться незначительной, но она может иметь большое значение для портативных систем.
Можно ли обновить свой компьютер до памяти DDR4?
При переходе от памяти DDR2 к памяти DDR3 архитектура процессора и чипсета была другой. Это означало, что некоторые материнские платы той эпохи могли работать как с DDR2, так и с DDR3 на одной материнской плате.Вы можете приобрести настольную компьютерную систему с более доступной DDR2, а затем обновить память до DDR3 без замены материнской платы или процессора.
Контроллеры памяти в настоящее время встроены в ЦП. В результате нет переходного оборудования, которое могло бы использовать как DDR3, так и новую DDR4. Если вам нужен компьютер, использующий DDR4, вы должны обновить всю систему — или, по крайней мере, материнскую плату, процессор и память.
Новый пакет DIMM был разработан для того, чтобы люди не использовали память DDR4 с системами на основе DDR3.Новый пакет памяти имеет ту же длину, что и предыдущие модули DDR3, но с большим количеством контактов. DDR4 использует 288 контактов по сравнению с предыдущими 240 контактами, по крайней мере, для настольных систем. Портативные компьютеры также имеют аналогичный размер, но с 260-контактной схемой SO-DIMM по сравнению с 204-контактной конструкцией для DDR3.
Помимо расположения выводов, выемка для модулей находится в другом положении, чтобы предотвратить установку модулей в слоты, предназначенные для DDR3.
Спасибо, что сообщили нам!
Расскажите, почему!
Другой Недостаточно подробностей Трудно понять
Банковских групп DDR4 во встроенных приложениях
Функция банковских групп, используемая в DDR4 SDRAM, была заимствована из графической памяти GDDR5.Чтобы понять потребность в группах банков, необходимо понять концепцию предварительной выборки DDR SDRAM. Предварительная выборка — это термин, описывающий, сколько слов данных выбирается каждый раз, когда команда столбца выполняется с памятью DDR. Поскольку ядро DRAM намного медленнее интерфейса, разница устраняется путем параллельного доступа к информации и последующей ее последовательной передачи через интерфейс. Например, DDR3 выполняет предварительную выборку восьми слов, что означает, что каждый раз, когда выполняется операция чтения или записи, она выполняется для восьми слов данных и выходит из или внутрь SDRAM за четыре тактовых цикла по обоим фронтам тактового сигнала для всего восемь последовательных операций.По сути, можно подумать, что для предварительной выборки DDR3 из восьми интерфейс в восемь раз быстрее, чем ядро DRAM.
Обратной стороной предварительной выборки является то, что она эффективно определяет минимальную длину пакета для SDRAM. Например, очень сложно получить эффективную длину пакета из четырех слов при предварительной выборке DDR3, равной восьми. Функция группы банков позволяет разработчикам сохранять предварительную выборку меньшего размера, увеличивая при этом производительность, как если бы предварительная выборка была больше.
Поскольку скорость ядра DRAM существенно не меняется от поколения к поколению, предварительная выборка увеличивалась с каждым поколением DDR, чтобы обеспечить повышенную скорость интерфейса SDRAM.Однако продолжение тенденции с DDR4 потребовало бы, чтобы DDR4 приняла предварительную выборку из шестнадцати. Это изменение сделало бы DRAM намного больше из-за наличия всех проводов, которые должны быть включены. Это сделало бы DRAM слишком дорогими, поэтому дизайнеры сэкономили на расходах, не прибегая к предварительной выборке из шестнадцати. Что еще более важно, предварительная выборка из шестнадцати слов не будет соответствовать размеру строки кэша в 64 байта, который является обычным для современных компьютеров. С 64-битным или 72-битным интерфейсом в типичной вычислительной среде, которая использует 64-байтовую строку кэша, предварительная выборка из восьми вместе с длиной пакета в восемь является лучшим соответствием.Любое такое несовпадение размера строки кэша и длины пакета может отрицательно сказаться на производительности встроенных систем.
