Ssd samsung или intel: Тестирование SSD Intel 545s, Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro, SanDisk Ultra 3D, Silicon Power Velox V85 и WD Blue 3D по обновленной методике – Быстро ехать или медленно лететь — Эксперт — интернет-магазин электроники и бытовой техники

Содержание

Тестирование SSD Intel 545s, Samsung 850 Evo, 860 Evo и 860 Pro, SanDisk Ultra 3D, Silicon Power Velox V85 и WD Blue 3D по обновленной методике

Методика тестирования накопителей образца 2018 года

Начать процесс тестирования накопителей по обновленной методике мы решили с того, чем закончили использование ее предыдущей версии — семью накопителями с SATA-интерфейсом и емкостью порядка 500 ГБ. В числе прочего это позволит желающим поискать различия между поведением устройств на старом и новом стендах и провести параллели между тестированиями по разным методикам. Одно новое устройство среди испытуемых присутствовать будет, но совсем уж незнакомым его назвать сложно, если вообще возможно. Впрочем, обо всем по порядку.

Intel 545s 512 ГБ

Накопители этого семейства мы тестировали в декабре прошлого года. На данный момент именно они являются чуть ли не единственными потребительскими версиями SSD компании с интерфейсом SATA — в Intel считают, что время NVMe давно настало, причем компания делает все возможное, чтобы таковые устройства перестали восприниматься как нечто дорогое и экзотическое. Впрочем, поставки для модернизации старых компьютеров никто не отменял, да и многодисковую СХД зачастую удобнее собирать именно на SATA-накопителях (линий PCIe в современной настольной системе временами не хватает), так что жизнь 545s предполагается долгой. И расширение семейства продолжается — в частности в конце прошлого года начались поставки модификации на 1024 ГБ, а со временем обещано и как минимум еще одно удвоение емкости. Но мы сегодня повторно протестируем накопитель на 512 ГБ. Набраны они при помощи 64-слойной 3D NAND TLC совместного производства Intel и Micron, причем чипами по 256 Гбит. Все это обслуживается недорогим контроллером Silicon Motion SM2259, которому в работе «помогает» 512 МБ DDR3L. Словом, типичное недорогое по исполнению устройство, имеющее, тем не менее, далеко не самую низкую розничную цену. С другой стороны, Intel предоставляет на этот накопитель пятилетнюю гарантию с неплохим ограничением на полный объем записанных данных: 288 ТБ. Учитывая это, полноценными конкурентами данных продуктов на рынке являются разве что накопители Samsung нового семейства 860 Evo, к которым (а также их родственникам) мы и переходим.

Samsung V-NAND SSD 850 Evo 500 ГБ

Samsung V-NAND SSD 860 Evo 500 ГБ

Samsung V-NAND SSD 860 Pro 512 ГБ

Подробно об истории твердотельных накопителей Samsung вообще и этих линейках в частности мы рассказывали совсем недавно, так что обойдемся лишь кратким перечислением основных моментов. Серия 850 Evo — первый продукт компании на базе 32-слойной 3D NAND TLC (или как ее называет разработчик «3-bit MLC») собственного производства, появившийся три года назад. Позднее в накопителях пару раз менялась память, так что тестируемый нами экземпляр использует уже 64-слойную память с кристаллами по 256 Гбит в комплексе с контроллером MGX (также собственной разработки) и DRAM-буфером типа LPDDR3 емкостью 512 МБ.

Со временем эти накопители из продажи исчезнут по мере исчерпания запасов, поскольку на смену им идет 860 Evo — с усовершенствованным контроллером, способным, в частности, работать с большим размером SLC-кэша. Заодно и гарантийные ограничения были смягчены: гарантия осталась пятилетней, но полный объем записанных данных теперь не должен превышать 300 ТБ, а не всего 150 ТБ как ранее. Но не обошлось и без ложки дегтя — память в этих устройствах аналогичная во всем, кроме размеров кристалла: он увеличен с 256 до 512 Гбит, что (и это мы уже видели) в некоторых случаях приводит к определенным потерям производительности. На что можно и не обращать внимания — все равно SSD Samsung являются одними из самых быстрых на рынке, а реальные прикладные программы пока еще неспособны полностью загрузить работой и «медленные».

860 Pro же — устройство вообще без компромиссов: в нем используется двухбитная MLC-память с кристаллами по 256 Гбит. Соответственно, вопросов к быстродействию накопителя в принципе не возникает — это лучшее, что можно получить, не меняя интерфейс (или не меняя принципиально тип используемой памяти, но все равно вряд ли кто-то из производителей «не NAND» станет применять таковую совместно с SATA). И ограничение полный объем записанных данных для соблюдения условий гарантии (длиной все те же пять лет) составляет беспрецедентные (в этом классе) 600 ТБ. Разумеется, ничто не дается бесплатно — особенно если использовать дорогую память 🙂 Но, хотя бы, принципиальная возможность приобрести 860 Pro есть у каждого — в то время, как большинство производителей накопителей на MLC уже не производят. Либо ограничиваются старыми разработками…

Silicon Power Velox V85 480 ГБ

В частности, как в данном случае. Причем уже в первом обзоре данной модели мы прямо писали, что интересна она нам в первую очередь не сама по себе, а как иллюстрация поведения до сих пор встречающейся на рынке связки из 15-нанометровой «планарной» MLC-памяти Toshiba и контроллера Phison PS3110-S10. Тем более, что почти все такие накопители (за исключением разве что продукции компании Kingston) производятся непосредственно по заказу Phison и в одних и тех же местах, так что, независимо от конкретной торговой марки, могут быть интересны страдающим «TLC-фобией», но не желающим слишком много платить за избавление от нее 🙂

Впрочем, если без шуток, то обходить вниманием хорошо знакомую многим и некогда достаточно популярную платформу нам просто не хотелось.

SanDisk Ultra 3D 500 ГБ

WD Blue 3D 500 ГБ

Эти продукты (со вторым из них мы уже знакомы) имеет смысл рассматривать именно парой — слишком много у них общего. Точнее, почти нет различий: WD в свое время как раз для выхода на рынок флэш-памяти и поглотила SanDisk. Но оба бренда продолжают использоваться параллельно — хотя бы из-за того, что за время самостоятельной работы обе компании успели обзавестись собственными каналами продаж. С технической же точки зрения оба накопителя можно считать одним и тем же устройством, построенным на базе контроллера Marvell 88SS1074 и 64-слойных кристаллов флэш-памяти BiCS 3D NAND TLC совместного производства SanDisk и Toshiba. Условия гарантии тоже были до последнего времени одинаковыми: три года при ограничении TBW в 200 ТБ (для данной емкости). Фактически все, что немного отличается — прошивки: X61110RL и X61130WD соответственно (несложно догадаться — где какая), хотя и тут, вполне возможно, все ограничивается только названием. Как и в общем случае, где к нему добавляются дизайн и каналы поставок. Впрочем, в рознице эти устройства легко могут оказаться на соседних полках одного и того же магазина, причем по разной цене, что делает выбор особенно интересным 🙂 Во всяком случае, если в плане исполнения гарантийных обязательств ориентироваться непосредственно на магазин — «в случае чего» дальнейшие действия покупателя будут немного разными, поскольку и обращаться нужно будет по разным адресам. Да и вообще в настоящее время запущена программа по переводу Blue 3D на пятилетний гарантийный срок, а вот что будет с Ultra 3D — информации у нас пока нет. Скорее всего, произойдут с линейкой аналогичные изменения, но, возможно, что продукты «разойдутся» по этому параметру. Что же касается скоростных характеристик, то мы их сравним напрямую, воспользовавшись подходящим случаем.

