DDR4 SDRAM | это… Что такое DDR4 SDRAM?
| типы DRAM памяти |
|
Модуль памяти DDR4
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2012 года[1]. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В
Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году[5].
Содержание
|
Разработка
JEDEC представила информацию о DDR4 на конференции MemCon в Токио. Судя по слайдам, новинка должна иметь и повышенную частоту (от 2133 до 4266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год[6]. В январе 2011 компания Samsung впервые представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 Гб, а напряжение 1,2 В[4]. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133).
Hynix заявила о 80%-м увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333. Массовое производство намечено не ранее второй половины 2012 года[1].
В сентябре 2012 года JEDEC опубликовала финальный вариант спецификации DDR4.[7][8]
Максимальная пропускная способность
Для расчета максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её частоту умножить на 64 бита, то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти.
- Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c
- Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определённая в стандарте.[9]) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c
См. также
- DDR SDRAM
- DDR2 SDRAM
- DDR3 SDRAM
Примечания
- ↑ 1 2 Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе.
3DNews (06.04.2011). - ↑ Компания Samsung начинает поставки памяти типа DDR4
- ↑ Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
- ↑ 1 2 Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4. 3DNews (04.01.2011).
- ↑ Hynix заканчивает разработку DDR4
- ↑ JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM. 3DNews (19.08.2010).
- ↑ JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard | JEDEC
- ↑ Организация JEDEC опубликовала спецификации DDR4 // ixbt.com, 25 Сентября 2012
- ↑ http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100816124343_Next_Generation_DDR4_Memory_to_Reach_4_266GHz_Report.html «effective clock-speeds for DDR4 memory would be 2133MHz — 4266MHz»
3DNews (06.04.2011).Ссылки
- JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM
- Память DDR4: время ли разбрасывать камни?
- Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
- Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4
DDR4 SDRAM | это.
.. Что такое DDR4 SDRAM?| типы DRAM памяти |
|
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2012 года[1]. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В[2][3][4].
Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году[5].
Содержание
|
Разработка
JEDEC представила информацию о DDR4 на конференции MemCon в Токио. Судя по слайдам, новинка должна иметь и повышенную частоту (от 2133 до 4266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год[6]. В январе 2011 компания Samsung впервые представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 Гб, а напряжение 1,2 В[4]. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133).
Hynix заявила о 80%-м увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333. Массовое производство намечено не ранее второй половины 2012 года[1].
В сентябре 2012 года JEDEC опубликовала финальный вариант спецификации DDR4.[7][8]
Максимальная пропускная способность
Для расчета максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её частоту умножить на 64 бита, то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти.
- Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c
- Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определённая в стандарте.[9]) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c
См. также
- DDR SDRAM
- DDR2 SDRAM
- DDR3 SDRAM
Примечания
- ↑ 1 2 Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе. 3DNews (06.04.2011).
- ↑ Компания Samsung начинает поставки памяти типа DDR4
- ↑ Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
- ↑ 1 2 Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4. 3DNews (04.01.2011).
- ↑ Hynix заканчивает разработку DDR4
- ↑ JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM. 3DNews (19.08.2010).
- ↑ JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard | JEDEC
- ↑ Организация JEDEC опубликовала спецификации DDR4 // ixbt.com, 25 Сентября 2012
- ↑ http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100816124343_Next_Generation_DDR4_Memory_to_Reach_4_266GHz_Report.html «effective clock-speeds for DDR4 memory would be 2133MHz — 4266MHz»
3DNews (06.04.2011).Ссылки
- JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM
- Память DDR4: время ли разбрасывать камни?
- Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
- Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4
RAM Скорости памяти и совместимость
Увеличение объема памяти на ПК — один из лучших и самых простых способов повысить производительность системы.
Но прежде чем нажимать кнопку «купить» на этом или любом другом веб-сайте, важно убедиться, что память, которую вы покупаете, совместима с вашим ПК. Память
DDR4 — это память последнего поколения для вычислительных приложений, которая предлагает множество преимуществ по сравнению с памятью предыдущих поколений, включая меньшие задержки, более высокие скорости и многое другое. Следует иметь в виду, что память должна быть одного типа — модули памяти не имеют прямой или обратной совместимости с точки зрения типов генерации, поэтому DDR3 не будет работать в DDR2 или DDR4.
Память спроектирована так, чтобы быть обратно совместимой в пределах своего поколения, поэтому, вообще говоря, вы можете безопасно добавлять более быструю память к компьютеру, который был разработан для работы с более медленной памятью. Однако ваша система будет работать со скоростью самого медленного установленного модуля памяти.
