Спецификация оперативной памяти DDR4 — FAQHard.RU

JEDEC Solid State Technology Association, ранее известная как Electron Devices Engineering Council (JEDEC), является независимой инженерной организацией, полупроводниковой торговли и органом по стандартизации.
На протяжении более 50 лет, JEDEC является мировым лидером в разработке открытых стандартов и публикаций для микроэлектронной промышленности.

Стандартизирующая организация JEDEC Solid State Technology Association представила официальную финальную версию спецификацию стандарта оперативной памяти Synchronous DDR4 (Double Data Rate 4).

Его введения является обеспечение нового уровня производительности оперативной памяти, её надёжности и сокращения уровня энергопотребления.

Память DDR4 включает в себя целый ряд современных достижений, которые позволят новому типу памяти получить широкое распространение в компьютерных устройствах — от бытовых приборов до серверов и еще более мощных компьютерных систем.

Уровень быстродействия на один разъём в DDR4 установлен на 1,6 миллиарда пересылок в секунду, с возможностью в будущем достичь максимального уровня 3,2 млрд/с.
Минимальная рабочая частота памяти DDR4 составляет 2133 МГц до 4266 МГц, что на 1000 МГц больше, чем у своей предшественницы (1333 МГц и 1666 МГц в стандарте прошлого поколения).

Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 x 8 = 17 064 МБайт/с.
Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определенная в стандарте) максимальная пропускная способность составит 4266 x 8 = 34 128 МБайт/с.

Рабочее напряжение понижено: 1,1 В — 1,2 В против 1,5 В в DDR3.
Предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм.

Архитектура DDR4 позволяет осуществлять предварительную выборку 8 бит данных за один такт (8n prefetch) с двумя или четырьмя выбираемыми группами блоков памяти.

Это позволяет устройствам проводить независимые друг от друга операции по активации, чтению, записи и обновлению посредством отдельных блоков памяти.

Все перечисленные возможности, а также еще целый ряд более мелких изменений и нововведений позволили существенно повысить эффективность памяти DDR4.

DDR4 модуль имеет 284 контактов, в то время как у стандартных модулей DDR3 есть только 240 контактов.
В SO-DIMM версии будут представлены 256 контактов, а DDR3 SO-DIMM имеют только 204 контакта.

В спецификациях DDR4 впервые появилось описание работы с памятью в многокристальной упаковке.
Стандартом допускается столбик (стек) из восьми кристаллов.
Причём все кристаллы «вешаются» на общие сигнальные линии.
Сделано это не потому, что так лучше (хотя это действительно упрощает действия по расширению пространства памяти), а по тем причинам, что в целом идеология работы памяти DDR4 — это соединение модулей с контроллерами по схеме «точка-точка».

Каналов будет много, а не два-четыре, поэтому каждому из них необходимо обеспечить максимально возможную производительность, не перегружая при этом механизмы обмена.

В том же ключе надо рассматривать возможность независимой одновременной работы двух или четырёх банков памяти.
Для каждой группы банков архитектурно разрешены одновременно все основные операции, такие как чтение, запись и регенерация.

По прогнозу iSuppli, к 2014 году уровень проникновения на рынок памяти DDR4 составит 12%, к 2015 — 56%.
Однако, производители могут и поторопиться с началом внедрения нового стандарта, побуждаемые желанием поднять цены на свои продукты, которые сейчас находятся на крайне низком уровне.

Micron, например, ещё в мае анонсировала разработку первого полнофункционального модуля и планы по началу их массового производства в конце нынешнего года.
Samsung уже продемонстрировал 284-контактную память PC4-17000 (2133 Мгц).
Остаётся только дождаться их поддержки от Intel и AMD.

Intel планирует начать поддержку DDR4 в начале 2014 года в высокопроизводительных 4-сокетных серверных системах на процессорах Haswell-EX, обычным же пользователям придётся, вероятно, подождать 2015 года, так как ни в 22 нм процессорах Haswell, ни в следующих за ними 14 нм Broadwell поддержка DDR4 не предусмотрена.

Стандарт DDR4 является всего лишь одним из первых шагов на пути к повсеместному внедрению памяти следующего поколения.

В числе областей применения памяти DDR4 названы серверы, ноутбуки, настольные ПК и изделия потребительской электроники.
Вначале DDR4 появится в серверных системах и уже после этого стартует массовое производство такой памяти для потребительских компьютеров.

Оперативная память DDR4. Спецификация

Стандартизирующая организация JEDEC Solid State Technology Association представила официальную финальную версию спецификацию стандарта оперативной памяти Synchronous DDR4 (Double Data Rate 4).

Его введения является обеспечение нового уровня производительности оперативной памяти, её надёжности и сокращения уровня энергопотребления.