Тестирование

Методика тестирования

Методика подробно описана в отдельной статье. Там можно познакомиться с используемым аппаратным и программным обеспечением.

Производительность в приложениях

В принципе, как уже не раз было отмечено, в условиях, максимально приближенных к реальности никакой твердотельный накопитель «узким местом» в системе не будет, так что и результаты этого теста у всех примерно одинаковые.

Потенциальные же возможности устройств различаются чуть заметнее — даже в одном классе. Но они именно потенциальные — это могло бы иметь значение при уменьшении роли других компонентов системы. Однако для достижения подобного эффекта придется как минимум переписать все программное обеспечение в расчете на наличие у пользователя «быстрого» накопителя, а не винчестера. А произойдет это не ранее, чем первые начнут преобладать на рынке, причем не только в новых системах. В общем, не сегодня и не завтра.

Пока же наблюдаются иные тенденции — предыдущая версия пакета, использующая трассы более «старых» приложений, как видим, «находила» между испытуемыми чуть больше различий. Впрочем, это может быть связано и с тем, что для того ПО уже излишне избыточным является используемое нами аппаратное окружение. Но от этого не легче: для решения «легких» задач не требуется и мощный компьютер, а «слабый» потенциальную разницу и скомпенсирует.

Последовательные операции

При обновлении тестовой методики мы увеличили используемый в этой программе объем данных с 1 до 16 ГБ, после чего выяснилось, что Silicon Motion SM2259 в таких условиях можно и «завалить» многопоточной нагрузкой, так что уже он сам перестанет справляться с данными, несмотря на продвинутый подход к SLC-кэшированию. Понятно, что это чистая синтетика — но остальные с ней справляются намного лучше. Как это им поможет в более реальных условиях — посмотрим чуть позже.

Случайный доступ

Для SATA-устройств разницы между двумя «старшими» режимами нет, поскольку очередь команд при использовании протокола AHCI в любом случае ограничена 32 штуками (так что два их в основном для устройств других типов). В целом же выше «точки насыщения» получаем, фактически, соревнование контроллеров: Silicon Motion похуже справляется с чтением, Marvell — с записью данных.

На более коротких (и более приближенных к реальности) очередях различия между испытуемыми немного сглаживаются, зато небольшие расхождения уже могут появиться и под влиянием прошивки и/или конкретных чипов памяти.

Впрочем, давно уже ни для кого не является секретом, что разнообразные «многопоточные иопсы» — чисто синтетическая нагрузка, тестирование в которой интересно только как самоцель: сравнить друг с другом разные накопители. Поскольку как-то же их надо сравнивать, а тесты приложений обычно упираются в совсем другие компоненты системы 😉 Во всяком случае, когда речь идет о типовом персональном компьютере, где типичными вообще являются операции чтения разными блоками и с единичной очередью команд. Хорошо еще, если хотя бы «единичная» получается — на деле производительности любого твердотельного накопителя в таких случаях достаточно, чтобы между выполнением команд он еще и «поспать» успевал. Если «поспать не давать», то… Разница между испытуемыми в принципе есть, но обычно не такая уж и большая, причем неплохо коррелирующая с тестами высокого уровня — разве что немного более ярко выраженная.

Работа с большими файлами

Единственное, на что можно обратить внимание — очень высокая производительность Velox V85 при работе в один поток. Впрочем, легко объяснимая — использование кристаллов по 128 Гбит (что существенно меньше, чем в прочих участниках тестирования) позволяет даже в таком режиме эффективно распараллелить нагрузку по большому количеству банков памяти. А при увеличении количества потоков данных все бодро «упираются» в ограничения SATA-интерфейса.

При записи же подобным образом может вести себя лишь пара накопителей Samsung — 850 Evo и 860 Pro. А вот 860 Evo из-за перехода на кристаллы по 512 Гбит вообще оказался аутсайдером.

Ну и самая тяжелая нагрузка — чтение одновременно с записью. Что характерно — она же и наиболее близкая к практике. И тут нельзя не отметить показатели 860 Pro — от всех остальных он отличается радикально, причем независимо от конкретного сценария. 860 Evo существенно обгоняет предшественника при случайном доступе, но проигрывает при более линейных нагрузках: второе как раз снова следствие «больших» кристаллов, а первое — результат существенного увеличения SLC-кэша.

Рейтинги

Наибольший интерес представляют результаты двух моделей Samsung — 850 Evo и 860 Pro. Вернее, их крайне небольшое различие, несмотря на использование памяти разных типов — небольшую разницу можно вполне списать и на эволюционное усовершенствование контроллеров и прошивок. Скорее всего, 860 Evo вообще вел бы себя неотличимо от Pro, если бы компания не увеличила в модели этой емкости размер кристаллов флэш-памяти. То есть, как видим, в современных условиях даже по низкоуровневым скоростным характеристикам уже не всегда возможно четко различить «близкородственные» накопители на базе MLC- и TLC-памяти, что, естественно, работает «на руку» последним. С другой стороны, если же рассматривать не только какую-то пару-тройку конкретных линеек одного производителя, а положение в целом, то несложно заметить (хотя бы на примере сегодняшней семерке испытуемых), что «старый конь борозды не портит». В частности, Velox V85 построен на базе старой платформы, но все равно работает несколько быстрее, чем накопители Intel и SanDisk/WD на базе TLC-памяти.

Правда вот в обобщенном рейтинге (который мы опять начинаем набирать с нуля), учитывающем и результаты тестов высокого уровня, тот же Velox V85 оказывается самым медленным. Что понятно — низкоуровневые характеристики легко могут оказаться невостребованными программным обеспечением, а вот платить за них придется по-полной и сразу. Поэтому при необходимости выбрать что-то конкретное мы и советуем выбирать именно что-то конкретное: не пытаясь делать каких-то далеко идущих обобщений.

Цены

В таблице приведены средние розничные цены протестированных сегодня SSD-накопителей, актуальные на момент чтения вами данной статьи:

Итого

В принципе, как уже было сказано в начале, никакой принципиально новой информации мы сегодня получить не рассчитывали, поскольку все участники тестирования были изучены ранее. За исключением одного, но новый он для нас лишь формально — несложно заметить, что скоростные характеристики SanDisk Ultra 3D и WD Blue 3D практически идентичны: как и предполагалось. Основная задача сегодняшнего тестирования — проверить обновленную тестовую методику и, заодно, начать накапливать базу результатов для сравнения с другими устройствами (по мере их появления в наших руках). Что и было сделано.