Мы рекомендуем вам использовать Crucial Memory Advisor™ или Crucial System Scanner, чтобы найти подходящую память для вашего компьютера.
Вместо того, чтобы давать модулям памяти броские имена, производители ссылаются на модули по их спецификациям. Но если вы мало что знаете о памяти, цифры могут сбивать с толку. Вот краткий обзор самых популярных типов памяти и того, что означают цифры.
Объяснение поколений памяти
Для памяти с удвоенной скоростью передачи данных, чем выше число, тем быстрее память и выше пропускная способность. Иногда память DDR называется «понятным именем», например «DDR3-1066» или «DDR4-4000». При таком написании число после «DDR» представляет поколение. Число после генерации относится к скорости передачи данных компонента в секунду (/с). При упоминании названия отрасли числа, следующие за «ПК» и поколением, относятся к общей пропускной способности модуля.
Скорости DDR4
| Дружественное имя | Название отрасли | Пиковая скорость передачи | Передачи данных в секунду (в миллионах) |
|---|---|---|---|
| DDR4-2400 | ПК4-19200 | 19200 МБ/с | 2400 |
| DDR4-2666 | ПК4-21300 | 21300 МБ/с | 2666 |
| DDR4-2933 | ПК4-23400 | 23400 МБ/с | 2933 |
| DDR4-3000 | ПК4-24000 | 24000 МБ/с | 3000 |
| DDR4-3200 | ПК4-25600 | 25600 МБ/с | 3200 |
| DDR4-3600 | ПК4-28800 | 28800 МБ/с | 3600 |
| DDR4-4000 | ПК4-32000 | 32000 МБ/с | 4000 |
| DDR4-4400 | ПК4-35200 | 35200 МБ/с | 4400 |
Скорость DDR4 начинается с 2400 млн транзакций в секунду и обеспечивает более высокую скорость и время отклика, чем память всех других поколений.
Оптимизированная для геймеров, профессиональных дизайнеров и энтузиастов, которым нужна максимальная скорость передачи данных, память DDR4 предназначена для тех, кто хочет получить максимальную отдачу от своей системы. Игровые модули обычно имеют более высокие скорости, меньшие задержки, а также уникальный дизайн и рассеиватели тепла.
Скорости DDR3
| Дружественное имя | Название отрасли | Пиковая скорость передачи | Передачи данных в секунду (в миллионах) |
|---|---|---|---|
| DDR3-800 | ПК3-6400 | 6400 МБ/с | 800 |
| DDR3-1066 | ПК3-8500 | 8533 МБ/с | 1066 |
| DDR3-1333 | ПК3-10600 | 10667 МБ/с | 1333 |
| DDR3-1600 | ПК3-12800 | 12800 МБ/с | 1600 |
С 2007 года память DDR3 обеспечивает более высокую производительность при меньшем энергопотреблении по сравнению с поколениями DDR2 и DDR.
Скорости DDR2
| Дружественное имя | Название отрасли | Пиковая скорость передачи | Передачи данных в секунду (в миллионах) |
|---|---|---|---|
| DDR2-400 | ПК2-3200 | 3200 МБ/с | 400 |
| DDR2-533 | ПК2-4200 | 4266 МБ/с | 533 |
| DDR2-667 | ПК2-5300 | 5333 МБ/с | 667 |
| DDR2-800 | ПК2-6400 | 6400 МБ/с | 800 |
| DDR2-1000 | ПК2-8000 | 8000 МБ/с | 1000 |
Память DDR2 PC2-4200 (обычно называемая DDR2-533) — это память DDR2, предназначенная для использования в системах с внешней шиной 266 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 533 МТ/с). «4200» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), которая составляет 4200 МБ/с или 4,2 ГБ/с.
Память DDR2 PC2-5300 (обычно называемая DDR2-667) представляет собой память DDR2, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 333 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 667 МТ/с). «5300» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), что составляет 5300 МБ/с или 5,3 ГБ/с. PC2-5300 обратно совместим с PC2-4200 .
Память DDR2 PC2-6400 (обычно называемая DDR2-800) представляет собой память DDR2, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 400 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 800 МТ/с). «6400» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), что составляет 6400 МБ/с или 6,4 ГБ/с. PC2-6400 обратно совместим с PC2-4200 и PC2-5300 .