Память DDR4 включает в себя целый ряд современных достижений, которые позволят новому типу памяти получить широкое распространение в компьютерных устройствах — от бытовых приборов до серверов и еще более мощных компьютерных систем.

• Уровень быстродействия на один разъём в DDR4 установлен на 1,6 миллиардов пересылок в секунду, с возможностью в будущем достичь максимального уровня 3,2 млрд./с.
• Минимальная рабочая частота памяти DDR4 составляет 2133 МГц до 4266 МГц, что на 1000 МГц больше, чем у своей предшественницы (1333 МГц и 1666 МГц в стандарте прошлого поколения).
• Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c.
• Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определенная в стандарте) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c.
• Рабочее напряжение понижено: 1,1 В — 1,2 В против 1,5 В в DDR3.
• Предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм.

Архитектура DDR4 позволяет осуществлять предварительную выборку 8 бит данных за один такт (8n prefetch) с двумя или четырьмя выбираемыми группами блоков памяти. Это позволяет устройствам проводить независимые друг от друга операции по активации, чтению, записи и обновлению посредством отдельных блоков памяти.

Все перечисленные возможности, а также еще целый ряд более мелких изменений и нововведений позволили существенно повысить эффективность памяти DDR4.

DDR4 модуль имеет 284 контактов, в то время как у стандартных модулей DDR3 есть только 240 контактов.

В SO-DIMM версии будут представлены 256 контактов, а DDR3 SO-DIMM имеют только 204 контакта.

В спецификациях DDR4 впервые появилось описание работы с памятью в многокристальной упаковке. Стандартом допускается столбик (стек) из восьми кристаллов. Причём все кристаллы «вешаются» на общие сигнальные линии. Сделано это не потому, что так лучше (хотя это действительно упрощает действия по расширению пространства памяти), а по тем причинам, что в целом идеология работы памяти DDR4 — это соединение модулей с контроллерами по схеме «точка-точка».

Каналов будет много, а не два-четыре, поэтому каждому из них необходимо обеспечить максимально возможную производительность, не перегружая при этом механизмы обмена. В том же ключе надо рассматривать возможность независимой одновременной работы двух или четырёх банков памяти. Для каждой группы банков архитектурно разрешены одновременно все основные операции, такие как чтение, запись и регенерация.

По прогнозу iSuppli, к 2014 году уровень проникновения на рынок памяти DDR4 составит 12 %, к 2015 – 56 %. Однако, производители могут и поторопиться с началом внедрения нового стандарта, побуждаемые желанием поднять цены на свои продукты, которые сейчас находятся на крайне низком уровне. Micron, например, ещё в мае анонсировала разработку первого полнофункционального модуля и планы по началу их массового производства в конце нынешнего года. Samsung уже продемонстрировал 284-контактную память PC4-17000(2133 Мгц). Остаётся только дождаться их поддержки от Intel и AMD. Intel планирует начать поддержку DDR4 начале 2014 года в высокопроизводительных 4-сокетных серверных системах на процессорах Haswell-EX, обычным же пользователям придётся, вероятно, подождать 2015 года, так как ни в 22 нм процессорах Haswell, ни в следующих за ними 14 нм Broadwell поддержка DDR4 не предусмотрена.

Стандарт DDR4 является всего лишь одним из первых шагов на пути к повсеместному внедрению памяти следующего поколения. В числе областей применения памяти DDR4 названы серверы, ноутбуки, настольные ПК и изделия потребительской электроники. Вначале DDR4 появится в серверных системах и уже после этого стартует массовое производство такой памяти для потребительских компьютеров.

faqhard.ru

DDR4 SDRAM — Википедия

DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — четвёртое поколение оперативной памяти, являющееся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR SDRAM. Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением питания.

Основное отличие DDR4 от предыдущего стандарта DDR3 заключается в удвоенном до 16 числе внутренних банков (в 2 группах банков^[1]), что позволило увеличить скорость передачи внешней шины. Пропускная способность памяти DDR4 в перспективе может достигать 25,6 ГБ/c (в случае повышения максимальной эффективной частоты до 3200 МГц). Кроме того, повышена надёжность работы за счёт введения механизма контроля чётности на шинах адреса и команд. Изначально стандарт DDR4 определял частоты от 1600 до 2400 МГц^[2]

с перспективой роста до 3200 МГц^[3][4].

В массовое производство вышла во 2 квартале 2014 года, сперва только ECC-память,^[5] а в следующем квартале начались продажи и не-ECC модулей DDR4, вместе с процессорами Intel Haswell-E/Haswell-EP, требующих DDR4.^[6]

Разработка

Модуль памяти DDR4

Ранние работы по проектированию следующего за DDR3 стандарта оперативной памяти начались в JEDEC около 2005 года,^[7] примерно за два года до запуска DDR3 в 2007.^[8][9] Основы архитектуры DDR4 планировалось согласовать в 2008 году.^[10]

JEDEC представила информацию о DDR4 в 2010 году на конференции MemCon в Токио^[11]. Судя по слайдам «Time to rethink DDR4»^[12], новинка должна иметь и повышенную эффективную частоту (от 2 133 до 4 266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год

[13]^[14][15].