Попутно также можно отметить, что результаты накопителей этого класса (т. е. с интерфейсом SATA и протоколом AHCI соответственно) от программно-аппаратного окружения фактически не зависят. Для примера — 860 Pro 512 ГБ на «старой» платформе в Anvil’s Storage Utilities 1.1.0 «набивал» 5040,1 обобщенных «попугаев», а сегодня мы получили 5232 «попугая». Фактически выходит, что расхождение в плане низкоуровневых характеристик не превышает 5%: несмотря на смену SATA-контроллера, более мощный процессор и т. д. и т. п. Тесты высокого уровня к накопителю привязаны еще сильнее: для того же устройства результаты PCMark 8 изменились с 5014/328,2 на 5012/325,7. В общем, даже снизились — что, впрочем, может быть обусловлено обновлением самого PCMark. Так что версии тестовых утилит значение имеют. Разные программы — тем более: иногда в них разные сценарии работы называются одинаково. Все остальное окружение тоже иногда как-то сказывается, но в меньшей степени. Во всяком случае, повторимся, если говорить о SATA-накопителях — более производительные устройства могут вести себя иначе. Но проверкой этой гипотезы мы займемся позднее.

Какие SSD лучше Intel или Samsung?

я б Intel выбрал из этих двух

Вот в samsung в плате SSD разочаровался, 970-е только так отлетали спустя 5-7 Тб записи стабильно. К intel доверия больше, есть SLC SSD на 32 Гб от Интуль, пережил уже 6 Пб записи. Хотя по любому в обычный домашний ПК смысла ставить SSD нет.

Оба отличные, один по памяти другой по надёжности) у меня 850 evo 1tb)

Эти два отличные, по виду выбирай.

Они оба хороши, оба свои SSD сами собирают из своих компонентов

выбирать надо из конкретных моделей, а не по бренду.

Смотря какие модели вы сравниваете. Берите Samsung 860 EVO или Intel 545S. Оба хорошие, почти одинаковые во всём. Самсунг немного лучше.

Samsung выпустил «неубиваемые» SSD / Habr

SSD-накопитель PM1733 с обработкой аппаратных сбоев по типу RAID-5/6

SSD-накопители работают на порядок быстрее HDD, но страдают из-за ненадёжных контроллеров. Samsung пытается это исправить. Компания запустила в массовое производство две первые модели SSD с рядом новых технологий: 96-слойная 3D флеш-память с четырьмя битами на ячейку QLC V-NAND, поддержка PCIe 4.0 (скорость чтения 8 ГБ/с) и самое главное — более надёжные контроллеры, которые продолжают работу после многих сбоев, раньше считавшихся фатальными.

«Гарантированная работа даже при возникновении ошибок на уровне микросхемы означает внедрение первых в отрасли «неубиваемых» (never-dying) SSD-накопителей», — заявляется в пресс-релизе Samsung.

Инновационный технологический стек реализован в SSD-накопителях PM1733 и PM1735 для дата-центров. Возможно, в будущем более надёжные контроллеры внедрят и в недорогие SSD-накопители для масс-маркета. Всего на основе PM1733 и PM1735 компания Samsung планирует выпустить 19 моделей SSD.

Известно, что максимальная ёмкость SSD будет 32 (30,72) терабайта, а в модель PM1733 для упрощения миграции поставят два порта PCIe, как указано ниже на фотографии с конференции Samsung Tech Day в Сан-Хосе (см. надпись на стенде).

Полные технические характеристики PM1733 и PM1735 пока не объявлены, но компания рассказала о трёх ключевых инновациях в этих SSD, кроме перехода на PCIe 4.0 с соответствующим ростом производительности.

Технология Samsung Fail-In-Place (FIP) позволяет SSD надёжно обрабатывать аппаратные сбои, которые в противном случае стали бы фатальными для SSD, вплоть до полного отказа NAND.

Накопитель самой большой ёмкости PM1733 на 30,72 ТБ может более или менее нормально продолжать работать даже после потери любого из 512-ти NAND блоков ячеек флеш-памяти.

Для справки, в 96-слойной вертикальной флеш-памяти QLC V-NAND на кристалл послойно напыляют проводящие и изолирующие слои, которые образуют проводники затворов и сами затворы. Затем в этих слоях формируют множество отверстий на всю глубину слоёв. На стенки отверстий наносят структуру полевых транзисторов — изоляторы и плавающие затворы. Таким образом формируют столбец кольцеобразных полевых транзисторов с плавающими затворами.

Ранее Samsung позиционировала их как 90+ слоёв, а не 96, потому что каждый такой чип состоит из двух установленных друг на друга 48-слойных кристаллов 3D NAND. Специалисты предполагали, что в месте стыка двух кристаллов происходит разрушение слоёв или компания отключает эти слои в связи с высоким уровнем отказа ячеек в них.

96-слойная 3D NAND из двух 48-слойных кристаллов 3D NAND (International Memory Workshop 2018)

За прошедший год технологический процесс наверняка усовершенствовался. Кроме того, Samsung начала массовое производство памяти с ячейкой QLC, которая будет хранить четыре бита данных.

И поверх всего этого установлен контроллер, который выдерживает выход из строя целых блоков ячеек памяти. Накопитель будет сканировать повреждённые или потерянные данные, восстанавливать их и перемещать на всё ещё работающие флеш-чипы, а также продолжать работать с высокой пропускной способностью и QoS. По сути, это похоже на массив RAID-5/6, который переходит в деградированный режим вместо отключения всего массива (при выходе из строя одного диска RAID 5 надёжность тома сразу снижается до уровня RAID 0).

Конечно, если с накопителем случилась такая неприятность, разумно будет его заменить, но благодаря технологии FIP замену можно выполнить в удобное для оператора время, не сталкиваясь с простоем из-за немедленного отказа.

Впрочем, внедрение Fail-In-Place не меняет того факта, что у PM1733 и PM1735 сохраняется прежний рейтинг выносливости на количество перезаписей в день Drive Writes Per Day (DWPD). Он равен 1 и 3, соответственно. То есть весь объём накопителя предполагается перезаписывать 1 или 3 раза в день. В этом случае соблюдается гарантированный срок службы SSD в пять лет.

Общая продолжительность жизни всё ещё сопоставима с предыдущим поколением накопителей, но риск преждевременной смерти за исключением нормального износа NAND значительно уменьшен.