Обзор комплекта памяти
XPG SPECTRIX D50 Xtreme DDR4-4800
Spectrix D50 Xtreme — это новейший высокопроизводительный комплект памяти от XPG, отличающийся не только премиальным дизайном, но и высокой частотой до DDR4-5000. Те, кто любит разгон памяти, наверняка заметили, что комплекты высокопроизводительной памяти от XPG в последние годы действительно впечатляют, особенно комплект Spectrix D60G DDR4-3600 CL14, который мы протестировали не так давно.
В отличие от Spectrix D50 для обычных пользователей, у которых есть широкий выбор, Spectrix D50 Xtreme поставляется только в вариантах 2 x 8 ГБ и двух разных скоростях DDR4-4800 и DD4-5000. На этот раз нам удалось заполучить комплект DDR4-4800 благодаря XPG. В этом раунде мы сначала рассмотрим комплект Spectrix D50 Xtreme DDR4-4800 и посмотрим, какие функции вы можете ожидать от такого индивидуального комплекта, как этот.

Технические характеристики
Частота DDR4-4800 DDR4-5000
Задержка класс 19-26-26 класс 19-28-28
Напряжение 1.5 В 1,6 В
Вместимость 2 порта 8 ГБ 2 порта 8 ГБ
Размеры 133,35 x 40,0 x 8,0 мм
Гарантия Ограниченная пожизненная гарантия
Распаковка
Spectrix D50 Xtreme поставляется в упаковке премиум-класса, которая не похожа ни на один из комплектов XPG, которые мы видели в прошлом. Игнорируя тот факт, что отражающая поверхность несколько раздражает, общее ощущение премиум-класса в значительной степени сопоставимо с комплектами памяти премиум-класса, такими как Trident Z Royal.Название действительно напомнило мне T-Force DDR4 Xtreem ARGB, за исключением того, что XPG использует «Xtreme» вместо «Xtreem» для Spectrix D50 Xtreme.
Внутри коробки вы найдете кусок ткани и Spectix D50 Xtreme, который плотно прилегает к толстому куску поролона. Глядя на зеркальную отделку Spectrix D50 Xtreme, можно сразу понять, почему XPG поместила этот кусок ткани в коробку.
XPG Spectrix D50 Xtreme DDR4-4800 CL19
По дизайну радиатор Spectrix D50 Xtreme практически такой же, как и у основного Spectrix D50, за исключением того, что он имеет зеркальное покрытие, очень напоминающее Trident Z Royal.Хотя, на мой взгляд, это выглядит намного лучше, поскольку я не совсем фанат световой полосы с эффектом кристалла и выбора шрифта на Trident Z Royal, хотя комплект очень хорошо сделан.
Поскольку радиатор имеет зеркальное покрытие, это, без сомнения, магнит для отпечатков пальцев, и решение включить кусок ткани в комплект в значительной степени не требует пояснений. После тестирования комплекта в течение некоторого времени мы еще не видели, чтобы краска падала из-за коррозии, как то, что мы видели на нашем Trident Z Royal, но лучше стереть эти отпечатки пальцев как можно больше, чтобы избежать ненужных косметических повреждений на поверхности. с течением времени.
Для этого слайд-шоу требуется JavaScript.
Хотя радиатор довольно толстый по сравнению с некоторыми из тех, что мы видели, по крайней мере, он сделан из металла, а не на 90% световой панели, которую мы видели на Spectrix D60G. Мы не разбирали комплект для этого раунда, так как это на удивление сложно с радиатором, плотно прикрепленным к комплекту, и нагрев комплекта не очень помогает при снятии радиатора.
Поскольку на этот раз разборка радиатора не представляется вариантом, мы будем использовать Thaiphoon Burner, чтобы определить, какие микросхемы памяти используются в Spectrix D50 Xtreme.Поскольку XPG никогда не вмешивается в содержимое SPD, мы видим, что Spectrix D50 Xtreme фактически использует кристалл Hynix DJR вместо кристалла Samsung B, как мы изначально ожидали.