Память DDR2 PC2-8000 (обычно называемая DDR2-1000) — это память DDR2, обеспечивающая скорость передачи данных 1000 МТ/с). «8000» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), что составляет 8000 МБ/с или 8 ГБ/с.
PC2-8000 обратно совместим с PC2-4200, PC2-5300 и PC2-6400 .
Скорости DDR
| Дружественное имя | Название отрасли | Пиковая скорость передачи | Передачи данных в секунду (в миллионах) |
|---|---|---|---|
| ГДР-200 | ПК-1600 | 1600 МБ/с | 200 |
| ГДР-266 | ПК-2100 | 2100 МБ/с | 266 |
| ГДР-300 | ПК-2400 | 2400 МБ/с | 300 |
| ГДР-333 | ПК-2700 | 2700 МБ/с | 333 |
| ГДР-400 | ПК-3200 | 3200 МБ/с | 400 |
Память PC1600, которую Crucial больше не имеет , представляет собой DDR, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 100 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 200 мегатранзакций в секунду [МТ/с]).
«1600» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), которая составляет 1600 МБ/с или 1,6 ГБ/с. PC1600 был заменен на PC2700, обратно совместимый с .
Память PC2100, которую Crucial больше не имеет , представляет собой память DDR, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 133 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 266 МТ/с). «2100» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), которая составляет 2100 МБ/с или 2,1 ГБ/с. PC2100 в основном используется в системах AMD® Athlon®, Pentium® III и Pentium IV. PC2100 заменен на PC2700, обратно совместимый .
Память PC2700 — самая медленная память DDR, которую сейчас предлагает Crucial — это память DDR, предназначенная для использования в системах с внешней шиной 166 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 333 МТ/с). «2700» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), которая составляет 2700 МБ/с или 2,7 ГБ/с.
PC2700 обратно совместим с PC1600 и PC2100 .
Память PC3200 (обычно называемая DDR400) представляет собой память DDR, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 200 МГц (обеспечивающей скорость передачи данных 400 МТ/с). «3200» относится к пропускной способности модуля (максимальный объем данных, который он может передавать каждую секунду), что составляет 3200 МБ/с или 3,2 ГБ/с. PC3200 обратно совместим с PC1600, PC2100 и PC2700 .
В модулях SDRAM числа, идущие после «ПК», относятся к скорости системной системной шины.
Память PC100, которую Crucial больше не имеет , представляет собой SDRAM, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 100 МГц. Он используется во многих системах Pentium II, Pentium III, AMD K6-III, AMD Athlon, AMD Duron и Power Mac G4. PC100 был заменен на PC133, обратно совместимый с .
Память 125 МГц — это SDRAM, предназначенная для использования в системах с внешней шиной 125 МГц.
125 МГц был заменен на PC133, обратно совместимый с .
Память PC133 представляет собой SDRAM, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 133 МГц. Он используется во многих системах Pentium III B, AMD Athlon и Power Mac G4. PC133 обратно совместим с PC100 и 125 МГц .
Память PC66 представляет собой SDRAM, предназначенную для использования в системах с внешней шиной 66 МГц. Он используется в системах Pentium 133 МГц и системах Power Macintosh G3. Скорости FPM и EDO записываются в наносекундах (нс), что указывает на их время доступа; чем меньше число, тем быстрее память (для обработки данных требуется меньше наносекунд).
О добавлении более быстрой памяти…
Это может показаться запутанным, но более быстрая память не обязательно сделает вашу систему быстрее. Вы не можете ускорить свой компьютер, добавив более быструю память, если любой из других компонентов вашего компьютера (ваш процессор или другие модули памяти) работает на более низкой скорости.
Имейте в виду, что подходящей памятью для вашего компьютера является та память, для которой он был разработан. Сверьтесь с системным руководством или найдите свою систему в Crucial Advisor tool™ или System Scanner, чтобы найти модуль памяти, который гарантированно совместим на 100%, или вам вернут деньги!
DDR3 против DDR4: общая пропускная способность в цифрах
Мы уже некоторое время собираем данные о пропускной способности памяти — конечно, собираем — но один из больших вопросов, нависших над Skylake, — это то, что на самом деле дает поддержка DDR4. Таблица. Также стоит сравнить четыре поколения контроллеров памяти — два двухканальных и два четырехканальных — и посмотреть, каковы слабые и сильные стороны каждого из них.
Примечание редактора: Приглашенный автор Дастин Склавос (Dustin Sklavos) — специалист по техническому маркетингу в Corsair, работающий в отрасли с 2005 года. Первоначально эта статья была опубликована в блоге Corsair.