Кроме того, в накопителях PM1733 и PM1735 реализована технология виртуализации. Samsung внедрила дополнительные функции виртуализации NVMe на основе Single-Root I/O Virtualization (SR-IOV), что позволяет одному контроллеру SSD NVMe предоставлять множество виртуальных контроллеров (до 64 в случае дисков Samsung). Каждый виртуальный контроллер может быть назначен на другую виртуальную машину, работающую на хост-системе, и обеспечить дисковое пространство для этой виртуальной машины без нагрузки на процессор — так же, как если бы весь диск был назначен на одну виртуальную машину через PCIe. Ёмкость каждого SSD-накопителя можно гибко распределить между различными пространствами имён, которые, в свою очередь, могут быть подключены к соответствующему виртуальному контроллеру.

Третья технология Samsung — это машинное обучение V-NAND. Компания не раскрывает точных подробностей о том, как они используют машинное обучение, но говорит, что оно используется для прогнозирования и анализа характеристик флеш-ячеек, в том числе путём обнаружения изменений в характеристиках электрических схем.

В 3D NAND всё труднее становится применять стандартные стратегии программирования ячеек, чтения и исправления ошибок. Недостаточно одного только отслеживания циклов P/E для каждого блока, ведь между слоями в верхней и нижней части 3D-стека могут быть значительные различия, также как между разными микросхемами. Samsung наверняка не единственная, кто пытается применить машинное обучение для решения этих проблем. Новая функция обеспечит стабильную производительность и повышенную надёжность современных накопителей на TLC V-NAND, но её важность резко возрастет в случае с накопителями QLC V-NAND.

Поставки первых дисков PM1733 и PM1735 уже начались. Обе модели сделаны на одной технологической платформе. PM1733 расклассифицирован как DWPD 1 и предлагает объём до 30,72 ТБ, а у PM1735 специально уменьшенная ёмкость, чтобы гарантировать DWPD 3 с резервированием отдельных блоков ячеек по типу RAID 5/6, как было описано выше. Обе модели доступны в форм-факторах U.2 или подключаемых модулей PCIe. Форм-фактор U.2 предоставляет несколько дополнительных вариантов ёмкости, в то время как у подключаемых модулей интерфейс PCIe 4.0 x8, который обеспечивает на 25% более высокую скорость последовательного чтения (в других рабочих нагрузках PCIe 4.0 x4 достаточно быстр, чтобы не быть узким местом).

первый потребительский SATA QLC (3 часть) / ua-hosting.company corporate blog / Habr

Часть 1 >> Часть 2>>Часть 3

Смешанный тест производительности – случайное чтение/запись

Смешанный тест использует миксы операций от чистого чтения до чистой записи, с шагом 10%. Каждый микс тестируется до 1 минуты, или до 32 ГБ переданных данных. Тест проводится с глубиной очереди 4 и ограничен объемом диска 64 ГБ. Между каждой пакетом операций приводу дается время простоя до одной минуты, поэтому общий рабочий цикл составляет 50%.

Производительность Samsung 860 QVO в смешанном тесте случайного ввода-вывода существенно ниже, чем у 860 EVO, но сравнима с другими мейнстрим TLC-накопителями. Выполнение теста на полном диске значительно замедляет 1 ТБ QVO 860, но он всё ёщё обгоняет диск TLC без DRAM.

Графики сравнения

Рейтинги энергоэффективности для 860 QVO не намного лучше, чем рейтинги производительности. Потребляемая мощность немного выше, чем у 860 EVO, но не сильно зависит от емкости или состояния заполнения, поэтому показатели энергоэффективности примерно отражают показатели производительности.

860 QVO стартует с довольно низкой скорости случайного чтения, но производительность неуклонно увеличивается по мере того, как рабочая нагрузка смещается в сторону записи, в конечном итоге обгоняя 860 EVO. Когда тест выполняется на полном накопителе, 1TB 860 QVO исчерпывает кэш SLC на последних этапах теста и замедляется, вместо ускорения.

Смешанный тест производительности – последовательное чтение/запись

Тест смешанного последовательного чтения и записи отличается от предыдущего выполнением последовательного доступа по 128 КБ, вместо 4 КБ в случайных местах, и проводится на глубине очереди 1. Диапазон тестовых миксов такой же, и сроки и ограничения на передачу данных те же, что в тесте выше.

4TB 860 QVO неплохо справляется с тестом смешанного последовательного ввода / вывода, но модель 1TB оказывается немного медленнее, чем накопитель DRAMless TLC, и значительно позади основных накопителей TLC.

Показатели эффективности энергопотребления дисков SATA отличаются в большей степени, чем показатели производительности, поэтому 860 EVO и Toshiba TR200 оказываются особенно эффективными, в то время как 860 QVO 4 ТБ выступил середнячком, а модель на 1 ТБ испытывает трудности.

Графики сравнения

Обе модели 860 QVO обеспечивают приличную производительность на любом конце теста с чистым чтением или чистой записью, и хуже справляются со смешанными операциями. 1TB 860 QVO гораздо сильнее просаживается в производительности в течение первых двух третей теста, но в конце подтягивается к модели 4TB.

Энергопотребление простоя

Тестирование SSD проводится с отключенным управлением питанием канала SATA, для измерения их энергопотребления в режиме активного ожидания, а также для измерений в режиме глубокого ожидания, и проверки задержки «пробуждения». Наш испытательный стенд, как и любая обычная десктоп система, не может вызвать состояние глубокого простоя DevSleep.

Управление питанием в режиме ожидания для твердотельных накопителей NVMe намного сложнее, чем для SSD SATA. Накопители NVMe могут поддерживать несколько различных состояний простоя, а с помощью функции Autonomous Power State Transition – APST, операционная система может установить политику поведения накопителя на случай, когда необходимо переключиться в режим пониженного энергопотребления. Как правило, компромисс в том, что для состояний с низким энергопотреблением требуется больше времени для входа и пробуждения, поэтому выбор того, какие состояния электропитания использовать, может отличаться у настольных компьютеров и ноутбуков.

Мы предоставляем результаты двух измерений состояния простоя. Активный режим простоя характерен для типичного настольного компьютера, в котором не включены ни одна из расширенных функций связи PCIe или энергосбережения NVMe, и накопитель сразу готов к обработке новых команд. Показатель энергопотребления в режиме ожидания измеряется при включенном состоянии PCIe Active State Power L1.2 и включенном NVMe APST, если поддерживается.

Похоже, что 1TB Samsung 860 QVO все еще был занят фоновой обработкой через несколько минут после того, как тестовые данные были записаны на диск, поэтому наше автоматическое измерение мощности простоя обнаружило, что оно по-прежнему потребляет 2 Вт. 4 ТБ намного быстрее сбрасывал кэш SLC и показал хороший показатель энергопотребления в режиме активного ожидания. Оба диска показывают хороший результат в режиме глубокого ожидания, хотя мы увидели потребление немного выше, чем официально заявленные 30 мВт.

Задержка пробуждения у 860 QVO такая же, как и у других SATA SSD, примерно около 1,2 мс. Это не лучшее что можно получить на SATA, но здесь не к чему придраться.