В январе 2011 года компания Samsung представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 ГБ, а напряжение 1,2 В^{[16][17][18][16]}. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133). Hynix заявила о 80-процентном увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333.

В сентябре 2012 года JEDEC опубликовала финальный вариант спецификации DDR4^[19][20]. Последняя ревизия стандарта DDR4 была принята в ноябре 2013 года, стандарт на LPDDR4 — в августе 2014 года^[21][22].

По оценке компании Intel от апреля 2013 года, уже в 2014 году DDR4 могла бы стать основным типом памяти DRAM, и в 2015 году практически полностью вытеснить используемую ранее DDR3. По данным Intel, DDR4 потребляет на 35 % меньше энергии, чем DDR3L, а по пропускной способности превосходит память предыдущего поколения на 50 %^[23]. Однако внедрение DDR4 началось позднее^[24], и эта память займет большую часть рынка не ранее 2016 года.^[25] В 2017 году продажи памяти DDR4 превзошли модули стандарта DDR3^[26].

Максимальная пропускная способность

Для расчёта максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её эффективную частоту умножить на 64 бита (8 байт), то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти. Таким образом:

• Для памяти с эффективной частотой 1600 МГц (наименьшая частота, определённая стандартом)^[3] максимальная пропускная способность составит 1600 × 8 = 12 800 МБ/c
• Для памяти с эффективной частотой 2133 МГц максимальная пропускная способность составит 2133 × 8 = 17 064 МБ/c^[27]
• Для памяти с эффективной частотой 3200 МГц (наибольшая частота, изначально определённая стандартом) максимальная пропускная способность составит 3200 × 8 = 25 600 МБ/c^[27]

Нужно учитывать, что из-за временны́х ограничений по взаимодействию с микросхемами памяти, в частности для периодической операции обновления содержимого (англ.)русск. (регенерации), реальная пропускная способность меньше на 5—10 %, чем рассчитанная выше.

Современные материнские платы поддерживают многоканальные режимы работы памяти. Таким образом, итоговая эффективная пропускная способность памяти системы будет равняться пропускной способности DDR4, умноженной на количество используемых каналов.

Изначально предполагалось, что для работы DDR4 на максимальных частотах (3200 МГц)^[2] потребуется использование лишь одного модуля памяти DDR4 на канал передачи данных (прямое подключение напрямую к контроллеру с топологией точка-точка^{[28][29][30][31]}). При работе на меньших частотах, например 1866 и 2133 МГц, контроллеры памяти некоторых процессоров, в частности, Skylake (2015), могут использовать до 2 модулей памяти на канал^[32][33]. Для серверных систем используются модули RDIMM DDR4^[34] и ожидается появление модулей LRDIMM DDR4, использующих буферные микросхемы вблизи контактов модуля. Такая память сможет устанавливаться в количестве до 3 модулей на канал, при использовании совместимых платформ.^[35].

Спецификации стандартов

Стандартное название	Частота памяти, МГц	Частота шины, МГц	Эффективная (удвоенная) скорость, млн. передач/с	Название модуля	Пиковая скорость передачи данных, МБ/с	Тайминги CL-tRCD-tRP	Время цикла, нс
DDR4-1600J* DDR4-1600K DDR4-1600L	200	800	1600	PC4-12800	12800	10-10-10 11-11-11 12-12-12	12.5 13.75 15
DDR4-1866L* DDR4-1866M DDR4-1866N	233.33	933.33	1866.67	PC4-14900	14933.33	12-12-12 13-13-13 14-14-14	12.857 13.929 15
DDR4-2133N* DDR4-2133P DDR4-2133R	266.67	1066.67	2133.33	PC4-17000	17066.67	14-14-14 15-15-15 16-16-16	13.125 14.063 15
DDR4-2400P* DDR4-2400R DDR4-2400T DDR4-2400U	300	1200	2400	PC4-19200	19200	15-15-15 16-16-16 17-17-17 18-18-18	12.5 13.32 14.16 15
DDR4-2666T DDR4-2666U DDR4-2666V DDR4-2666W	333.33	1333	2666	PC4-21333	21333	17-17-17 18-18-18 19-19-19 20-20-20	12.75 13.50 14.25 15
DDR4-2933V DDR4-2933W DDR4-2933Y DDR4-2933AA	366.6	1466.5	2933	PC4-23466	23466	19-19-19 20-20-20 21-21-21 22-22-22	12.96 13.64 14.32 15
DDR4-3200W DDR4-3200AA DDR4-3200AC	400	1600	3200	PC4-25600	25600	20-20-20 22-22-22 24-24-24	12.50 13.75 15

Объём модулей

Объём кристалла DDR4 составляет от 2 до 16 Гбит, организация модулей памяти — ×4, ×8 или ×16 банков^[36] Минимальный объём одного модуля DDR4 составляет 4 ГБ, максимальный — 128 ГБ (кристаллы по 8 Гбит, упаковка 4 кристаллов в чип)^[28]. Не исключается производство модулей объёмом в 512 ГБ на базе кристаллов 16 Гбит и упаковке 8 кристаллов в чип.