Тестовая система
ЦП AMD Ryzen 9 5950X / Intel Core i9-10900K / Intel Core i7-8700K
Материнская плата ASUS ROG STRIX B550-I Gaming / ROG CROSSHAIR VIII Dark Hero / ROG MAXIMUS X APEX / ROG MAXIMUS XII APEX
Память XPG Spectrix D50 Xtreme
Видеокарта Galax GTX 1660 SUPER в 1 клик OC
Блок питания Cooler Master V1200 Платина
Первичное хранилище Corsair Force MP600 2 ТБ
Вторичное хранилище WD Черный 6 ТБ
Процессорный кулер Охладитель Master MasterLiquid ML360R
Шасси Streacom BC1 Открытый стол
Операционная система Windows 10, 64-разрядная версия
Практический тест
Для этого слайд-шоу требуется JavaScript.
Помимо четырех материнских плат, упомянутых в нашей таблице тестовых систем, мы также протестировали Spectrix D50 Xtreme на некоторых материнских платах X570, B550, Z370, Z390 и Z490, которые мы можем одолжить у друзей, но лишь некоторые из них могут достичь номинальной DDR4- 4800 без особых настроек. В зависимости от списка QVL платы, которую вы используете, некоторые из них могут фактически достичь номинальной DDR4-4800, постепенно увеличивая частоту с более низкой частоты с включенным XMP.
В нашем случае материнские платы, которые находятся в нашем списке, могут без особых проблем достичь номинальной DDR4-4800 по сравнению с остальными, но все равно потребуют некоторых незначительных настроек, таких как повышение напряжения DRAM или некоторые незначительные корректировки временных интервалов.
Хотя платформы AMD и Intel могут поддерживать DDR4-4800, вы все равно получите CL20 на AMD из-за известного поведения округления нечетных чисел в значении задержки CAS до ближайшего четного числа. DDR4-5000 поддерживается как на ROG MAXIMUS XII APEX, так и на ASUS ROG STRIX B550-I Gaming, но используемые нами настройки не рекомендуются для круглосуточного использования из-за высокого напряжения DRAM.
Поскольку большинство протестированных нами материнских плат среднего уровня от AMD и Intel могут работать только до DDR4-4600 CL18, мы не рекомендуем сочетать Spectrix D50 Xtreme с любыми платами среднего или низкого уровня. ярус материнских плат вообще.
Первое впечатление
Поскольку тренд RGB все еще набирает обороты, я сомневаюсь, что вы найдете такой высокопроизводительный комплект, который в настоящее время вообще не поставляется с RGB-подсветкой, серьезно. Поскольку я не являюсь поклонником сумасшедшего освещения RGB, я очень ценю минималистичный дизайн и минималистичный дизайн Spectrix D50 Xtreme. Лично я считаю, что XPG Spectrix D50 Xtreme — один из самых красивых комплектов, которые мы тестировали до сих пор.
Что касается производительности, за исключением заметного увеличения производительности в некоторых тестах, мы не можем увидеть каких-либо значительных улучшений, когда речь идет о реальной игровой производительности.Независимо от платформы, на которой мы работаем, будь то Intel или AMD, заметная разница в производительности для игр, похоже, находится в диапазоне от DDR4-3000 до DDR4-4000. Выход за рамки DDR4-4000 на данный момент не имеет большого значения, поэтому лучше всего придерживаться основных комплектов DDR4-3200, DDR4-3600 или DDR4-4000, если они предназначены только для основных игровых целей.
С точки зрения совместимости Spectrix D50 Xtreme определенно недосягаема, если вы используете материнскую плату среднего или низкого уровня. Для такого специально разработанного высокопроизводительного набора памяти вам придется соединить его с приличной материнской платой и процессором, чтобы иметь возможность работать с его номинальной скоростью.Конечно, все же потребуется небольшая настройка, но, по крайней мере, с настройками это не будет так сложно.
Это в значительной степени обобщает наши выводы о XPG Spectrix D50 Xtreme на данный момент, но мы вернемся с другими тестами, как только в ближайшем будущем мы получим новые процессоры Intel 11-го поколения Core и материнские платы с чипсетом Z590.