Выводы

Samsung 860 QVO — не первый проверенный нами потребительский накопитель QLC, но во многих отношениях он лучше соответствует нашим ожиданиям от новой QLC технологии, чем Intel 660p и Crucial P1. Эти SSD NVMe слабо подходят для удовлетворения спроса на дешевый накопитель начального уровня, или на накопитель большой емкости — два применения, где QLC NAND кажется наиболее полезным. Мы иногда воспринимали QLC как замену жесткого диска, а не как высокоскоростной накопитель. Было странно, когда QLC впервые появился на твердотельных накопителях NVMe. В отличие от них, 860 QVO является предсказуемым продуктом, который не преподнес сюрпризов в своем дизайне. Samsung строит на проверенной и верной формуле, просто адаптируя 860 EVO для работы с QLC NAND.

QLC NAND основывается на том, чтобы пожертвовать качеством ради количества. Жизнеспособность накопителей QLC базируется на предположении, что существующие накопители достаточно быстры, что справедливо для многих SSD Samsung. Диск Samsung 860 QVO не такой быстрый или энергоэффективный, как 860 EVO, но это и не обязательно. Samsung, как правило, держится в стороне от сегмента «начального уровня» на рынке SSD, и в их линейке продуктов существует место для подобного продукта гораздо дольше, чем сама технология QLC.

Как и в случае с двумя другими протестированными накопителями QLC, важно отметить, что использование QLC NAND не оказывает революционного влияния на конечный продукт. Модель 860 QVO по-прежнему пригодна для потребительских целей. Он медленнее, чем 860 EVO, и всё же намного быстрее самого медленного SATA SSD, который мы тестировали. Благодаря сочетанию SLC-кэширования, и ограничений канала SATA, поведение 860 QVO часто неотличимо от других твердотельных накопителей SATA. Основываясь только на результатах тестов, было бы трудно окончательно определить QVO как диск на основе QLC, а не просто как относительно медленный диск TLC. Истинными преимуществами являются стабильная производительность записи после заполнения кеша SLC и время простоя, необходимого для восстановления диска после использования кеша записи. Ни один из этих сценариев не является обычным явлением при использовании потребителем.

С технологической точки зрения, QLC NAND, похоже, может оказать влияние на потребительский рынок хранения. Скорость достаточно велика, чтобы оставить жесткие диски далеко позади, и стойкость записи все еще адекватна. Samsung заслуживает похвалы хотя бы за предложение 860 QVO в объеме не менее 1 ТБ. Конкуренты, использующие QLC в небольших дисках, столкнутся с недостатками, которые трудно не заметить. Несмотря на то, что Samsung вводит товар более низкого уровня, они не выпускают свои продукты из-под контроля.

Благодаря накопителям Intel и Micron QLC, использующим NVMe, есть много способов сравнить QLC Samsung с конкурирующими Intel / Micron QLC. Судя по нашему тестированию, пока что не видно явного победителя. Тесты, в которых 860 QVO выходит за пределы интерфейса SATA, бесполезны. Среди других тестов Intel / Micron QLC, как правило, немного быстрее, но отчасти это все-таки связано с интерфейсом NVMe. Эффективность энергопотребления между двумя проектами QLC в целом схожа.

Недостатки QLC NAND, будь они мелкими или серьезными, принимаются в обмен на обещание доступности. При прочих равных условиях QLC NAND в идеале должен быть на 25% дешевле, чем TLC NAND. Есть несколько причин, по которым эта цель на данный момент недостижима, и те немногие накопители QLC, которые у нас есть, все же не в состоянии обеспечить улучшенную доступность. Цены на флэш-память NAND падают по всем направлениям, поэтому сейчас не лучшее время, чтобы попытаться использовать новые технологии для ценового давления. Скорее всего, 860 QVO постигнет та же участь, что и многие диски начального уровня — DRAMless SATA SSD: мейнстрим накопители находятся на переднем крае падения цен, и часто сокращают почти до нуля разрыв с накопителями начального уровня.

MSRP от Samsung для 860 QVO отражают это. Текущие уличные цены на 860 EVO ниже, чем на 860 QVO для двух из трех емкостей, и это в сравнении с одним из лучших твердотельных накопителей SATA. Есть много основных дисков с немного меньшей производительностью. Исключение составляет сегмент 4 ТБ, где Samsung не имеет аналогов. Сегмент 4 ТБ только сейчас начинает пробуждаться, но при цене $ 400 за QVO 4 ТБ он все еще находится за пределами нормального диапазона потребительских цен. Возможно, стоит пересмотреть 860 QVO через несколько месяцев, чтобы проверить цены.

Samsung планирует, что 860 QVO будет доступен для покупки начиная с 16 декабря. К тому времени тряска цен из-за праздничные распродаж должна пройти, и у Samsung будет возможность пересмотреть свои цены. Между тем, 860 EVO остается явно лучшим выбором.

Спасибо, что остаетесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас оформив заказ или порекомендовав знакомым, 30% скидка для пользователей Хабра на уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps от $20 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps до весны бесплатно при оплате на срок от полугода, заказать можно тут.

Dell R730xd в 2 раза дешевле? Только у нас 2 х Intel Dodeca-Core Xeon E5-2650v4 128GB DDR4 6x480GB SSD 1Gbps 100 ТВ от $249 в Нидерландах и США! Читайте о том Как построить инфраструктуру корп. класса c применением серверов Dell R730xd Е5-2650 v4 стоимостью 9000 евро за копейки?

и нашим и вашим / Накопители

Глядя на то, что происходило на рынке носителей информации во второй половине прошлого года, можно было подумать, что интерфейс SATA в потребительских твердотельных накопителях начал постепенное отмирание. Все свежие платформы ПК в обязательном порядке стали получать один-два слота M.2, в которые предполагается устанавливать SSD с интерфейсом NVMe, а производители накопителей с большим энтузиазмом начали множить всевозможные продукты с новым интерфейсом: количество моделей NVMe SSD, которые увидели свет в прошлом году, исчисляется десятками. На новый интерфейс положительно отреагировали и профессиональные сборщики компьютеров. Действительно, NVMe-накопители в M.2-исполнении подкупают не только заметно более высокой скоростью по сравнению с SATA-собратьями, но и другими преимуществами. M.2 SSD банально компактнее и не требуют никакого кабельного подключения, так как устанавливаются непосредственно в слот на плате.

Всё это вылилось в совершенно объективную тенденцию: поставки NVMe SSD на протяжении прошлого года росли очень быстрыми темпами, а к концу года даже смогли обогнать поставки привычных SATA-моделей. На этом фоне совершенно закономерно стали смотреться заявления некоторых производителей, например Toshiba, считающих, что SATA SSD уже отжили своё и тратить силы на развитие этого направления больше нет никакого смысла. Однако с такой логикой согласны далеко не все. Ряд крупных компаний, включая Samsung, Western Digital, Micron и Intel, взялись показать, что забрасывать SATA-направление пока преждевременно. И не просто не стали сворачивать имеющийся ассортимент SATA SSD, а, напротив, отметились новыми моделями с улучшенными характеристиками.