Размеры модулей

DDR4 имеет 288-контактные DIMM-модули, схожие по внешнему виду с 240-контактными DIMM DDR-2/DDR-3. Контакты расположены плотнее (0,85 мм вместо 1,0), чтобы разместить их на стандартном 5¼-дюймовом (133,35 мм) слоте DIMM. Высота увеличивается незначительно (31,25 мм вместо 30,35).

DDR4 модули SO-DIMM имеют 260 контактов^[37] (а не 204), которые расположены ближе друг к другу (0,5 мм, а не 0,6). Модуль стал на 1,0 мм шире (68,6 мм вместо 67,6), но сохранил ту же высоту — 30 мм.

Прочее

Отраслевой стандарт оперативной памяти DDR4, описанный в DDR4 SDRAM STANDARD JEDEC JESD79-4, не содержит каких-либо сведений о наличии функций аппаратного шифрования информации.^[21]

В сентябре 2014 года были продемонстрированы модули памяти с частотой 3333 МГц (и максимальной пропускной способностью 26 664 МБ/c), что превзошло частоту, изначально определённую стандартом.

В августе 2015 года были продемонстрированы модули памяти с частотой 4233 МГц (и максимальной пропускной способностью 33 864 МБ/c).

Примечания

1. ↑ DDR4 Bank Groups in Embedded Applications / Synopsys DesignWare Technical Bulletin, Graham Allan, Sep. 2012
2. ↑ ^{1 2} DDR4 In A Nutshell, Misconceptions, Cool Features, and DDR5, Synopsys, Navraj Nandra, September 27th, 2012
3. ↑ ^{1 2} ]http://www.anandtech.com/show/4669/jedec-reveals-the-key-aspects-of-ddr4 JEDEC Reveals Key Aspects of DDR4] / AnandTech, Kristian Vättö, August 23, 2011 «DDR4 will start from 1600MHz .. The projected maximum speed for DDR4 is 3200MHz»
4. ↑ Следует учесть, что эффективная частота отличается от частоты тактирования шины. Под эффективной частотой понимается защелкивание данных по переднему и заднему фронтам. В связи с этим, реальная тактовая частота работы шины памяти в два раза меньше относительно эффективной частоты, см илл. Figure 4 из статьи
5. ↑ Crucial DDR4 Server Memory Now Available. globenewswire.com (2 June 2014). Проверено 12 декабря 2014.
6. ↑ How Intel Plans to Transition Between DDR3 and DDR4 for the Mainstream. TechPowerUp. Проверено 28 апреля 2015.
7. ↑ Sobolev, Vyacheslav JEDEC: Memory standards on the way. digitimes.com (31 мая 2005). — «Initial investigations have already started on memory technology beyond DDR3. JEDEC always has about three generations of memory in various stages of the standardization process: current generation, next generation, and future.». Проверено 28 апреля 2011. Архивировано 3 декабря 2013 года.
8. ↑ DDR3: Frequently asked questions. Kingston Technology. — ««DDR3 memory launched in June 2007»». Проверено 28 апреля 2011. Архивировано 28 июля 2011 года.
9. ↑ Valich, Theo. DDR3 launch set for May 9th (2 мая 2007). Проверено 28 апреля 2011.
10. ↑ Hammerschmidt, Christoph Non-volatile memory is the secret star at JEDEC meeting. eetimes.com (29 августа 2007). Проверено 28 апреля 2011.
11. ↑ JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM, 3dnews, 19.08.2010
12. ↑ Gervasi, Bill Time to rethink DDR4. July 2010. Discobolus Designs. Проверено 29 апреля 2011.
13. ↑ JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM. 3DNews (19.08.2010).
14. ↑ Nilsson, Lars-Göran DDR4 not expected until 2015. semiaccurate.com (16 августа 2010). Проверено 29 апреля 2011.
15. ↑ By Annihilator DDR4 memory in works, will reach 4.266GHz. wccftech.com (18 августа 2010). Проверено 29 апреля 2011.
16. ↑ ^{1 2} Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4. 3DNews (04.01.2011).
17. ↑ Компания Samsung начинает поставки памяти типа DDR4
18. ↑ Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3 / Engadget 2011
19. ↑ JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard
20. ↑ Организация JEDEC опубликовала спецификации DDR4 // ixbt.com, 25 Сентября 2012