Модуль памяти Apple 16 ГБ DDR4 2400 МГц SO-DIMM (2×8 ГБ)
^◊ Ежемесячный платеж Apple Card (ACMI) — это вариант оплаты с годовой процентной ставкой 0%, который можно выбрать при оформлении заказа для определенных продуктов Apple, приобретенных в магазинах Apple Store, Apple.com, приложение Apple Store или позвонив по телефону 1-800-MY-APPLE, при условии утверждения кредита и лимита кредита. См. Https://support.apple.com/kb/HT211204 для получения дополнительной информации о подходящих продуктах. Переменная годовая процентная ставка для Apple Card, отличная от ACMI, варьируется от 10,99% до 21,99% в зависимости от кредитоспособности. Цены по состоянию на 1 апреля 2020 года. Если вы выберете вариант оплаты полной или единовременной оплаты для соответствующей требованиям ACMI покупки вместо выбора ACMI в качестве варианта оплаты при оформлении заказа, эта покупка будет зависеть от назначенной переменной годовой процентной ставки. на вашу Apple Card.Налоги и доставка не включены в ACMI и зависят от переменной годовой процентной ставки вашей карты. Для получения дополнительной информации см. Клиентское соглашение Apple Card. ACMI недоступен для покупок, сделанных в Интернете в следующих специальных магазинах: План покупок для сотрудников Apple; участвующие корпоративные программы покупки сотрудников; Apple at Work для малого бизнеса; Государственные программы, программы для ветеранов и военных закупок или на отремонтированных устройствах. Активация iPhone требуется при покупке iPhone в Apple Store у одного из этих национальных операторов связи: AT&T, Sprint, Verizon или T-Mobile.
* Месячная цена доступна при выборе ежемесячных платежей Apple Card (ACMI) в качестве типа платежа при оформлении заказа в Apple и подлежит утверждению кредита и ограничению кредита. Условия финансирования зависят от продукта. Налоги и доставка не включены в ACMI и зависят от переменной годовой процентной ставки вашей карты. Для получения дополнительной информации см. Клиентское соглашение Apple Card. ACMI недоступен для покупок, совершенных в Интернете в специальных магазинах. Плата за последний месяц за каждый продукт будет равна его покупной цене за вычетом всех других платежей в размере ежемесячного платежа.
Чтобы получить доступ ко всем функциям Apple Card и использовать их, необходимо добавить Apple Card в Wallet на iPhone или iPad с последней версией iOS или iPadOS. Выполните обновление до последней версии, выбрав «Настройки»> «Основные»> «Обновление программного обеспечения». Коснитесь «Загрузить и установить».
Доступно для подходящих кандидатов в США.
Apple Card выпускается Goldman Sachs Bank USA, филиал в Солт-Лейк-Сити.
.

Функция	Короткий код	CS_n	ACT_n	РАС_н / А16	CAS_n / A15	WE_n / A4	A10 / AP
Обновить	REF	л	H	л	л	H	H или L
Предоплата в одном банке	PRE	л	H	л	H	л	л
Активировать банк	ACT	л	л	Адрес строки
Запись	WR	л	H	H	л	л	л
Запись с автоподзарядкой	WRA	л	H	H	л	л	H
Читать	RD	л	H	H	л	H	л
Чтение с автоматической подзарядкой	RDA	л	H	H	л	H	H

Частота	DDR4-4800	DDR4-5000
Задержка	класс 19-26-26	класс 19-28-28
Напряжение	1.5 В	1,6 В
Вместимость	2 порта 8 ГБ	2 порта 8 ГБ
Размеры	133,35 x 40,0 x 8,0 мм
Гарантия	Ограниченная пожизненная гарантия

ЦП	AMD Ryzen 9 5950X / Intel Core i9-10900K / Intel Core i7-8700K
Материнская плата	ASUS ROG STRIX B550-I Gaming / ROG CROSSHAIR VIII Dark Hero / ROG MAXIMUS X APEX / ROG MAXIMUS XII APEX
Память	XPG Spectrix D50 Xtreme
Видеокарта	Galax GTX 1660 SUPER в 1 клик OC
Блок питания	Cooler Master V1200 Платина
Первичное хранилище	Corsair Force MP600 2 ТБ
Вторичное хранилище	WD Черный 6 ТБ
Процессорный кулер	Охладитель Master MasterLiquid ML360R
Шасси	Streacom BC1 Открытый стол
Операционная система	Windows 10, 64-разрядная версия