Безусловно, не стоит ожидать, что выход новых SATA SSDна рубеже 2017 и 2018 года, пусть даже и разработанных ведущими инженерными командами, способен сколь-нибудь заметно продвинуть производительность таких решений дальше привычного уровня. Это практически невозможно, ведь производительность SATA SSDпри последовательных операциях упирается в пропускную способность интерфейса, а быстродействие при случайных операциях сдерживается неповоротливым AHCI-протоколом, унаследованным от механических жёстких дисков. Тем не менее варианты движения по пути прогресса всё-таки нашлись.

Стержневым элементом новых SATA-накопителей, выпущенных в конце прошлого – начале этого года, стала новая флеш-память с пространственной компоновкой, к массовому выпуску которой наконец-то перешли практически все производители NAND. Современная 3D NAND получила 64-слойный дизайн, позволяющий увеличить плотность хранения данных настолько, что её использование в накопителях стало очень выгодным экономически. Кроме того, такая память несёт с собой и ряд других преимуществ. Так, совершенствование внешних интерфейсов устройств NAND позволило увеличить скорость работы, а применение при производстве трёхмерной памяти техпроцессов с достаточно низким по современным меркам разрешением повысило её надёжность даже в случае TLC-организации. Иными словами, новое поколение SATA SSD, основанных на 64-слойной 3D NAND-памяти, может действительно оказаться лучше. И тому есть вполне конкретные подтверждения.

Особый интерес в этом плане представляют новые вертикально интегрированные SATA-продукты ведущих производителей SSD, имеющих собственное производство 3D NAND. Именно в таких моделях преимущества новой флеш-памяти должны раскрываться в полной мере. И мы уже протестировали один из таких накопителей – Intel SSD 545s, который оказался очень достойным решением, вполне способным побороться за звание одного из лучших SATA SSD 2018 года. Ещё две перспективных модели на базе новой 64-слойной 3D NAND уже находятся на пути в нашу лабораторию, и в скором времени мы сможем познакомиться с ними во всех подробностях. А сейчас нам предстоит увидеть, как изменился самый популярный SATA SSD последней пары лет – Samsung 850 EVO. Сегодня компания Samsung представила его последователя – 860 EVO, и теперь именно этот накопитель будет защищать честь южнокорейского гиганта на массовом рынке. Прошлый хит компании, Samsung 850 EVO при этом снимается с производства, и после распродажи товарных остатков купить его будет невозможно. Поставки же нового Samsung 860 EVO уже начались, в России такие накопители появятся на прилавках в феврале.

⇡#Технические характеристики

Вообще говоря, новая 64-слойная TLC 3D V-NAND уже вовсю применяется в массовых SSD компании Samsung. В конце лета прошлого года на её использование была «втихую» переведена серия Samsung 850 EVO, и мы об этом писали в отдельном обзоре. Тем не менее ту версию 850 EVO скорее стоит считать временным и компромиссным решением, а новый 860 EVO – это уже совершенно чистокровный продукт, построенный на базе 64-слойной TLC 3D V-NAND четвёртого поколения. Разница в том, что для 850 EVO компания Samsung изготавливала специальные «переходные» чипы флеш-памяти с ёмкостью 256 Гбит, что позволяло ставить их в ту же платформу, где до этого использовалась 48-слойная флеш-память, без каких бы то ни было глобальных переделок. Новая же модель, Samsung 860 EVO, переведена на «полноценные» 64-слойные чипы трёхмерной трёхбитовой памяти вдвое большей ёмкости, достигающей 512 Гбит.

Увеличение размеров ядра кристаллов NAND – очевидный путь к дополнительному снижению себестоимости, который применяется наряду с наращиванием «этажности» памяти. Например, если в случае 256-гигабитных кристаллов переход с 48-слойного на 64-слойный дизайн TLC 3D V-NAND дал 28-процентное увеличение удельной плотности хранения данных, то применение 64-слойных кристаллов ёмкостью 512 Гбит выливается уже в 52-процентное преимущество. Правда, не весь эффект от уплотнения преобразуется в экономические дивиденды: более крупные кристаллы сложнее в производстве, поэтому мириться приходится с некоторым снижением выхода годных чипов. Но суммарно выигрыш от увеличения плотности перекрывает весь негатив, и новые SSD, построенные на 64-слойной TLC 3D V-NAND с 512-гигабитными ядрами, обходятся Samsung в изготовлении примерно на 10-15 процентов дешевле предшественников.

Погоня за снижением производственных расходов – не единственный мотив выпуска новой серии накопителей. В 860 EVO компания Samsung заодно постаралась исправить все значимые недостатки предыдущей модели и добавить новые технологии, которые вошли в оборот в течение последних двух лет. Благодаря этому в Samsung 860 EVO наконец-то устранена проблема с исполнением асинхронной команды TRIM, из-за ошибок в реализации которой сильно страдали некоторые пользователи Linux; кардинально увеличен декларируемый ресурс перезаписи; а также обновлена технология TurboWrite, которая получила приставку Intelligent в названии и серьёзно увеличила объём SLC-буфера, обслуживающего операции записи.

А поскольку воплотить всё это в жизнь одними лишь программными методами у инженеров Samsung не получалось, серия Samsung 860 EVO заодно переехала на новый контроллер собственной разработки, MJX. Хотя название этого чипа ранее нигде не всплывало, по сути MJX представляет собой адаптированную версию контроллера MARU, который компания Samsung изначально нацеливала исключительно на серверные накопители.

Если верить в обещания инженеров Samsung, контроллер MJX должен стать одной из основных причин улучшения характеристик накопителей серии 860 EVO. И для этого есть вполне объективные предпосылки. Он сохранил двухъядерный дизайн с архитектурой ARM, но, в то время как применявшийся ранее в 850 EVO контроллер MGX работал на частоте 550 МГц, частота контроллера MJX повышена до 1,0 ГГц, что влечёт за собой почти двукратное увеличение его вычислительной мощности. Правда, стоит учитывать, что столь серьёзный рост потенциала направлен разработчиками не только на повышение чистой производительности, но и на смежные задачи. Например, силами MJX в 860 EVO реализована новая схема коррекции ошибок с применением LDPC-кодов, названная разработчиками Extreme ECC.

Ещё один плюс, который даёт новый контроллер, – это возможность расширения модельного ряда Samsung 860 EVO в сторону наращивания объёмов. На момент своего анонса серия ограничивается сверху 4-терабайтной модификацией, и накопитель объёмом 4 Тбайт был и среди 850 EVO, но контроллер MJX позволяет в перспективе выпустить и 8-терабайтный потребительский накопитель, если Samsung почувствует, что на такие решения может существовать спрос.