21. ↑ ^{1 2} JEDEC. JEDEC DDR4 SDRAM STANDARD (JESD79-4A) (Nov 2013 — Aug 2014).
22. ↑ JEDEC утвердила стандарт DDR4 для ноутбуков / Ferra.ru, 27.08.2014
23. ↑ Intel отводит памяти DDR3 один год // ixbt.com, 13 Апреля 2013
24. ↑ Shah, Agam Adoption of DDR4 memory faces delays. IDG News (12 апреля 2013). Проверено 22 апреля 2013.
25. ↑ Shah, Agam. «Adoption of DDR4 memory faces delays», TechHive (IDG), April 12, 2013. Retrieved on June 30, 2013.
26. ↑ DDR4 станет основным типом оперативной памяти в текущем году, IC Insight, 3dnews (17.04.2017). Проверено 21 ноября 2017.
27. ↑ ^{1 2} Scott Mueller. Upgrading and Repairing PCs. Que Publishing. Mar 7, 2013. Table 6.11: JEDEC Standard DDR4 Module (284-PIN DIMM) Speeds and Transfer Rate
28. ↑ ^{1 2} Ferra.ru — Начало новой эпохи. Как работает оперативная память стандарта DDR4 // Ferra.ru, 31.08.2014
29. ↑ Память DDR4: время ли разбрасывать камни? / Процессоры и память
30. ↑ http://www.eda.org/ibis/summits/nov12b/pytel2.pdf «DDR4 architecture is point to point • One controller to 1 DIMM»
31. ↑ http://www.extremetech.com/computing/158824-haswell-e-to-offer-ddr4-support-up-to-eight-cores-in-2014 «Where DDR3 used a multi-drop bus that allowed multiple DIMMs to sit on the same memory channel, DDR4 virtually requires the use of a point-to-point bus with a maximum of one DIMM per RAM channel.»
32. ↑ http://ark.intel.com/ru/products/90591 «Кол-во модулей DIMM на канал 2»
33. ↑ http://www.intel.com/content/www/us/en/processors/core/desktop-6th-gen-core-family-datasheet-vol-1.html «Table 2-1. Processor DRAM Support Matrix — DIMM Per Channel DPC 2»
34. ↑ http://www.jedec.org/sites/default/files/files/Desi_Rhoden_Server_Forum_2014_Final_r1.pdf
35. ↑ LRDIMM vs RDIMM: Signal integrity, capacity, bandwidth | EDN
36. ↑ JESD79-4 — JEDEC STANDARD DDR4 SDRAM SEPTEMBER 2012
37. ↑ http://www.jedec.org/standards-documents/results/ddr4 — 260-Pin, 1.2 V (VDD), PC4-1600/PC4-1866/PC4-2133/PC4-2400/PC4-2666/PC4-3200 DDR4 SDRAM SO-DIMM Design Specification Release Number: 24, Item 2228.07B MODULE4_20_25 Aug 2014

Ссылки

Как выбрать оперативную память DDR4 для компьютера

Наиболее актуальным стандартом оперативной памяти является DDR4. Именно ее поддерживают актуальные процессоры Intel (хотя частичную поддержку DDR3 им тоже оставили). Под DDR4 также будут выходить новые платы для процессоров AMD, которые появятся в начале 2017 года. Как выбрать DDR4 для сборки или нового ПК или апгрейда, чем отличается от нее ОЗУ для ноутбуков, поможет узнать статья.

Читайте также: DDR3 vs DDR4 — а есть ли разница?

Виды памяти DDR4 и их отличия

Перед тем, как выбрать DDR4 память, нужно немного ознакомиться с особенностями этого типа ОЗУ. По сути, память DDR4 — это чипы для поверхностного монтажа методом BGA (массив из шариков припоя), что делает ее универсальной для всех типов электроники, начиная роутерами и заканчивая серверами. Однако для простоты установки, а также сохранения возможности апгрейда, увеличения доступных объемов RAM и всеобщей унификации, в ПК обычно используется модульная конструкция.

Читайте также: Сборка игрового ПК за 10000 грн

Формат

Чипы памяти DDR4 распаиваются на небольших платах,в количестве от 4 до 16 штук. Такие платы именуются DIMM (Double In-line Memory Module — двухсторонний модуль памяти) и оснащаются 284 контактами. Они имеют одинаковые размеры (5,25″ или чуть больше 13 сантиметров), но физически несовместимы с DDR3, так модуль DIMM последней имеет 240 выводов. Кроме того, модули имеют разное расположение специального выреза-ключа, предотвращающего установку платы не той стороной или в несовместимый слот. Модули DIMM — основной тип памяти ОЗУ для настольных компьютеров и серверов.