Имея все это в виду, мы сравнили Intel Ivy Bridge-E (четырехканальная память DDR3), Haswell (двухканальная память DDR3), Haswell-E (четырехканальная память DDR4) и Skylake (двухканальная память DDR4) по различные оценки скорости в синтетическом тестировании в AIDA64, чтобы изолировать необработанную пропускную способность памяти. Возможно, вы уже слышали, что Skylake имеет очень надежный контроллер памяти, и, как вы увидите, это оказалось правдой.
Для каждого класса скорости использовались следующие задержки CAS:
| Тактовая частота памяти | CAS-задержка DDR3 | CAS-задержка DDR4 |
|---|---|---|
| 1600 МГц | 10 | |
| 1866 МГц | 11 | |
| 2133 МГц | 11 | 15 |
| 2400 МГц | 11 | 15 |
| 2666 МГц | 11 | 15 |
| 2800 МГц | 12 | 16 |
| 3000 МГц | 16 | |
| 3200 МГц | 16 | |
| 3333 МГц | 16 | |
| 3466 МГц | 18 | |
| 3600 МГц | 18 |
Одна важная вещь, на которую стоит обратить внимание в отношении DDR4, это то, что у нее есть странная «дыра задержки CAS».
Вы заметите, что мы сразу перескочили с C16 на C18; C17 официально не поддерживается. В результате наблюдается существенный скачок задержки CAS при переходе к 3466 МГц, который необходимо улучшить, что довольно забавно, за счет увеличения частоты памяти.
Скорость чтения
Синие столбцы представляют наши конфигурации DDR3, а красные столбцы — наши конфигурации DDR4. Мы надеемся, что это должно снять некоторые опасения по поводу более высоких задержек DDR4, негативно влияющих на производительность по сравнению с DDR3. Были ситуации, когда DDR3 могла быть быстрее, чем DDR2 во время этого перехода, но DDR4 — это другое животное. Он предлагает стабильно более высокую пропускную способность чтения при той же тактовой частоте.
Обратите также внимание на то, что контроллер памяти Haswell с трудом преодолевает частоту 2400 МГц, которая действительно является золотым пятном производительности в DDR3. Тем не менее, нет момента, когда колеса контроллера Skylake начинают трястись; он продолжает масштабироваться даже до 3600 МГц и выше.
Наконец, вы увидите еще одну тенденцию: DDR4-3000 на Skylake обеспечивает более высокую пропускную способность памяти, чем стандартная DDR3-1600 Ivy Bridge-E. Теперь у нас есть массовая двухканальная платформа, способная генерировать почти такую же большую пропускную способность памяти, как четырехканальная платформа последнего поколения.
Скорость записи
Интересно, что операции записи в память постоянно были незначительным больным местом. Производительность записи в память Haswell-E была ограничена ~48000 МБ/с и в основном оставалась на этом уровне независимо от скорости. Это очень быстро, но Skylake может превзойти его на частоте 3200 МГц и выше. Skylake также легко затмевает Haswell и Ivy Bridge-E.
Скорость копирования
Операции копирования в память выглядят в основном так же, как и операции чтения. Haswell имеет такое же падение на частоте 2666 МГц, а платформы с DDR4 стабильно быстрее даже на той же скорости. Исключительная способность Skylake наращивать тактовую частоту позволяет компенсировать пропускную способность и, при достаточно высокой скорости, поставить его на расстояние удара по Haswell-E.
Задержка
Вероятно, это то, к чему будут стремиться скептики DDR4, несмотря на огромную пропускную способность технологии. Задержка DDR4 немного выше, чем у DDR3, но не катастрофически.
На чем вам нужно сосредоточиться, так это на сопоставлении кривой DDR3 с кривой DDR4. DDR3 более или менее начинается с 1600 МГц для основных платформ, в то время как DDR4 не опускается ниже 2133 МГц. Таким образом, на начальном уровне для каждой платформы задержка более или менее одинакова, в то время как пропускная способность значительно лучше на DDR4.
Выводы
Во-первых, хотя прирост количества инструкций в такт у Skylake немного не впечатляет, его контроллер памяти — это совсем другое. Нам нужно посмотреть, как он справляется с DDR3L — и мы довольно скоро проверим это более подробно — но у него нет никаких проблем с масштабированием, которые были у его предшественников. Контроллер памяти Skylake невероятно надежен, и в целом Skylake кажется более эффективным с памятью.