Формальные характеристики накопителей серии представлены в следующей таблице:

Производитель	Samsung
Серия	860 EVO
Модельный номер	MZ-76E250	MZ-76E500	MZ-76E1T0	MZ-76E2T0	MZ-76E4T0
Форм-фактор	2,5 дюйма
Интерфейс	SATA 6 Гбит/с
Ёмкость, Гбайт	250	500	1000	2000	4000
Конфигурация
Флеш-память: тип, техпроцесс, производитель	Samsung 64-слойная 256-Гбит 3D TLC V-NAND	Samsung 64-слойная 512-Гбит 3D TLC V-NAND
Контроллер	Samsung MJX
Буфер: тип, объём	LPDDR4, 512 Мбайт		LPDDR4, 1 Гбайт	LPDDR4, 2 Гбайт	LPDDR4, 4 Гбайт
Производительность
Макс. устойчивая скорость последовательного чтения, Мбайт/с	550	550	550	550	550
Макс. устойчивая скорость последовательной записи, Мбайт/с	520	520	520	520	520
Макс. скорость произвольного чтения (блоки по 4 Кбайт), IOPS	98000	98000	98000	98000	98000
Макс. скорость произвольной записи (блоки по 4 Кбайт), IOPS	90000	90000	90000	90000	90000
Физические характеристики
Потребляемая мощность: бездействие/чтение-запись, Вт	0,05/2,2–3,0
MTBF (среднее время наработки на отказ), млн ч	1,5
Ресурс записи, Тбайт	150	300	600	1200	2400
Габаритные размеры: Д × В × Г, мм	100,0 × 69,85 × 6,8
Масса, г	47,5
Гарантийный срок, лет	5

Если исходить из приведённых выше спецификаций, то придётся констатировать, что скоростные характеристики у Samsung 860 EVO остались почти такими же, как были у 850 EVO. Небольшое улучшение в пределах 1–2 процентов наблюдается лишь в производительности последовательного чтения, плюс отдельно Samsung говорит о том, что у 860 EVO на 5 процентов увеличилась скорость случайной записи при отсутствии очереди запросов.

Однако нужно понимать, что здесь (как и всегда в официальных спецификациях) речь идёт о тех характеристиках быстродействия, которые получаются с учётом технологии SLC-кеширования. С производительностью же прямой записи в память всё далеко не так однозначно: она по сравнению с 850 EVO у представителей новой серии 860 EVO снизилась. Дело в том, что использование в 860 EVO новой 64-слойной TLC 3D V-NAND с увеличенными до 512 Гбит ядрами привело к двукратному снижению степени параллелизма массива флеш-памяти, и это нанесло удар по быстродействию. И если раньше падение скорости записи при исчерпании объёма SLC-буфера наблюдалось только у 250-гигабайтного накопителя, то теперь оно видно и у модели с ёмкостью 500 Гбайт, и, если присмотреться, даже у терабайтного SSD.

Приведём график скорости непрерывной последовательной записи на модели Samsung 860 EVO различных ёмкостей.

В нашем распоряжении побывали образцы ёмкостью 250, 500 и 1000 Гбайт, и, как можно видеть по полученным результатам, во всех трех случаях при исчерпании пространства SLC-кеша имеет место снижение скорости записи (у терабайтного накопителя оно почти незаметно). Причём у накопителей объёмом 250 и 500 Гбайт скорость прямой записи в массив TLC 3D V-NAND примерно одинакова и составляет немного меньше 300 Мбайт/с, а у терабайтной модели – доходит до 500 Мбайт/c. Это значит, что при продолжительных операциях записи новые накопители Samsung 860 EVO двух начальных объёмов будут заметно медленнее своих старших собратьев.

Скорость прямой записи в TLC 3D V-NAND, Мбайт/с
Ёмкость SSD	250 Гбайт	500 Гбайт	1 Тбайт	2 Тбайт	4 Тбайт
Samsung 850 EVO	290	500	500	500	500
Samsung 860 EVO	295	290	500	500	500

Впрочем, для того, чтобы реальные пользователи столкнулись с таким замедлением, операции записи должны быть очень-очень длительными, потому что в Samsung 860 EVO применение нашла усовершенствованная технология ускоренной записи Intelligent TurboWrite. Впервые эта технология появилась в NVMe-накопителе Samsung 960 EVO, и её суть заключается в том, что в дополнение к стандартной статической части памяти, работающей в быстром SLC-режиме, она динамически выделяет под SLC-кеш добавочное место из массива основной флеш памяти (при условии наличия на накопителе незанятого пользовательскими данными пространства). В результате объёмы информации, которые можно писать на Samsung 860 EVO с высокой скоростью, значительно выше, чем предусматривала предыдущая SATA-модель.

Сведения о размере статической и динамической части SLC-кеша Samsung 860 EVO приводятся в следующей таблице.

Технология Intelligent TurboWrite	Samsung 860 EVO
Технология Intelligent TurboWrite	250 Гбайт	500 Гбайт	1 Тбайт	2 Тбайт	4 Тбайт
Статический SLC-кеш, Гбайт	3	4	6	6	6
Динамическая часть SLC-кеша, Гбайт	9	18	36	36	72
Максимальный объём SLC-кеша, Гбайт	12	22	42	42	78

Для сравнения напомним, что размер SLC-кеша у накопителей Samsung 850 EVO формировался из расчёта 3 Гбайт на каждые 250 Гбайт ёмкости SSD. И это, например, значит, что для модели объёмом 250 Гбайт SLC-кеш в 860 EVO стал вместительнее вчетверо, а для модели на 500 Гбайт – в 3,6 раза.

Ещё одно кардинальное изменение, произошедшее в новой серии массовых накопителей Samsung, касается их декларируемой выносливости. Надо сказать, что представители семейства Samsung 850 EVO никогда не вызывали нареканий по части своей надёжности, а в наших ресурсных испытаниях они стабильно держатся среди лидеров. Однако пользователи часто отмечали, что заявленный в спецификациях ресурс, в рамках которого производитель осуществляет гарантийное обслуживание, для Samsung 850 EVO был сравнительно мал. Теперь же этот недостаток исправлен. Для младших моделей разрешённый объём перезаписи увеличен вдвое, а для старших модификаций ёмкостью 2 и 4 Тбайт – в 4 и в 8 раз соответственно. В итоге это означает, что производитель теперь разрешает перезаписывать до трети полной ёмкости накопителя ежедневно на протяжении пятилетнего гарантийного срока. Впрочем, по нынешним временам это отнюдь не рекордный, а скорее типичный показатель паспортной надёжности.

⇡#Внешний вид и внутреннее устройство

Для тестирования новинки мы получили от производителя три наиболее интересные модели 860 EVO: с ёмкостью 250, 500 и 1000 Гбайт. Необходимость рассмотрения сразу трёх таких модификаций обусловлена их внутренней конструкцией. Samsung 860 EVO 250 Гбайт – единственный накопитель в ряду новинок, в котором применяется 64-слойная TLC 3D V-NAND c 256-гигабитными ядрами. Samsung 860 EVO 500 Гбайт использует иную разновидность TLC 3D V-NAND, с ядрами ёмкостью 512 Гбит, но имеет точно такую же уменьшенную степень параллелизма массива флеш-памяти, как и модель объёмом 250 Гбит. А Samsung 860 EVO 1 Тбит – это уже абсолютно полноценная модель, где и память стоит «правильная», 512-гигабитная, и массив флеш-памяти достаточно параллелизирован для того, чтобы производительность применённой аппаратной платформы раскрывалась в полной мере.