Читайте также: 7 лучших видеокарт 2016 года до 8000 грн

Для ноутбуков, где выдвигаются повышенные требования к компактности, созданы модули SO-DIMM (Small Outline DIMM — двухсторонний модуль памяти с маленькими выводами). Также подобные платы применяются в моноблоках, неттопах и других видах компактных персональных компьютеров. Они имеют вдвое меньшие, чем DIMM, размеры (6,76 см), а также всего 260 контактных выводов.

Характеристики

Второй критерий, по которому можно классифицировать память DDR4, это ее рабочие характеристики. Основные из них — тактовая частота (и пропускная способность, напрямую с нею связанная), латентность и напряжение.

Читайте также: ТОП-5 ноутбуков для студентов 2016

Тактовая частота и пропускная способность характеризуют быстродействие памяти в режиме последовательных чтения и записи данных. ОЗУ типа DDR4 выпускается с поддержкой частот от 1600 МГц (на практике встречаются очень редко) до 3200 МГц. Наиболее распространены на данный момент частоты 1866 МГц (пропускная способность — 12800 МБ/с), 2133 МГц (17064 МБ/с) и 2400 МГц (19200 МБ/с). Под работу с ними и рассчитано большинство компьютеров.

Читайте также: Цены и характеристики процессоров Intel Kaby Lake опубликованы в США

Латентность CAS — задержка (измеряется в количестве рабочих тактов) между подачей запроса на чтение/запись данных и выполнением этой операции. Этот параметр характеризует быстродействие памяти в режиме чтения/записи в произвольном порядке. Чем меньше значение задержки — тем отзывчивее память. При равных частотах — быстрее будет тот модуль, у которого длительность задержки (латентность) ниже.

Напряжение — питающее напряжение модуля. На данный момент единственное распространенное значение — 1,2 В. Также существует память LPDDR4 (DDR4 с низким потреблением), использующая меньшие напряжения. Она пока не популярна, и применяется только в компактной технике (ультрабуки, планшеты, смартфоны), не поддерживающей ее апгрейд. Недостатком этого типа памяти является сниженное, в угоду экономичности, быстродействие.

Читайте также: Как вывести звук через HDMI: долой лишние провода

Выбор памяти DDR4 при сборке нового ПК

Выбрать оперативную память DDR4 для компьютера, который собирается с нуля, проще всего. Состоянием на конец 2016-начало 2017 года, единственной платформой с поддержкой этой памяти является Intel SkyLake (Core i3-i7 6xxx, Celeron и Pentium этого семейства). В качестве базовой частоты памяти для этой платформы принято значение 2133 МГц. Более высокие частоты поддерживаются не всеми платами и достигаются только в процессе разгона.

Читайте также: Рейтинг игровых материнских плат 2016

При сборке ПК на базе процессора Intel Core без индекса К, и платы с чипсетом h210, 150 — стоит покупать память DDR4 с частотой 2133 МГц. При этом, предпочтение стоит отдавать планкам с латентностью поменьше. Для ПК на базе плат с чипсетом Z-серии и процессоров с литерой К — можно взять частоту повыше, так как на этих платах заставить память работать на ней обычно не составляет труда.

Что касается новинок 2017 года — процессоров Inkel Kaby Lake и AMD Zen — стоит узнать их спецификации и уточнить максимальную тактовую частоту ОЗУ, достигаемую без разгона. Именно планки, работающие на такой частоте, нужно покупать к этим процессорам.

Читайте также: Цены процессоров AMD Zen (Summit Ridge) и некоторые характеристики стали известны

При покупке платы, оснащенной двумя слотами памяти, желательно приобрести одну планку большого объема (8 или 16 Гб). Это оставит возможность в будущем добавить к ней еще одну и удвоить объем ОЗУ. Для плат с четырьмя слотами DIMM можно выбрать комплект из 2 планок меньшего объема. В таком случае и возможность апгрейда сохраняется, и быстродействие хоть немного, но повышается за счет двухканального режима.

Радиаторы на планках памяти DDR4 — элемент скорее декоративный, чем функциональный. Энергопотребление ОЗУ этого поколения мизерное (около 0,5-2 Вт), поэтому в дополнительном охлаждении нет никакой нужды. В корпусе с прозрачной стенкой и подсветкой — радиаторы на планках памяти украсят внутренности ПК. Однако если выбор стоит между планками с одинаковыми параметрами, а эстетическая составляющая отходит на задний план — переплачивать за радиаторы нет никакого смысла. Действительно полезны они лишь оверклокерам, разгоняющим ОЗУ гораздо выше заводских частот.