Внешнее исполнение накопителей серии Samsung 860 EVO осталось таким же, как было у их предшественников в лице 850 EVO. Новые SSD помещены в тот же самый чёрный алюминиевый корпус, на лицевой стороне которого краской нанесён логотип Samsung и серый квадрат – своего рода мнемоническая отсылка принадлежности продукта к массовому сегменту. Оборотная сторона корпуса несёт на себе наклейку с названием модели, ёмкостью, артикулом, серийным номером, ключом PSIM и прочими вспомогательными сведениями.

Здесь стоит обратить внимание на две вещи. Во-первых, на наклейке имеется информация о дате выпуска SSD, и она указывает на ноябрь прошлого года. Получается, что новинка была подготовлена достаточно давно, но Samsung по каким-то причинам решила не выпускать её перед началом рождественских распродаж, а отложила анонс на «низкий сезон» – начало года. Во-вторых, серийный номер первых образцов 860 EVO начинается с символов S3Y. Значит, нумерация остаётся сквозной, и номера 860 EVO продолжают ряд, начатый 850 EVO.

Внутренности 860 EVO тоже вряд ли удивят того, кто хоть раз заглядывал под крышку Samsung 850 EVO или хотя бы видел фотографии «потрохов» этого SSD. Дело в том, что компоновка печатной платы практически не изменилась: это всё такой же смехотворный кусочек текстолита, на котором ютятся контроллер, две микросхемы флеш-памяти и DRAM-буфер.

Однако есть нюанс: платы из 860 EVO ёмкостью 250, 500 и 1000 Гбайт похожи между собой и перекликаются по компоновке с платой 850 EVO 500 Гбайт, но не с вариантами 850 EVO иных ёмкостей. То есть в новом накопителе имеет место дополнительная унификация начинки, которой ранее не было.

Во всех трёх случаях можно наблюдать один и тот же контроллер Samsung MJX, который пока имеет старую «серверную» маркировку MARU, и немного различный набор чипов памяти. Что касается DRAM-буфера, то в версиях 860 EVO с объёмом 250 и 500 Гбайт его роль исполняет микросхема LPDDR4-1866 ёмкостью 512 Мбайт, а в 860 EVO 1 Тбайт применён чип LPDDR4-1866 вдвое большей ёмкости — 1024 Мбайт. Получается, что буфер, который используется контроллером для хранения копии таблицы трансляции адресов, в Samsung 860 EVO типичен по своему объёму, но использует динамическую память более свежего стандарта: до сих пор в SSD мы, как правило, наблюдали разновидности DDR3 SDRAM.

Массив флеш-памяти во всех трёх вскрытых SSD был составлен из двух чипов. Но микросхемы, естественно, различны. В Samsung 860 EVO 250 Гбайт они имеют маркировку K9CKGY8H5A и содержат внутри себя по четыре 256-гигабитных кристалла 64-слойной TLC 3D V-NAND каждый; в 860 EVO 500 Гбайт маркировка чипов K9CMGY8J5M говорит о том, что они содержат по четыре 512-гигабитных кристалла 64-слойной TLC 3D V-NAND; а микросхемы K90UGY8J5M, которые установлены в версии накопителя 1 Тбайт, собраны из восьми кристаллов 64-слойной TLC 3D V-NAND ёмкостью 512 Гбит.

Значит, восьмиканальный контроллер Samsung MJX в версиях 860 EVO 250 и 500 Гбайт работает с массивом флеш-памяти без дополнительного чередования устройств NAND в каналах, а в 860 EVO 1 Тбайт применяется двукратное чередование. Такая разница во внутренней организации может стать причиной того, что 860 EVO 1 Тбайт окажется заметно быстрее младших модификаций, которые, в свою очередь, должны оказаться схожи по производительности. И это – важное отличие Samsung 860 EVO от большинства прочих потребительских SSD, у которых максимальная производительность достигается уже в моделях ёмкостью 500 Гбайт. В Samsung 860 EVO акцент сделан на более вместительных моделях, и лучшее быстродействие смогут предложить лишь версии объёмом 1 Тбайт и больше.

⇡#Программное обеспечение

Массовые накопители компании Samsung традиционно снабжаются фирменной сервисной утилитой Magician, которая, начиная с версии 5.2, поддерживает в том числе и 860 EVO. Эту утилиту принято ставить примером того, каким ПО должны сопровождаться потребительские SSD, поэтому предъявить какие-либо претензии к её функциональности или интерфейсу не так-то просто. Впрочем, набор возможностей нельзя назвать неожиданным.

Samsung Magician 5.2 позволяет получить общую информацию о накопителе, о режиме его работы, о версии прошивки и об объёме записанных данных. Также утилита даёт возможность ознакомиться с состоянием атрибутов, возвращаемых в S.M.A.R.T.

Утилита позволяет провести оценочные тесты производительности накопителя и убедиться в его полной совместимости с системой, в которой он установлен.

С помощью Magician можно вручную отправить на накопитель пакет команд TRIM, а также скорректировать размер неразмеченного файловой системой пространства, переводя часть ёмкости SSD в дополнительную резервную зону.

Также через Magician выполняется управление встроенными в Samsung 860 EVO функциями аппаратного шифрования (они, как и раньше, поддерживаются в полном объёме). Плюс к сказанному, утилита позволяет создать загрузочную «флешку» для полного стирания данных при помощи команды Secure Erase.

Отдельно стоит упомянуть о том, что посредством Samsung Magician может быть активирован фирменный режим Rapid – программное кеширование запросов к накопителю в оперативной памяти компьютера, работающее на уровне операционной системы.

Если Вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.

[SSD или HDD] Что делает Samsung 860 QVO настоящим прорывом среди твердотельных накопителей – Samsung Newsroom Россия

В наши дни компьютерное оборудование развивается быстрыми темпами, но когда дело доходит до хранения данных, большинство людей все еще полагаются на старую технологию, история которой насчитывает уже не одно десятилетие, – накопитель на жестких магнитных дисках (НЖМД, HDD). При этом есть и другой вариант, в котором используются новейшие технологии флеш-памяти, чтобы предложить более быстрое, эффективное и надежное решение для хранения данных.

Речь идет, разумеется, о твердотельных накопителях (SSD). Несмотря на то, что сами по себе твердотельные накопители уже давно не новинка, и пользователи знают о технологии, многие до сих пор считают модели большой емкости слишком дорогими для себя.

Это было правдой лишь до недавнего времени. Появление нового мультитерабайтного накопителя 860 QVO SSD от Samsung сделало высокую скорость и производительность более доступными, чем когда-либо.