Читайте также: Раз-два-три, елочка, гори! Обзор и сравнение вентиляторов GameMax WindForce и GaleForce 120 мм

Выбор памяти DDR4 для апгрейда ПК

Если ПК оснащен памятью DDR4, но ее стало мало — какую оперативную память DDR4 выбрать — зависит от установленных планок. Если нужно добавить памяти, оставив их — необходимо учитывать совместимость. Чтобы избежать аппаратных конфликтов — новая память должна соответствовать старой. То есть, если на борту установлена планка 8 ГБ, с частотой 2133 МГц и латентностью CL15, то и новая должна иметь аналогичные характеристики. Новая планка DIMM не обязательно должна быть того же производителя, но соблюдение этого условия точно не навредит.

Читайте также: Microsoft представили Sufrace Studio: моноблок или огромный планшет?

Ставить планки с разными параметрами можно, в большинстве случаев конфликта не возникнет. Однако если они отличаются параметрами — произойдет выравнивание по самой слабой из них. То есть, если к модулю на 4 ГБ, с частотой 1866 МГц, латентностью CL12, добавить модуль на 8 Гб, 2400 МГц, CL15 — он будет работать на частоте 1866 МГц, а в двухканальный режим переключится лишь 4 Гб его памяти. На практике это значит, что к разным участкам памяти — скорость будет немного отличаться.

При полной замене оперативной памяти DDR4 учитывать спецификации старого модуля не надо. Достаточно заглянуть в характеристики платы на сайте производителя и узнать, какие самые быстрые модули она поддерживает. Именно такие и стоит приобретать для эффективного апгрейда компьютера.

Читайте также: Что делать, если перегревается процессор на ПК

Выбор памяти DDR4 для ноутбука

Как и в случае с ПК, на базе DDR4 пока работает не так много ноутбуков. Даже в MacBook Pro 2016 решили использовать память DDR3. Основная масса ноутбуков с DDR4 работают на базе процессоров Intel Core i3-i7 6xxx и новее. Прежде, чем проапгрейдить память, нужно уточнить, какой тип используется, и узнать количество слотов памяти из спецификаций. Можно просто снять крышку и посмотреть, перед этим внимательно изучив видео разборки такого ноутбука.

Читайте также: Выбор ноутбука – на что обратить внимание

Многие ультрабуки (те же Apple MacBook Air) не предусматривают апгрейд памяти DDR4, так как ее чипы распаяны прямо на материнской плате. В ноутбуках наблюдается схожая тенденция: количество слотов нередко уменьшают с 2 до 1, а часть памяти тоже может распаиваться без возможности замены. Если слот DDR4 только один — придется менять планку на более емкую и быструю. А вот если их, по старинке, оставили два — можно просто докупить еще один чип памяти. Также можно поставить и больший, чем «родной», объем нового чипа, но стопроцентная совместимость разных модулей не гарантируется.

Читайте также: Тонкий подбор: выбираем ультрабук

Читайте также

Какой оперативной памяти отдать предпочтение: DDR3 или DDR4

Появление на рынке ОЗУ DDR4 пошатнуло незыблемые позиции ее предшественника. Она обладает более высокими техническими характеристиками и у многих пользователей возник закономерный вопрос, какая планка ОЗУ лучше? Многочисленные тесты и сравнения оперативной памяти четвертого поколения с DDR3 показывают, в чем заключается разница между ними. При выборе модуля памяти формата DDR3 следует учитывать, что у него отсутствует совместимость с DDR4.

Оперативная память компьютера — один из компонентов, который отвечает за его производительность: скорость обработки информации и максимальный объем данных, обрабатываемых в данный момент. До 2015 года первые позиции прочно удерживало ОЗУ третьего поколения DDR3, но с появлением DDR4 ситуация начала меняться в сторону последней модификации. Появление оперативной памяти четвертого поколения вызвало большой ажиотаж на рынке компьютерной техники, одновременно с этим возник закономерный вопрос, что лучше DDR3 или DDR4 и не является ли появление последней модели обычным маркетинговым ходом?

История развития DDR4

Разработкой ОЗУ четвертого поколения компания JEDEK занялась еще в далеком 2005 году, когда самой современной модификацией была DDR2. Инженеры компании уже в то время осознали, что второе поколение оперативной памяти не сможет отвечать требованиям, стремительно развивающимся процессорам и остальным комплектующим ПК. Даже анонсированный выход ОЗУ третьего поколения не сможет в полной мере справиться с поставленной задачей. Для решения проблемы не достаточно простого увлечения скорости обработки данных как это было сделано в DDR3. Необходимо учитывать такие параметры как энергопотребление и объем, которые влияют на пропускную способность устройства.

Внимание! Для работы со специализированными программами: пакеты для объемного проектирования, редакторы фото или видео главным параметром выбора оперативной памяти является ее пропускная способность, т. е. скорость обработки информации.

В 2015 году с появлением на рынке платформ Socket LGA1151 пользователям ПК представилась возможность произвести сравнительный анализ ОЗУ третьего и четвертого поколения в одинаковых условиях.

Не все материнские платы поддерживают оперативную память DDR4

Технические характеристики

Прежде чем говорить, что лучше DDR3 или DDR4 и проводить их сравнения следует подробно ознакомиться с их техническими характеристиками и возможностями, а также их преимуществами и недостатками. Данный подход позволит правильно и точно определить будущее модулей памяти и выявить перспективный образец.

DDR3

Основными характеристиками для оперативной памяти не зависимо от ее поколения являются следующие характеристики:

• Частота. ОЗУ третьей модели выпускается с частотой 1066 МГц, 1333 МГц и 1600 МГц, а последняя модификация имеет 1866 МГц. При помощи разгона памяти ее частоту можно повысить до 2400 – 2666 МГц. Максимальное значение этого параметра при разгоне, которое было получено в лабораторных условиях, составляет 4620 МГц.
• Напряжение. Энергопотребление варьируется в диапазоне 1,5 – 1,8 В. Последняя версия DDR3L способна работать при низком напряжении 1,25 – 1,35 В. Индекс L означает Low Power (с англ. – малая мощность).
• Время простоя. Для определения производительности планки памяти одним из важных параметров являются тайминги или латентность (CL), т. е. задержка при передаче информации. DDR3 1600 МГц имеет задержку равную 9 тактам, для получения временного значения необходимо 1 сек. разделить на 1600 млн. тактов и получаем 0,625 мс на 1 такт. Результат умножаем на 9 тактов и получаем 5,625 нс. Далее умножаем на 2 (количество потоков передачи данных) и время задержки составляет 11,25 нс.

Совет. Значение латентности можно определить из маркировки оперативной памяти после букв CL. Соответственно, чем ее значение меньше, тем выше производительность устройства.

DDR4

ОЗУ четвертого поколения обладает более высокими параметрами технических характеристик, за счет которых оно обходит своего предшественника.

• Частота. Минимальное значение тактовой частоты составляет 2133 МГц, при оптимизации необходимых процессов ее можно повысить от 2800 до 3000 МГц. При выполнении разгона оборудования параметр легко увеличит до 4800 МГц.
• Энергопотребление. Оперативная память DDR4 разрабатывалась для работы с низковольтным напряжением. Для частотного диапазона 2133 – 2400 МГц значение напряжения составляет 1,2 В, что в несколько раз снижает объем выделяемой тепловой энергии.
• Тайминг. Латентность ОЗУ четвертой модификации для 2133 МГц составляет 15 тактов, в переводе на время задержка равна 14 нс.

  Экономия энергии DDR4 составляет 30% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Сравнение DDR3 и DDR4

Исходя из технических характеристик видно, что время задержки у DDR4 выше, чем у ее предшественника. Однако при линейном чтении данных или их сохранении за счет практически не меняющихся таймингов эта разница компенсируется, и ОЗУ четвертой модели выигрывает. При работе в многопоточном режиме за счет меньшей латентности выигрывает DDR3 в пределах статистической погрешности. Выполняя сжатие файлов большого размера (объем от 1,5 ГБ и выше), потраченное время на операцию у DDR4 на 3 % меньше, чем у DDR3. Спецификация оперативной памяти третьего поколения предусматривает использование Vddr напряжение. При осуществлении энергозатратных операций оно повышается за счет встроенных преобразователей, тем самым происходит обильное излучение тепла. Модуль DDR4 получает необходимое напряжение от внешнего источника питания (Vpp).

В ОЗУ четвертой модели реализована технология Pseudo-Open Draid, она позволила полностью устранить утечки тока, что наблюдалось в предыдущей версии, где используется Series-Stub Terminated Logic. Применение данного интерфейса для ввода и вывода данных позволило снизить потребление энергии до 30 %. Что касается объема памяти планки DDR4, то минимальное значение составляет 4 ГБ, а для DDR3 оно является оптимальным т. к. максимальное равно 8 ГБ. Структура оперативной памяти третьего поколения позволяет разместить до 8 банков памяти с длиной строки 2048 байт. Последняя модификация ОЗУ имеет 16 банков и длину строки 512 байт, что увеличивает скорость переключения между строками и банками.

Из сравнения DDR3 и DDR4 можно сделать вывод, что последнее поколение ОЗУ обходит своего предшественника практически по всем параметрам, но эта разница мало заметна для обычного пользователя. Оперативная память DDR3L 1600 МГц в сочетании с процессором Intel Core i5 практически не уступают DDR4. ОЗУ четвертого поколения рекомендуется устанавливать для современных игр или работы в специализированных программах, которые требуют большого объема памяти и высокой скорости обработки данных.

Сравнение оперативной памяти DDR 3 и DDR 4: видео